高压直流气体绝缘装备用氮化硅基复相陶瓷材料支柱绝缘子技术规范.docx

ICS19020CCSK85团体标准T/CSEEXXXXYYYY代替T/XXXX高压直流气体绝缘装备用氮化硅基复相陶瓷材料支柱绝缘子技术规范Technica1.StandardonSi1.iconNitride-basedCompositeCeramiCmateria1.SupportInsu1.atorforGasInsu1.atedHVDCEqUiPment（征求意见稿）20XXXXXX发布20XXXXXX实施中国电机工程学会发布目次目次1前111高压C1.流气体绝缘装任用氮化硅地复相陶在材料支柱绝缘子技术规范51范围52观范性引用文件53术语和定义51. 1氨化硅茶熨和陶凭si1.iconnitridebasedcomp1.exphaseceraaics53. 2级化硅基U和陶凭支柱绝缘子specia1.ceramicsupportinsu1.ator54. 3级化硅基亚相陶克支柱specia1.ceramicpi1.1.ar65. 1.金组件ponent64技术要求64. 1额定直流电压66. 2颔定直流电流64.3额定绝缘水平64. 4机械强度64.5 介质损耗因数(tnn)64.6 氮化硅基复相阳宛支柱绝缘予的同部放电量64.7 表面及内部缺陷75试般要求与方法75. 1一般要求75. 2试验分类75. 2.1型式试验76. 2.2逐个试验77. 2.3特殊试验75.3绝缘和热试验时的翅化硅地货相陶陞支柱绝缘子条件86型式试脸88. 1电流干耐受电压试验86.1.1 试验方法和要求86.1.2 接收准则86.1.3直流内络电压86.2工频干耐受电球试验86.2.1试验方法和要求S6.2.2接收准则86.2.3工频闪络电压86.3长时间直流耐受电压试验96.3.1冽试方法和要求96. 3.2接收准则96.1 长时间工顽耐受电压试验96 .4.1测试方法和要求97 .4.2接收准则106.5 雷电冲击干耐受电压试脸(BI1.)106 .5.1试验方法和要求107 .5.2接收准则IO6.6 机械破坏负荷诲验101.1.1 6.1一般要求101.1.2 6.2安装布置111.1.3 负荷施加方式I1.1.1.4 驾曲试验111.1.5 招矩诚验116.6.6拉伸试验116.6.7压缩试验126.6.8接受准则126.7温度循环试验126.7.1一段要求126.7.2适用于靓化硅基宓相处亮支柱绝缘子的试验126.7.3接受准则126.8 尺寸检查126.9 表面及内部缺陷127逐个试验137.1 环境温度下介质损耗因数(tan)和电容量的测电131 .1.1试验方法和要求137 .1.2接收准则137.2 雷电冲击干耐受电压试验(BI1.)137.2.1送脸方法和要求137.2.2接收准则1373工频干耐受电压试验137. 3.1试蕤方法和要求137,3.2接收准则117,4局部放电里的测埴148. 4.1试验方法和要求148.4. 2接收准则M7,5外观检查和尺寸松脸148特殊试验149. I机械抗薇试验148.1.1试蕤方法和要求149运输、存放和安装规则149.1 运输、存放和安装要求119.2 拆装与吊装159.3 3现场安装15附录16网录B17附录C18本文件按照4中国电机工程学会标准管理办法（衙行）的要求，依据GB"I.12O2O标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则3的故:支危草.请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别专利的费任.本文件由中国电机工程学会提出.木文件由中国电机工程学会电力建设标准专业委员会技术归口和解择。本文件起草单位：国网智能电网研究院有限公司，华北电力大学，中材江西电究电气有限公司.本文件主要起草人：.本文件首次发布.本文件在执行过程中的意见或建议反馈至中国电机工程学会标准执行办公空（地址：北京市西城区白广路二条1号，100761.网址：http：/,邮箱：CSCCbZgcSee.or*.cu）.高压直流气体绝缘装备用氮化硅基复相陶瓷材料支柱绝缘子技术规范1范围本文件规定了麻压口流气体绝线装备用氮化硅茶反相陶匏材料支柱绝缘子的技术要求、试验要求马方法以及运输、存放和安装规则.