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    (精选)芳烃的电子效应Word版.doc

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    (精选)芳烃的电子效应Word版.doc

    芳烃的电子效应 一.机理:无论是什么芳环取代反应,他们的机理基本是相近的。亲电试剂首先进攻电子云密度很大的苯环,生成络合物,接着生成中间体碳正离子也叫络合物,最后失去质子生成一元取代苯。这其中络合物是一个活泼中间体,它的生成,需要经过一个能量很高的过渡态,因为破坏了苯环的芳香性事体系能量大为升高。整个反应的速率取决于这一步,即生成络合物这一步是控速步骤。2 反应能线图:对右图的分析:如图,亲电试剂进攻苯以后,生成络合物,及中间体碳正离子,在这个碳正离子中,电子离域在5个碳原子上,但是由于该环状体系中有一个sp3杂化的碳原子,破坏了苯原有的芳香性,使体系的势能大为提高,因此要想生成这个中间体,就必须经过一个高能的过渡态。当负离子从碳正离子上夺取一个质子的时候,又恢复了原来苯环的共轭闭环稳定结构,在热力学上是有利的,可见这一步的进行趋势是很大的,很容易发生。由Hammond假设可以知道,过渡态与中间体能量相近,这意味着,活化自由能比较小,即反应只需要较小的能量。注意,如果此时,进攻试剂(负离子)不去夺取H质子,而是进攻苯环上的正电荷,就会生成如图的加成产物,如图这是不利的,首先产物的势能高于苯的势能,整个反应是吸热的,它的过渡态能量也高,所以无论从热力学还是动力学角度看,生成加成产物都是不利的。这就说明了,苯容易进行取代而不易进行加成的原因,有图可以看见,亲电加成是两个步骤完成的,其中生成碳正离子是控速步骤因为它的过渡态能量最高。3 一元取代定位规律:一元定位规律:一元取代苯进行二元取代时,已有的基团对后进入的基团进入苯环的位置产生制约作用,这种制约作用即为取代基德定位作用,取代基的定位作用于取代基的,电子效应有密切关系。内容:一元取代苯的定位规则与取代基Y的共轭效应有关而与Y的诱导效应无关即取代基的共轭效应决定苯环上的电子云密度分布,两种电子效应的的共同作用,决定苯环上的电子云密度进而反应速率。先分析取代基的电子效应,先看共轭效应的类型方向,以及对苯环上电子云密度的影响(即电荷分布是怎么样的),在看诱导效应与共轭效应的方向关系大小关系,来决定电子效应的总方向,进而决定速率。 第一类定位基邻对位定位基(邻+对>60)同时活化苯环(卤素除外)。这类定位基在与苯环直接相连的原子上一般为单键或具有孤对电子(或带负电荷),具有推电子效应。一般使苯环活化,反应速度比苯快。(卤苯亲电取代比苯慢)。主要有:O-(注意只有给电子的诱导效应+I和+C)、N(CH3)、NH3、OH、OCH3、NHCOCH3、OCOCH3、X、R(给电子的超共轭效应)C6H5,这类集团从结构上看,与苯环相连的原子上具有孤电子对,可以形成供电的P共轭。第二类定位基:间位定位基(间位>40),使苯环钝化。主要有:NO2、CNSO3H、CHO、COCH3、COOH、COOCH3、CONH2等。这类基团与苯环形成-共轭,(或者形成吸电的诱导效应,此时,与苯环连接的原子上有正电荷如N+(CH3)且共轭链端位的院子多为O、N、S的原子其电负性均比碳原子大,形成的共轭效应为吸电的共轭效应,从诱导效应来说,处于同样原因,也是吸电的诱导效应,所以是致钝基。第二类定位基全为致钝基,因为要么是I要么是I+C。第几类定位基是从基团进入那个位置来说的,取决于共轭效应,而致钝基和致活基是从总的电子效应来说的,取决于两者的共同效果。 由下图可以看出:只要是第一类定位基,即基团进入邻对位,那么基团的必有供电子的电子效应。第二类定位基,间位定位基,必有吸电子的电子效应。定位规则的电子解释络合物的稳定性(碳正离子的稳定性)对于不同的基团Y,亲电试剂进攻苯环的不同部位(邻间对)所形成的的三种碳正离子如右图所示,但是由于Y是不同基团,所以当Y不同时每个碳正离子的稳定性是不一样的。