将形状记忆合金与正温度系数热敏电阻进行复合结构设计，研制了一新型自 .doc

500毫瓦高功率扁平放电管氦氖激光器一、成果简介该项成果是东南大学在完成国家科技部下达的“九五”重点科技攻关项目的基础上完成的。并于2000年9月28日通过国家科技部组织的“九五”科技攻关项目验收和江苏省科技厅组织的技术鉴定，专家们一致认为，该项成果属国内外首创，其功率水平属国际先进水平。该项成果采用扁平放电管技术研制氦氖激光管，可明显提高激光管的输出功率，该项技术已获得美国专利（NO. 4862476）。并由四支这种氦氖激光管的输出经光学系统平行靠拢，并可耦合单股石英光纤输出，作各种应用。有关技术又于2000年申请三项实用新型专利和一项发明专利。该激光器使用方便，操作维护简单，基本上满足商品化实用要求。二、主要技术指标1、整机输出0.6328微米激光功率不少于500毫瓦； 2、经耦合单股石英光纤输出0.6328微米激光功率不小于420毫瓦； 3、整机可连续运转时间不小于12小时；4、激光输出功率稳定度在每小时±8%以内。三、应用范围：1、癌症治疗：光动力治癌是利用光敏剂在肿瘤内的储留和特定波长（如0.63微米）的激光作用下的光化学反应而选择性杀伤癌细胞的一种治疗手段。对正常细胞杀伤很少，也不影响机体免疫功能。该项成果是光动力治癌较理想的光源。2、激光理疗：它是利用激光生物刺激反应使毛细血管扩散、增强机体免疫功能，促进代谢和组织再生，并具有明显的消炎止痛作用。由于功率的提高，大大改善疗效，缩短治疗时间，扩大适应症。 此外，还可用于激光舞台照明，激光育种、激光化疗等方面。调频广播副载波信息服务系统一、成果简介 该成果突破了调频广播副载波（SCA）信息服务系统高稳定度FSK调制器、实施信息编码发送、低成本高灵敏接受终端等一系列技术障碍，国内首家实施了利用SCA的综合信息服务系统。主要内容包括：（1） 接受终端SCA股票信息寻呼机整体技术水平达到九十年代国际先进水平，在硬件软化、单芯片集成、具有自主知识产权、自由定位算法应用和独特的电磁兼容一体化、优化设计等方面具有创新性，达到了国际领先水平。（2） 接受终端SCA数字寻呼机整体达到国际九十年代先进水平，在降低功耗技术两次解调拓扑电路设计，低频小体积带通滤波器和齐全的芯片功能等方面具有创新性，达到了国际领先水平。（3） SCA FSK调制器设计新颖，国内首创，国际上尚未见报道。（4） SCA股票信息的发送设备“符合企业标准，填补了国内空白，具有推广应用价值二、 应用范围广播电视、通信、微电子学、计算机应用自复式保险管一、 成果简介自复式保险管是一种将形状记忆合金与正温度系数热敏电阻进行复合结构设计研制的新型自复式过电流过热保护器件，该器件具有可重复使用，导通电阻值低，限流动作速度快，耐击穿电压较高，易于制造，使用方便等特点。市场容量十分巨大。该器件独具特色，在过电流保护领域中处于领先水平。已获国家发明专利。（专利号：ZL 95 1 12753.5）二、技术指标 器件的主要性能可以达到：耐击穿电压250 650 V，室温电阻0.1，不动作电流：1 10 A (25±2), 动作时间；由额定工作电流跃升至三倍工作电流 0.2 s (25±2)，重复过流保护动作200次数后性能仍然可以满足以上指标。三、 应用范围可广泛用于各种机电设备、电器仪表、家用电器、通讯设备等领域。SDB技术用于4硅片规模生产一、成果简介经项目组两年多努力，使学校科研成果转化为规模生产，建立了一条年产6.7万4片的SDB（硅片直接键合）生产线，突破了适合4片键合规模生产的工艺技术，如硅片抛光质量，表面活化处理技术，预键合技术，边缘问题、热处理问题及减薄技术等。建立了4片键合规模生产的关键生产设备和检测仪器、工装夹具。二、技术指标 键合面积98%，无大于0.5mm直径的空洞。 批量合格率96%。 键合片强度与单晶硅相当。 键合片边缘质量良好。以上指标满足规模生产要求。三、应用介绍用SDB衬底材料制造电力电子器件具有独特的优点，与三重扩散材料相比提高了工效、节约了能源、减少了生产过程中的碎片率，提高了成品率，器件性能也大大提高。