，本文件适用于电出等级为±100kV及以上的高质直流气体绝缘装备内部使用的氯化硅基亚相陶龙材料支柱绝缘子，支柱绝缘子形式包括单支柱、双支柱或三支柱，其他采用内部支柱支撑式维缘结构的高压电力设备，例如气体绝缘输电践路(GaSInsu1.atedTransmission1.ine.GID等的内部氮化晟基处相陶在材料支柱绝缘子切参照此文件执行。2战范性引用文件下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成对于本文件必不可少的条款。其中，注口期的引用文件，仪该日期时应的版本适用于本文件：不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件.GB?T156标准电压GBT772-20()5高压绝缘了醛件技术条件GBT2423.IO环境试验第2部分：试紧方法试抬Fc:振动(正弦)GBT2900.1-2008电工术语基本术语GB.T29(X).5-2013电工术谙绝缘固体、液体和气体GBr29(X).8-2009电工术谱绝缘子GBT41()9交流电压高于100OV的绝缘套管GBF2998-2015定形-热耐火制M体积密度和六'I孔率试验方法GBrr5593-2015电子元器件结构间施材料GB.T7354-2018局部放电测限GB.T8287.2-2008标称电压高于IO(X)V系统用户内和户外支柱绝缘干第2部分：尺寸与特性D1.T593海压开关设备和控制设备标准的公用技术要求3术语和定义GBT2900.hGB，T2900.5、GB,T2900.8界定的以及下列术语和定义适用于本文件。3.1SI化i基复相幽饶si1.iconnitridebasedcompIexphaseceramics由SiN为基体的陶兖材料，包括纯SiN陶宛材料以及以Si风为基体的多利阳院材料，添加相主要包括陶建材料添加相、碳材料添加相和金属材料添加相.3.2电化硅基复相陶溢支柱绝绿子speciaIceramicsupportinsu1.ator由氯化硅基复相陶谎材料构成的阳及支柱、金属组件等祖成.该支柱绝缘r对气体绝缘装备内部而、低压金旗结构间起支撑与绝缘作用,3. 3氯化ii星左相陶瓷支柱specia1.ceramicpiIIar级化硅基发相陶瓷支柱葩缘子结构中由氨化硅墙处相陶立绝缘材料制造的核心结构,位于高压端金属组件与低压端金属组件之间，是级化硅基复相陶谎支柱绝缘了中起绝缘、支找功能的主要结构.3. 4金属组件ponent金属组件是用于将缸化鼻基发相陶直支柱与而压导体、金属外壳间分别形成机械固定的金属结构，根据应用位置分为高压端金属组件与低压端金属组件，分别安装于缴化硅基复相陶直支柱两端.4技术要求3.1 额定直流电压氨化硅艰复相间究支柱绝缘子承受的额定直流电压等于所安装高压直流设备的系统以福电压，与GB.，T156表6中规定一致.包括±100kV及以上。4. 2额定直流电流DITT593-20164.4.1适用。4. 3额定绝缭水平氯化硅基处和陶虎支柱绝缘了的额定绝缘水平包括下列值：a）雷电冲击全波耐受电压b）操作冲击耐受电压c）工侦Imin短时耐受电压d）直流耐受电压e）在流极性反转电压4.4对于祯定直流电压为±500kV,±660kV,±800kV,±110OkV的典型高压直流输电设备，具内部安装的氨化成基复相随鎏支柱绝缘子绝缘水平应符合附录A的规定。机械强度氨化硅框红相间匏支柱绝缘子各个部位应能在高、低压端金属组件承受压、拉、弯曲、扭转载荷时耐受持续60s时间,机械强度试验值应符合附录B的规定。4. 5介质根耗因数（tan）妞化硅址复相陶陞支柱绝缘子的介质损耗因数（Ian6）在工频Ih长时耐受电压值下电压做下进行测辰，最大值应符合表1的规定。表1赳化硅基复相陶姿支柱绝缘子的介质损耗因数（匕畸）<20C）试检电压介庾因数轼BKtan8）试验方法工珈Ih长时耐受电压WoQ2参照GBT2423.10注：试验电压的根粼级化硅基亚加用瓷支柱绝缘子飘定电压确定4.6氨化Si基复相随鎏支柱绝缘子的局部放电氯化硅基夏相阳谎支柱绝缘广的局部放电仪应符合表2的规定.表2氮化硅质复相陶瓷支柱绝缘子的局部放电量最大值试验三金大局1»放电JiuPC）试验方法工须Ih氏时耐受电压o雷照GRT7354注，试收电压箱根据象化灶基乂相阳比支柱绝缘尸桢定电从碇定4.7表面及内部缺陷开口气孔率与直气孔率WO35%,且窑后外观检测无异常、敲击无开裂、超声波探伤检测结果波段无异常视为合格.5试脸要求与方法5.1一般要求氮化硅基复和阳兖支柱绝缘绝缘试胎、温度衙环实验时应垂直安装.5. 2试的分类出厂的每一只觎化硅基亚加南鹿支柱绝缘子应进行逐个试脸。