越稳定的中间体越容易生成。举例说明:1. 甲基.甲基与苯环相连时的电子效应主要是碳氢键的超共轭效应,和供电子的诱导效应。可见Ic、Ib正电荷都处在有供电基甲基相连的碳原子上,而进攻间位没有这样的优势,所以进攻邻对位所产生的碳正离子稳定。氨基:如右图,N原子的孤对电子与苯环作用形成p共轭在苯环上形成正负交替的电荷排列,又因为,N的电负性>碳所以氨基有吸电的诱导效应,总的电子效应取决于这两种电子效应的相对强弱,由于+C>I所以总的效应为供电子,所以苯环上电子云密度增大,比苯更容易发生亲电取代反应。按照定位规则,共轭效应是+C所形成的电子云密度分布如图所示,可以看出氨基是第一类定位基,取代基进入邻对位。也可以这样理解,邻对位的电子密度升高的比其他位置升高的多。 卤原子:由定位规则可以知道,卤原子也是邻对位定位基,但是由于卤原子的电负性比较大,另外(以Cl为例)氯原子的3p轨道与碳原子的p轨道的重叠并不是很好,所以+C效应减弱。导致I与C的相对大小发生变化即I>+C,这使得总的电子效应为吸电子,这是苯环上电子云密度减小,亲电取代反应的速率没有苯大。也可以这样理解,邻对位电子云密度减少的没其他位置那么多。 硝基:如图,硝基中存在西电子的共轭效应。并且也有吸电子的诱导效应。这两种效应的共同结果使苯环上的电子云密度大幅度下降。这导致硝基再次引入取代基很难,比苯难多了。同样可以用电子共振来解释如下图:可见在进攻邻位或者对位的时候,硝基的吸电子效应,使正电荷更为不稳定,而间位取代却可以避免这些,碳正离子中间体较稳定。两种取代的能线图比较:左图是第一类定位基的反应能线图,可见第一类定位基存在时邻对位亲电取代形成的络合物的能量低,所对应的过渡态能量也低,所以是主要产物,大于间位取代,由于苯是一个稳定结构,所以进攻苯的活化能最高。注意:该图适用于:除去卤代苯的一元取代。左图为定位基为卤素时的能线图,由于是第一类定位基,邻对位的过渡态比间位稳定,所以她们之间的关系没变。但是由于X是吸电子使环上电子云密度下降,导致反应速率降低,活化能增大,大于苯取代时的活化能。如左图,这是第二类定位基的能量变化曲线,可见邻对位与间位的关系发生了变化,由于是间位定位基,所以间位中间体比邻对位中间体稳定,所以过渡态能量低,由于间位定位基是致钝基,是反应速率下降,活化能升高,所以取代苯上的H能量是最低的。 综上可以看到图中,越稳定的中间体越容易生成(再一次被印证),这一点可以从热力学和动力学两个角度分析,虽然是吸热反应,G均>0,但是由G和K的关系,可以得知越稳定的产物的K相对较大,即反应时向这方面反应的趋势大从动力学上,可以有能线图结合Hammond规则看出,越稳定的中间体,过渡态能量低,活化自由能小,反应速率快,为主要产物。图中邻对位和间位的曲线的关系,表明哪个中间体稳定稳定,而这两个曲线和苯的关系反映了速率的大小。定位规则的解释空间效应当苯环上有邻对位取代基存在时,生成邻对位的比例与定位基团和进入基团的体积有关。当苯环上定位基不变时,随着进入基团的增大,邻位产物的比例缩小。定位基团和进入基团都很大时,产物中邻位产物极少,几乎全生成对位产物。反应温度和催化剂也影响邻对位产物比例。4 二元取代定位规律当苯环上有2个取代基时,第三个取代基进入苯环的位置由前两个取代基的性质决定。大体上说有三种情况。1. 当已有的两个取代基的定位作用相同则他们的定位作用相互增强。2. .当两个定位作用不一致时,如果都是属于同一种定位基,强活化基团的影响大于若活化基团的影响。(可以这样想,活化基团可以使过渡态碳正离子更稳定)3. .当两个定位作用不一致时,活化集团的作用超过钝化基团的作用。4. .当两个基团定位能力没多大差别时,主要得到混合物。拾遗:络合物的生成和解离都很快,因此对反应物和产物的影响都很小。 (注:可编辑下载,若有不当之处,请指正,谢谢!)

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