与外延材料相比，可节约成本费20%以上，投资小，并可减少对环境的污染。本项科技攻关共生产2600对4SDB片，生产出YZ10012等功率电力电子器件202万只，直接节约成本26万元。以每年6.7万片产量计算，每年可节约成本670万元，经济效益十分显著。4键合片的产业化将使晶来集团的电力电子器件的质量提高一个档次，大大提高晶来产品在国际市场的竞争力，并将对我国电力电子产业的发展产生重大的影响。SDB技术是目前国际上一种先进半导体材料制造技术，本项攻关，扬州晶来集团在国内首家实现了4SDB片规模生产并生产出了性能优良的功率电力电子器件。经查询，此项4SDB片规模生产技术未见国际上有同类报道。利用硅/硅直接键合制备电力电子器件用衬底材料一、成果简介 利用硅/硅直接键合（SDB）技术制备电力电子器件用衬底材料是“八五”期间国家计委下达的电子部重点科技攻关项目（85-7156-02-03）。东南大学在深入研究硅/硅键合机理基础上，进一步研究了键合界面性质和影响键合质量的因素，突破了“低温低应力键合工艺技术”，“键合空洞抑制和消除技术”，“减少键合界面过渡区含氧量技术”等关键技术，使键合片质量和成品率明显提高。二、技术指标该（SDB）技术已能制备出直径为1.5吋4吋，晶向为111或<100>，组合为N-/N+，N-/P+，N-电阻率从15*200·cm，N-厚度为30*20m 硅/硅直接键合的电子电力器件用的衬底材料。键合材料成品率大于80%，键合面积大于95%，N-厚度大于70m时，起伏小于±10%。键合片质量；界面强度与体硅材料相当（大于175kg/cm2），界面空洞基本消除，其它特性（寿命和缺陷）下降不大于20%。三、应用介绍该项目技术简单实用，已提供约1500对SDB片供下列单位试用：电子部十三所用于SIT，SITH的研究（器件性能已达到SIT：800V/60A；SITH：1000V/50100A）；衡阳晶体管厂用在3DK309上（BVcbo:12001350V/15A）；扬州晶体管厂制备DK55(500V/5A，通过厂级A，B，C例行试验)等，取得良好效果。东南大学攻关取得的成果表明，完成了项目所规定的指标，该技术已达到国际先进水平；它使SDB技术走向成熟，为我国今后广泛应用打下良好的基础。建议：“九五”期间重点解决扩试和规模生产中的技术问题，进一步提高质量和成品率，降低成本，为推动我国电力电子器件发展作出贡献。硅片直接键合生产技术及电力电子器件一、成果简介 “硅片直接键合生产技术及电力电子器件研究”是江苏省科委1990-1991年“八五”攻关项目。东南大学两年多围绕攻关内容进行了大量的研究工作。在优化键合技术；研究热键合空洞形成以及采取抑制热键合空洞技术取得了较大的进展，提高了键合片质量和成品率。在此同时，建立了一套键合前硅片检查，预键合中间检查以及热合后的最后检查的方法，初步形成了一条较为完整的键合工艺配套系统。并批量试验了不同直径（2，3，4）不同型号<111>，<100>不同电阻率（15200· CM）键合工艺。两年多来已提供1000多片合格的键合片给有关厂、研究所试用，取得了一定的效果。二、应用介绍扬州晶体管厂批量投片生产高压大功率DK55已通过厂级A、B、C组例行试验，用于电子镇流器。在新的电力电子器件方面600V/1A，700V/3A，BSIT；1000V/10A，SITH（电子部13所）；500V/5A，1000V/5A VDMOS（东大，华晶，中科院微电子所）以及500V/5A IUGBT（中科院微电子所）都出了样管。特别随着我国电力电子器件的发展，制造了更高电压、更大功率器件、研究新型结构器件等三重扩散和外延片无法解决的材料方面，SDB技术更能充分发挥其潜力。为完成进入高新技术区建设计划，东南大学在校筹建了小型试验生产基地。目前超净室、纯水系统、预键合热键合系统、测试系统等已全部投入使用。这套小型系统的设计和运行将为进入高技术区更大规模生产作了技术准备。功率VDMOSFET一、成果简介 1、VDMOS是国际上八十年代迅速发展起来的电压控制型器件。是一种新一代功率集成化电力半导体器件。它具有速度快。可靠性高等优点。可广泛地应用于电子镇流器、开关电源、电机调速。