单结晶体管的识别及检测.docx

WORD 资料可编辑湖 南 省 技 工 学 校理论教学教案教师姓名 ：学变频日期执科调速行星期检查记班级录签字节次课题单结晶体管的识别与检测教学了解单结晶体管及触发电路的工作原理。目的教学单结晶体管的识别与检测。重点教学单结晶体管及触发电路的工作原理。难点主要教学演示，示范，讲授。方法教具BT33、电阻、电容、万用表、电烙铁等。挂图课的类型实验教学环节时间分配教学后记1、组织教学时间22、复习导入时间85、作业布置时间53、讲授新课时间4、归纳小结时间705专业整理分享WORD 资料可编辑实验二单结晶管振荡电路的制作与调试任务一单结晶体管的识别与检测欲使晶闸管导通，它的控制极上必须加上触发电压vG，产生触发电压 vG的电路称为触发电路。触发电路种类繁多，各具特色。本节主要介绍用单结晶体管组成的触发电路。一、单结晶体管它的外形与普通三极管相似，具有三个电极，但不是三极管，而是具有三个电极的二极管，管内只有一个PN结，所以称之为单结晶体管。三个电极中，一个是发射极，两个是基极，所以也称为双基极二极管。1. 结构与符号其结构如图 7-2-1(a) 所示。它有三个电极，但在结构上只有一个PN结。有发射极 E，第一基极 B1 和第二基极 B2，其符号见图 7-2-1(b) 。2. 伏安特性单结晶体管的等效电路如图7-2-1(c)所示，两基极间的电阻为RBB= RB1 + RB2，用 D表示 PN结。 RBB的阻值范围为 215K之间。如果在Bl 、B2 两个基极间加上电压VBB，则 A 与 Bl 之间即 RB1 两端得到的电压为RB1VBBVBBVARB 2RB1(7-2-1)式中 称为分压比，它与管子的结构有关， 一般在 0.3 0.8 之间，是单结晶体管的主要参数之一。专业整理分享WORD 资料可编辑B2PN 结B1B 2RB2NEDEEAVBBEPVDRB1B2B1B1(a) 结构示意图(b)符号(c)结构等效电路图 7-2-1 单结晶体管单结晶体管的伏安特性是指它的发射极电压VE 与流入发射极电流I E 之间的关系。图7-2-1(a)是测量伏安特性的实验电路，在2、 l间B B加上固定电源 EB，获得正向电压 VBB并将可调直流电源EE 通过限流电阻VPPIEBTB2EmAEBREVVEB1VVVEEIVaPIEI截止区负阻区饱和区RE 接在E和l 之间。B（ a）测试电路(b)伏安特性图 7-2-2单结晶体管伏安特性当外加电压VE VBB VD 时VD为结正向压降 ，结承受反向电<+(PN) PN压而截止，故发射极回路只有微安级的反向电流，单结晶体管子处于截止区，如图 7-2-2(b) 的 aP 段所示。在 VE = VBB+VD 时，对应于图 7-2-2(b) 中的 P 点，该点的电压和电流分别称为峰点电压 VP 和峰点电流 I P。由于 PN结承受了正向电压而导通，此后 RB1 急剧减小， VE 随之下降， I E 迅速增大，单结晶体管呈现负阻特性，负阻区如图 7-2-2 (b) 中的 PV段所示。V 点的电压和电流分别称为谷点电压VV 和谷点电流 I V。过了谷点专业整理分享WORD 资料可编辑以后， I E 继续增大， VE 略有上升，但变化不大，此时单结晶体管进入饱状态，图中对应于谷点V 以右的特性，称为饱和区。当发射极电压减小到 VE<VV 时，单结晶体管由导通恢复到截止状态。综上所述，峰点电压VP 是单结晶体管由截止转向导通的临界点。VPVDVAVAVBB（7-2-2 ）所以， VP 由分压比 和电源电压决定VBB。谷点电压 VV 是单结晶体管由导通转向截止的临界点。一般 VV = 25V（ VBB = 20V）。国产单结晶体管的型号有BT31、BT32、BT33等。BT表示半导体特种管， 3 表示三个电极，第四个数字表示耗散功率分别为100、200、300mW。单结晶体管的检测图 7-2 3 为单结晶体管 BT33管脚排列、结构图及电路符号。好的单结晶体管 PN结正向电阻 REB1、REB2均较小，且 REB1稍大于 REB2，PN结的反向电阻 RB1E、RB2E均应很大，根据所测阻值，即可判断出各管脚及管子的质量优劣。用万用电表 R10档分别测量 EB1、EB2间正、反向电阻，记入表 72-1表 7-2 1REB1( )REB2( )RB1E(K)RB2E(K )结 论任务二单结晶体管振荡电路制作与调试专业整理分享WORD 资料可编辑利用单结晶体管的负阻特性和RC电路的充放电特性， 可组成单结晶体管振荡电路，其基本电路如图7-2-4 所示。S+VE充电放电VPRR2BTVVoB2t1t2tEB1vGCR1vG-ot(a) 电路图(b)波形图图 7-2-4单结晶体管振荡电路当合上开关 S 接通电源后，将通过电阻 R 向电容 C 充电 ( 设 C 上的起始电压为零 ) ，电容两端电压 vC 按 = RC的指数曲线逐渐增加。当vC 升高至单结晶体管的峰点电压VP 时，单结晶体管由截止变为导通，电容向电阻 R1 放电，由于单结晶体管的负阻特性, 且 R1 又是一个50100 的小电阻，电容C的放电时间常数很小，放电速度很快，于是在 R1 上输出一个尖脉冲电压vG。在电容的放电过程中， vE 急剧下降，当 vEVV( 谷点电压 ) 时，单结晶体管便跳变到截止区，输出电压 vG降到零，即完成一次振荡。放电一结束，电容又开始重新充电并重复上述过程，结果在 C 上形成锯齿波电压，而在 R1 上得到一个周期性的尖脉冲输出电压 vG，如图 7-2-4 ( b) 所示。调节 R（或变换 C）以改变充电的速度，从而调节图7-2-4 (b) 中的 t 1 时刻，如果把 vG接到晶闸管的控制极上，就可以改变控制角的大小。1、电路如图 7-2-5 所示专业整理分享WORD 资料可编辑图 7-2-5单结晶体管振荡电路2、仪器仪表双踪示波器一台MF47 万用表 1 只3、制作调试步骤（ 1）将元器件按要求整形，插入通用电路板的相应位置 , 并连接好导线。（ 2）闭合开关，接通电源。分别用示波器观察电容C 两端电压 vc及电路输出电压 vo。在图 7-2-6 相应坐标中作出vc 、vo 波形。（ 3）调节电路中电位器阻值，观察两波形变化，可以看出，改变电位器阻值将改变输出脉冲的 _(相位、频率、幅值 ) 。图 7-2-6 vc、vo 波形图专业整理分享WORD 资料可编辑 布置作业 完成实验报告 课后预习 调光台灯电路的制作与调试专业整理分享WORD 资料可编辑专业整理分享