汽车电子等领域。为高效节能、省材、节约空间提供了重要的物质手段。2、该器件在结构和工艺上具有独特的优点，它采用了场限制环、场板极、等位环结构。特别是采用了掺杂多晶硅固固扩散技术，设计合理，工艺简单，该器件作为高速开关工作。具有驱动功率小，速度高的特点，已在开关电源和大屏幕显示驱动中得到成功地应用，大大提高了电路性能和可靠性。二、技术指标该功率VDMOSFET达到了预定的设计指标。BVDS200V，最高达到350V，IDS2A，最高达到5A，器件性能达到国内同类产品的先进水平。采用电源耐高压大电流器件和工艺研究 一、成果简介 该课题以VDMOS的技术作为主攻方向，研制了大功率VDMOS器件，并与双极兼容研制了带有过流自保护功能大功率VDMOS器件。采用PN结隔离技术，在同一芯片上实现了双极、CMOS和DMOS兼容，研制成功了脉宽调制的开关电源电路。实现了低压/高压、数字/模拟、双极/MOS兼容、耐高压、大电流的器件工艺方案和工艺规模。二、应用范围该成果在工业控制、仪器仪表、电光源、信息显示等领域具有广阔的应用前景。MOS智能型开关电源功率集成电路一、成果简介 1、“MOS智能开关电源功率集成电路”由CMOS低压控制电路和功率VDMOS输出管构成，是低压/高压、MOS/双极、数字/模拟兼容的集成电路。2、该电路采用了隐埋、外延、PN结隔离、深磷扩散等技术，使双极型、CMOS和DMOS完全兼容的BCD工艺技术。 二、技术指标该电路功率输出级VDMOS管达到BVDS100V，IDS>1A，导通阻抗<2，并具有过流过压保护功能，低压控制部分的CMOS门电路、CMOS运算放大器、电压比较器等均满足脉宽调制电路的要求，该电路已成功地应用于采用脉宽调制的开关电源，性能良好。智能（带限流保护）VDMOS高压大功率管一、成果简介 1、智能VDMOS高压功率管，它把保护器件双极型npn管和高压大功率VDMOS器件集成于同一芯片上，不仅具有常规VDMOS高压大功率器件的一切优点，而且具有自动过流保护功能。大大提高了器件可靠性，使用方便，简化了线路，降低了整机成本，提高了整机可靠性。效果显著。应用前景极为广阔。2、为了实现双极型器件和功率VDMOS管的兼容集成，在工艺上采用了高阻厚外延和PN结隔离技术，由于器件、工艺设计合理，不需附加工艺步骤，便于生产。二、应用范围电力电子、家用电器等。GeSi HBT及其Si兼容工艺一、成果简介 该成果解决了GeSiHBT与硅工艺兼容的5个关键技术难点，具体包括低温工艺、刻蚀控制、界面I层生长、多晶硅发射极、基区浅离子注入与AlTi接触技术。提出并完善了低噪声和高频器件的设计理论，开发出完整实用的GeSi HBT器件分析设计的软件系统。研究了与硅工艺兼容的5种GeSi HBT器件结构，重点采用台面结构，优化相关的工艺条件。二、技术指标噪声系数在10kHz下仅为1db的低噪声GeSiHBT、截止频率在8GHz的高频GeSiHBT，产品性能满足合同规定的要求，器件的综合性能指标与噪声性能居于国内同类产品的先进水平。二、应用范围该项成果的红外焦平面阵列技术中的低温低噪声前置放大电路以及移动通信手机的RF IC中有实际的应用前景。微波化学反应器一、成果简介微波化学反应器的特点在于它大大加快化学反应速度，使原来难以进行的化学反应成为可能。同时，它大大节省能耗、有利环保，实现清洁生产工艺。可广泛应用于天然气替代石油制成重要化工原料乙烯。二、应用范围特别有利于我国西部盛产天然气地区的开发。还可用于中药的提取。 东南大学拥有该发明专利。半导体低温器件与电路一、成果简介 1、通过深入细致的理论研究，获得了关于半导体低温器件与电路比较清晰的物理图像，为今后低温微电子技术的深入发展奠定了重要的理论基础。2、系统研究了低温半导体器件的模拟及分析技术，在此基础上完善并开发出低温器件模拟软件WINBILOW，为低温器件与电路的设计提供了实用化的工具。3、在建立的低温半导体器件设计理论指导下，研制出的低噪声器件已在红外焦平面前置放大电路系统中获得了初步应用。4、发展完善了低温ECL电路和CMOS/BiCMDOS电路设计技术，研制出结构有创新、并与CMOS工艺兼容且性能优异的BMHMT器件，经工艺与设计技术的优化，研制出BiCMOS反向器、环形震荡器和放大器等多种电路结构，其性能明显优于同等条件下的常温器件与电路，在此基础上开展了初步的噪声与热载流子效应研究，为以上低温电路的应用创造了条件。5、提出了Si初底上的BSCCO超导膜新的螺旋式核生长机理，并利用溅射方法制作了较高质量的BSCCO/YSZ/Si兼容材料，从理论上探讨了高温超导/半导兼容材料在微电子系统中的应用。二、技术指标77K下增益大于200的高增益器件、噪声达1nV/Hz1/2的低噪声器件以及性能优良的CMOS器件。三、应用范围本项目在理论分析，模型建立与模拟、器件与电路的设计研制和应用，以及超导/半导兼容技术的探索等诸多方面都取得了突出的成绩，其成果具国内领先地位，部分成果达到国际先进水平，可广泛应用于未来超高集成与超高速电路，空间和天文电子学等技术领域中，为低温微电子学的发展及应用奠定了良好的基础。激光电离一反射式串级飞行时间拭南谱仪一、 成果简介该仪器是一种新型的质谱分析仪器。对气体样品用脉冲分子束阀引入分析，对固体样品用激光烧蚀直接汽化法或激光烧蚀载气膨胀冷却法产生和分析它们的团簇离子或中性团簇，用基质辅助激光脱附电离法可对脆弱的有机分子和生物大分子进行质谱分析，对以上样品均可进行正或负离子的检测。用本装置可进行多方面的物理化学、生物化学和医药方面的分析研究。仪器结构由汽化室、电离室、漂移管及反射室四部份组成。仪器电极尺寸采用国际上先进的二阶空间聚焦理论作设计计算的基础，采用了反射式及二级串联的形式。二、技术指标仪器经计算机模拟分辨能力达10000以上，功能和结构设计处国内领先。经实际使用，在电离激光脉宽10ns，瞬态记录仪频宽100MHz条件限制下的分辨能力达2500，该性能指标已达九十年代初同类仪器的国际先进水平。三、应用范围利用该仪器已经产生并分析了数十种物质的团簇结构，推动了前沿学科的发展。它在一定领域内可取代常规质谱仪和常规串级质谱仪而有广阔的应用前景，目前已研制了三台。该仪器立足国内研制而成，节省经费。该仪器已于96年5月通过由江苏省科委组织的科技成果鉴定。光纤孤子通信传输与控制理论一、 成果简介光纤孤子通信是新一代高速长距离全光通信理论的理想方案，但GordomHaus效应以及其它各种非理想因素限制了通信容量的进一步提高。东南大学在前期有关光孤子通信研究的基础上，对突破限制通信系统容量的各种控制方案进行了全面、系统和深入的研究，特别是从理论上解决了利用频域滤波控制，同步幅度调制控制，同步位定调制控制以及色散配置和位相共轭控制等方案抑制孤子舆系统噪声扰动的工作机、结构参数设计及其实际应用中的各种关键技术问题。二、应用范围 本项成果对线性光通信系统中的噪声扰动的抑制具有重要指导意义。光孤子波通信基础理论及其应用 成果简介该项目是为了开拓光纤传输媒质的频带资源、发展新一代高速长距离全光传输/通信技术所取得理论上有创见、方法上有创新的应用基础成果，属光电子学和光波通信的前沿分支学科领域。项目基于已有的非线性电磁导波理论，围绕光纤非线性传输特点，提出和研究了均匀媒质与随机均匀媒质孤子传输的新概念，发展了光孤子通信的系统理论。基于量子力学理论和机理，研究了光孤子通信的全量子理论。光孤子理论的研究推动了光孤子的传输、放大、检测和传输等方面系统的应用研究。该项研究属该学科前沿开拓性工作，处国际先进水平，部分研究处于领先水平。WM-1型LB槽系统一、 成果简介LB槽系统是制备LB膜的专用设备。系统采用分立式模块结构，可根据不同实验灵活组合，扩展功能。采用MCS51系列单片机作中心控制下位机，系统可在下位机上独立运行；也可与PC上位机相连，实现在WINDOWS环境下的遥控操作。采用了新型的光电式微弱力传感器进行膜压测量，具有灵敏度高，测量范围广。无电磁污染，体积小，可作分布式测量等特点。采用了先进的双滑幛对称压膜结构，使系统性能大大优于其它非对称结构的系统，特别适于大分子量物质的成膜。二、技术指标本系统的性能、指标与美、英、德、法、日以及芬兰等国所报道的相当，采用的膜压测量和传动方式各不相同，成本较低廉，有较高的性价比。圆型槽波导一、 成果简介1989年东南大学首次在国际上提出一种新型的毫米波、亚毫米波传输线*圆形槽波导。在对它进行理论分析后得到了特征方程、模式布图，为正确设计圆形槽波导提供了理论依据。它比短形波导有频带宽、损耗低、尺寸大，功率容量大等优点，比较容易与回旋管相连。我们给出的设计圆形槽波导的公式已反复为实验所证实。二、应用范围圆形槽波导可在大功率真空电子器件中、宽频带的发送与接收设备中得到应用。它对国民经济和国防建设有重要贡献。光强度调制型传感技术及其应用一、 成果简介光传感技术是半导体光电子技术、纤维光学、光通信技术、光信号检测技术以及计算机技术有机结合，并正迅速发展着的多学科交叉的专门技术，隶属于光电子学与激光技术（或传感器技术）领域。本项目主要研究利用外加信号调制光强度的方法，把被测对象的信息叠加到光载波上，从而实现对被测验对象的检测。根据应用场合及使用要求，传光媒质可采用光纤或大气。项目中列出的光纤压差传感器采用双弹性膜片共光源结构，由光纤探头测出在不同压力下膜片的位移经光电转换及信号处理后得知压力变化；光电式微弱力传感器采用单端固定悬臂梁下接小孔光阑结构，由双元光探测器测出不同外力作用下经过小孔光阑的强度变化，从而得知外力的大小。二、应用范围这些传感器具有灵敏度高、可靠稳定、抗电磁干扰、而耐腐蚀、结构简单、方便耐用、成本低廉等特点，特别适合环境恶劣以及常规传感器不能适用的场合，在工业控制与检测、遥测遥控等方面得到愈来愈广泛的应用。光纤压差传感器、光电式微弱力传感器已分别成功地应用于工业检测领域、化学研究领域，作为核心元件分别开发光纤检漏系统、LB槽系统，并已投入生产。掺铒光纤放大器一、 成果简介 掺铒光纤放大器（EDFA）是八十年代末发展起来的适用于新一代光纤通信系统的理想的全光放大器。东南大学在国内率先开展了对EDFA的研究，先后承担了通信863、国家自然科学重点基金等多部省级课题，对EDFA的工作特性、结构配置与参数设计、研制技术及系统应用等理论技术问题进行了深入系统的研究，解决了利用国产泵浦LD组件和优质EDF，研制高效能量转换、稳定性好、输出功率大的EDFA模块的各项相关关键技术问题，并采用国产器件在国内率先研制出高效EDFA样机，主要性能指标达国内领先水平，跨入国际先进行列，此外，还解决了在高速数字光纤系统和宽带模拟光纤系统中应用EDFA的一系列关键技术问题。二、应用范围光纤通信等。内偏转彩色显像管一、 成果简介东南大学1991年研制出单色内偏转显示管，同年通过部级鉴定，并获国家新产品证书。1993年又研制出世界上第一只内偏转彩色显像管，获国家专利一项、实用新型专利十多项。1996年通过国家“八五”科技攻关项目验收和鉴定，同时单色内偏管通过产品设计定型鉴定。内偏转彩色显像管具有降低偏转功耗、省材料、提高分辨率等优点。可用于各种显示器件。1997年内偏转彩色显像管被国际权威机构斯坦福资源中心评为当今CRT八大新技术之一。1998年获国家教委科技发明二等奖。1999年SONY公司将该技术列为将来最有前途的偏转技术之一。从1993年起，每年参加国际SID会议，共发表文章七篇，内部技术报告30篇。在1999年12月召开的国际IDW会议上，内偏转彩色显像管荣获最佳成果奖。二、应用范围显示终端。高低压MOS接口电路一、 成果简介1该电路为我国高、低压兼容的MOS器件填补了一项空白。在结构和工艺设计上，具有自己的特点，其主要参数达到了国际水平。2该电路采用的工艺与N阱CMOS工艺完全兼容，不需要任何附加工艺，因而不仅易于实现高压器件的集成。而且使高、低压MOS电路的单片集成成为可能。3该电路耐压大于300V，最大漏极电流可达35mA（在VG=10伏时）跨导和阈值电压可由设计和工艺决定，具有良好设计上的灵敏性。与双极高压器件相比，具有工艺简单，便于集成等优点，易于推广应用。二、应用范围该电路在等离子显示、场致发光、高低压开关等许多领域有着广泛的应用。低/高压CMOS驱动器一、 成果简介低/高压CMOS驱动器采用N阱等平面硅栅CMOS工艺。将低压控制电路与高压驱动电路兼容在同一个芯片上，它的低压控制电路工作在515伏电源。输入与TIL或CMOS相容，输出关态耐压大于200伏，开态吸收电流大于200mA。该集成电路在工艺设计、结构设计上与国外同类产品相比，有独到之处。如采用一次磷注入同时形成低压CMOS的阱及高压NMOS的漂移区，与低压CMOS电路工艺完全一致。不需要附加工艺步骤，采用三次离子注入与两次扩散工艺，使工艺简单易推广，在结构上兼顾了低/高压对工艺参数的不同要求。因而该电路具有较好的性能与较高的成品率，易于推广生产。该电路比用分立元件实现同样功能，具有功耗低、速度高、体积小，可靠性高、成本低、性能好等优点。二、应用范围低/高压CMOS驱动器可用于功率电源、灯、马达、继电器的驱动；显示；机电设备。计算机外部设备的驱动等方面。低/高压PMOS转换电路一、 成果简介该电路采用国际上先进的P阱硅栅等平面工艺，不需要附加任何工艺步骤，就能与常规P阱CMOS工艺完全兼容，因而不仅易于实现高压器件的集成，而且使低/高压CMOS电路的单片集成成为实现。该电路耐压大于200伏（最高可达350伏）。源漏电流，跨导和阈值电压可由设计和工艺进行控制，所以具有较好的设计灵活性。该电路不仅可以代替分立的高压PNP晶体管，实现低高压转换，而且是组成高压CMOS倒相器必不可少的部分。二、应用范围交流扫描等离子显示，快速静电复印，低高压开关和驱动中有着广泛的应用。低的热阻电热膜加热板一、 成果简介该成果从传热学角度分析和解决了电热器散热问题，通过增加发热体和散热体的接触面积，在保证电气绝缘安全条件下可能减少传热热阻，增加散热面积，从而确保发热体的低温工作状态，达到了安全可靠和温度分布均匀的目的。研制样品质量可靠，制作工艺可行，属国内首创。二、应用范围这类加热器能应用于交通运输工具，取暖，模具加热，民用建筑及电器用品等，具有广泛的应用前景。栅控场发射二极管 一、 成果简介微尖场发射阵列可提供高密度发射电流，本技术采用微机械加工技术的方法，已制备出40×40场发射阵列,器件开启电压5V，在25V下发射电流达到10*4A，正反向特性良好。用微机械加工技术的方法实现了自对准栅金属场发射阵列制备，得到单尖尺寸4×4um2,尖维密度4.4×105个/cm2，在76V下，发射电流密度0.4A/cm2，栅收集电压81V，单尖跨导达1.18ns/尖，单尖电容1.5fF.二、应用范围本项技术制备的场发射二极管可在高温或高辐射环境中工作，并可应用于高速开关。城市汽车动态定点定位监测装置一、 成果简介为打击劫车、盗车犯罪，我们研制开发了本系统。对装有该系统的登录车辆，当劫车或盗车发生时，该系统经触发或自动的启动，将汽车状态和位置信息发送给监控中心实施报警。同时，监控中心从数据库中调出并显示该车辆的有关信息，在监控中心的电子地图上，根据收到的信息给出该车辆的运行轨迹。监控中心的计算机系统可以同时跟踪五辆车辆，可根据需要进行区域切换。二、应用范围 各种车辆。多点对多点的发射接收器一、 成果简介该装置是“城市汽车动态防劫防盗报警系统”的配套装置。是一个小功率的多点对多点的无线发射、接收装置。该装置以FSK方式发送信息，通过特殊的编解码方式克服多点通讯中的同频干扰问题，通过适当的带宽设置解决单机频率离散性的问题，采用编码迭加的方式进行多重数据的综合传送。二、应用范围该装置也可用于局域信息网的无线发送接收。也可以作为运程控制的信息会聚节点。电子地理信息定位装置一、 成果简介该系统投资少，结构简单，制造容易，安装方便，定位误差较小且误差一致性较好。如果将GPS称为开网系统，我们的这套系统可以称为地网系统。由于采用点发射方法，每个地理信息发布单元的有效覆盖区域为一圆形，根据城市车辆的通常运动速度，在接收到地理信息到算出数据的这段时间内，移动目标正处于向中心发射点趋近。因此，这套系统的点定位误差较小，更为重要的是，误差的一致性较好，便于为监控系统修正。解决了误差随机性的问题。二、应用范围由于地理信息采用专门的编码方法，可实现系统的全国联网。有源矩阵液晶显示用MIM薄膜二极管一、成果简介有源矩阵液晶显示克服了无源矩阵液晶显示图象串扰问题而使大容量、高质量显示成为可能。目前，有源矩阵液晶显示中常用的非线性元件（开关元件）有薄膜晶体管（TFT）和金属一绝缘体一金属薄膜二极管（MIM*TFD）两大类。TFT有源矩阵LCD具有优良的视频图象，但它的制造工艺复杂，成本较高；而MIM-TFD有源矩阵LCD的结构和制造工艺比较简单，成本较低，适合大批量工业化生产，但它的影响质量不及TFT有源矩阵LCD，这是由于绝缘膜传统的制造工艺所致。本项目采用了创新的绝缘膜制备工艺，制备出性能优良的MIM-TFD。采用本项目成果制造的MIM有源矩阵LCD，即可保持原有的结构和工艺简单、成本较低等优点，又可大大提高图象的显示质量，在很大程度上提高了市场竞争力和吸引力。1999年通过了省科委组织的鉴定。二、技术指标1 阀值电压<8V2 I-V非线性系数<30 3 通态和断态电流之比约1054 I*V特性正、反两个方向的阀值电压相对误差<6%，具有良好的对称性。三、应用范围用于有源矩阵液晶显示屏，如液晶电视，笔记本电脑，可视电话、电子地图、掌上电视机及便携或医用仪器与电子仪表等领域。 多功能无线信息终端一、成果简介本成果不仅具有普通的商务通功能，更有丰富的无线接收实时信息，全国联网漫游，实现信息共享；可无线收发电子邮件，真正满足随时随地的电子商务要求。主要功能有：1、动态金融信息接收上证、深证所有股票，实时更新股市信息，走势及技术图形分析，个股股评，多种期货、外汇及指数走势。2、网络综合信息实时接收天气、航班、旅游、流行时尚，IT资讯，娱乐资讯，科技动态，网络新闻等18类资讯。3、超级电子网站18份电子报纸和18个电子网站，分类接收，便捷查询来自世界各地的时事、财经、体育、娱乐等各项质询。4、有线电子邮件12个电子邮箱，30个公共信箱，超大容量接收。5中文寻呼：全国联网漫游，保持热线联络。6商务应用记事本多级分类，名簿约会行程、便笺、英汉/汉英词典，多未游戏。二、技术指标1POCSAG标准，2400bps速率接收，灵敏度<7uV/m2160×240点阵LCD液晶显示，单屏150个汉字显示3超大容量存储器，4M字节闪烁存储器，512K字节静态存储器41.5VAA电池一节，工作电流：开屏<40mA，关屏<15mA5智能电池检测，有效保护即时信息三、应用范围股票、期货投资者，商务人员，金融工作人员。四、投资条件有电子产品生产、销售经历，资金配套。五、效益分析单机成本1000元左右，市场价2000元左右。电动自行车电气配件一、成果简介面对越来越严重的大气污染，开发绿色环保代步工具是摆在国内各车辆厂面前一道课题。电动自行车以清洁、噪音小、运行费用低、电动或人力骑行全兼容等特点成为各厂家的首选。众所周知，我国是自行车王国，所以发展电动自行车无论是从环境保护的角度还是从经济发展角度来说，意义都将是非常巨大的。一辆电动自行车整车性能的好坏，除了装配工艺以外，其配套的电器部件是非常关键的，为此，针对电动自行车的特点，我们开发一整套的电气配件，包括有刷电机控制器、无刷电机控制器，智能充电器，数字式速度、里程、电量显示器，有刷电机控制器专用混合集成电路，并向整车生产厂家提供电动自行车电气总成全套解决方案。二、技术指标有刷电机控制器：平滑启动，无级调速，欠压保护，限流控制（10A-15A），堵转保护，刹车断电，PWM方式工作，与过流断电保护式控制器相比可提高续行里程10-20%。无刷电机控制器：静止启动，无级调速，欠压保护，限流控制（10A-15A），。堵转保护，刹车断电，PWM方式工作、损耗小，效率高。智能充电器：根据铅酸蓄电池的特性，专门设计的充电曲线，即随着充电电压升高，充电电流逐渐减小；当电池充足电后，自动进行浮充状态，并有温度补偿特性。最大充电电流：2A，充电时间<8小时。数字式速度、里程、电量显示器：11档速度指标、；4位LED数码管记录累计行驶里程；由3个LED发光管指示蓄电池电量，当电池电压低于设定值，欠压指示灯亮。有刷电机控制器专用模块：只要外接八个元件，就能构成一个性能优越的有刷电机控制器。三、应用范围所有电动自行车生产厂家。LED大屏幕显示一、成果简介随着信息时代的到来，公从对各类信息的需求量越来越大，LED（发光二极管）大屏幕显示系统在这种时代背景下应运而生。该系统通过计算机控制，应用多媒体技术，与CRT同步显示，可二十四小时全天侯播放图形，中英文字，二维、三维动画及各种制式的视频节目，一种实用、高效、新颖的信息发布媒体和窗口。按照用途不同可分为室内屏、室外屏和点阵数码混合屏（金融证券屏）。二、技术指标1灰度等级：256级。2色彩及亮度：红、绿、蓝三色及其复合色，亮度V校正，各基色亮度比例相对调整。3帧频：>90帧，防水波纹。4视角：±80°。5视距：根据室内室外不同20m200m不等。6控制方式：有线控制、无线控制、网上控制。7工作温度：-20+50。8寿命：发光器件>10万小时。三、应用范围交通、邮电、商业、广告、金融、证券、体育、教育、工商税务及政府各职能部门。多媒体光纤专用网一、成果简介研制出一种新型的可靠性高、实现分布控制集中管理、性价比高的多媒体光纤专用网。其拓朴采用环形或总线形，分为管理层、网络层和现场监视控制层。技术关键在于网络适配器(NA)、组态软件、网络运行维护和管理(OAM)系统。NA由网络接口、总线接口和节点处理器组成。组态软件分为下位运行、上位监控和数据组态软件。通过特有的在物理层建立的站管理，实现OAM。可提供满足各种特殊领域需要的多媒体综合业务服务。二、应用范围可在工业、交通、军事等需要实现分布控制集中管理、高可靠性、性价比可同时传输数据、语音及图像信息的应用系统。 阳光控制膜玻璃真空镀膜工艺及膜层特性的研究一、成果简介阳光控制膜玻璃真空镀膜工艺及膜层特性的研究系机械工业部技术发展基金委员会的基金课题，1994年通过鉴定。鉴定意见指出：该项目“全面系统地研究了阳光控制膜的膜系、制造工艺、特性和寿命”，“研制的阳光控制膜镀膜玻璃色彩鲜艳，包括了国际上流行的全部色彩，达到了九十年代初的国际水平”。自1993年起该项目研究成果已在国内六条大型生产线上推广，产生了巨大的经济效益和社会效益。1995年获国家教委科技进步二等奖。透明导电玻璃是一种高科技的特种玻璃，是电子工业的基础材料。用它制成的夜晶显示器（LCD）、场致发光屏、等离子显示器(PDP)等平板显示器，广泛应用于笔记本电脑、电子辞典、电子记事本、BP机、“大哥大”、可视电话、手持游戏机、电子打字机、掌上电视机、壁挂式彩 电以及便携式医用仪器与电子仪表、计算机、电子表等。是1997年2月9日经国务院的批准，由国家计委公布的当前国家重点鼓励发展的电子信息产品。东南大学推广此项成果，已在国内建成二条生产线。二、技术指标由射频磁控溅射SiO2 薄膜和直流磁控溅射ITO薄膜组成。方块电阻：100欧（ITO厚膜30+5纳米）或10欧的产品。透过率：大于87%（厚1.1mm的玻璃，30nm的ITO膜玻璃幅面尺寸：14´14英寸或14´16英寸SiO2 膜层厚度：25+5 nm, 方阻100W/方。三、应用范围液晶显示器的关键基础材料。四、国内外市场需求预测中国大陆现有生产线18条，设计年产量454m2 .中国大陆上使用此产品的液晶显示器厂商有七十余家，1999年月73.4万m2。缺口尚需从美国、韩国等地进口。五、投资经济效益分析总投资2000万元（不包括流动资金600万元在内）其中设备费1200万元。生产车间2500m2，其中中央空调净化车间500m2。用电500kVA变压器。用水：2 m3/h。主要生产线设备由国内著名厂商制造，部分关键设备与部件从美、日、德等国外购入。项目建设周期：11个月GD-1V 型电光源光电参数测试系统一、成果简介 本系统适用白炽灯、荧光灯、节能灯、金卤灯等各种光电源的光电参数，通过多年来的不断改进，系统性能稳定可靠，并具有高压自动保护，多功能转换开关等独特设计，因而系统通用性强，除了测量各种光源的光电参数外，还能进行电感整流器的电特性参数分析，并且有其他扩展功能。该系统操作方便，测量精确。界面友好，被全国许多光源生产厂家采用并销往南韩及中东地区。二、技术指标系统光谱分辨精度可达0.2nm,线性动态范围高达106：1，系统暗信号小于10mm，非线性失真小于0.2%。其他各项性能指标均符合国家标准。三 应用范围普通形适用于2KVA以下各档次光源的光电参数测量，增强型可拓展到6KVA以下各档次光源的测量，使有关科研单位和生产厂家的必备测试设备。SSM-1型智能谱分析测试系统一、成果简介本系统可以测试紫外和可见区