新产品定型或正常产处修改结构、改变原材料及生产工艺时，应根据改变性质，进行产品型式试验的全部项H或部分项目试蛤，试胎用的氨化硅很复相阳在支柱绝缘子应与正常交货的氮化硅茶发相间匏支柱绝缘子相同,鞭式试脸应在通过逐个试蛤合格后的产品中随机抽取1只，按顺序进行试脸。试验时，如氮化硅基亚加陶克支柱绝缘子行不符合表中规定的任何一项要求时.则型式试验不合格.5. 2.1型式试脍型式试验项目包括：宜流干耐受电压试验（见6.1）工频干耐受电压试脸（见6.2） 长时间直流耐受电压试蕤（见6.3） 长时间工频耐受电压送脸（见6.4） Hi电冲击干耐受电压试5金（见65）机械破坏负荷试晚（见6.6）温度循环试验（见6.7）尺寸检查（见6.8）5.2.2逐个试毅逐个试验项目包括：一环境温度下介侦损耗因数（tan和电容量测量（见7.1） 耐电冲击干耐受电压试5金（见7.2） 工频干耐受电压试验（见7.3）局就放电吊测录（½7.4） 外观检查和尺寸检验（M1.7.5）特殊试验项目如下； 抗震试脸（见8.1）5.3绝缘和热试验时的赳化硅基复相陶姿支柱绝缭子条件在进行氨化硅基亚相陶爱支柱绝缘子的绝缘、机械和热试验时，必须完整地具备固定法兰或其他固定装置及在使用时需要的全部冏件.械化硅基复相陶克支柱绝缘干试物的安装布置通常应使其对周围的接地部件行足监的间距,以避免通过周围空气或浸入介痂对其直接闪络.在开始绝缘试验而，氮化硅基或相陶在支柱绝缘子应消治干燎，并与周困空气处于热平衡状态.6型式试联试验的次序或可能合并的项目由供方决定，但冲击耐受电压试的必须在工频干耐受电压试验（地8.3）之前进行。在型式试验系列之前和之后应测量介质损耗因数、电容量（见8.1）和局部放电量（见8.4）以桧查是否发生了损伤.型式试脸适用于所有高压直6气体绝缘设瞽中觎化硅基里相陶登支柱绝缘子.6.1 直流干耐受电压试验6.1.1 试蕤方法和要求网录A中规定了试验电压值选取,试粉进行5次。采用升压法,电压在Imin内线性地从零升到试舱电压值,试睑电压保持Imin.6.1.2 接收准则试脸时如没有出现闪络或击穿则认为氮化硅基发相陶瓷支柱葩缘子通过了试验.如氨化硅基亚相陶衣支柱绝娘子发生击穿,则认为级化硅基亚相附在支柱绝缘于没有通过本试脸.6.1.3 直流闪络电压若要求提供给信刖，经供需双方协议,可以测定筑化硅域复相陶瓷支柱绝缘子的干闪络电压，试脸时试脱电压从约为直流干耐电压的75%逐渐升高至闪络,每秒钟的升压速率均为该耐受电压的2%干闪络电压值时5次连续读数的究数平均值.6.2工频干耐受电压试验6.2.1试验方法和要求试验电压有效但参考附录A.试验进行5次.采用升压法，电压在Imin内线性地从零升到试验电压值,试验电压保持Imin.6.2.2接收准则试验时如没有出现闪络或击穿则认为氨化硅基复相陶谎支柱绝缘了通过了试验.如赳化硅基更相阳在支柱绝缘子发生击穿，则认为氮化硅嘱我相陶瓷支柱泡绿子没有通过本试验.若要求提供给信息，经供需双方协议，可以测定缸化建城复相陶建支柱绝缘子的干闪络电压，试验时试腕电压从约为工频干耐电压的75%逐渐升商至闪络，短杪钟的升压速率约为该耐受电压的2%,干闪络电J卡位时5次连续读数的簿数平均值.6. 3长时间直流耐受电压试验7. 3.1测谎方法和要求试验电J卡如图2所示.：升压至1.S5持续时间（八）为Smin,测鬓局部放电：一升压至S=UUC持续时间(B)为5min,测啾局部放电：升压至3=1JUDC持续时间<C)R1.min,测IIt局部放电：试验后平稳的降压至U2并持续一段时间,至少60min.每WjSmm记录一-次：降压至1.1.UQ持续时间(E)为Smin,测局部放电；电压降至零，果.6.3.2接收准则如果延化硅翦更相陶直支柱绝缘子没有发生囚络或击穿，并I1.局部放电旧没有超过IOPC.就认为氮化硅基复和附在支柱绝缘通过本次试验.6.4长时间工频耐受电压试验6.4.1测斌方法和要求试脸电J卡如图2所示：升压至1.1UM石持续时间(A为5min,测理局部放电：升压至S=Um持续时间(B)>j5min,测诉同部放电：升压至3=1JUe持续时间(C>R1.min,测IR局部放电：试5金后平检的降乐至U2并持续一段时间,至少60min试验时持续时间与试5全颇率无关,并每隔Smin记录一次：降压至1.1.UN/持续时间(E)为5min,冽*同部放电；电压降至零.果.6.4.2接收准则如果氨化硅翦更相陶瓷支柱绝缘子没有发生闪络或击穿，井且局部放电用没有超过IOPC，就认为奴化硅基复相陶克支柱绝缘子通过本次试验.6.5宙电冲击干耐受电压试验(BI1.)6. 5.1试验方法和要求氮化硅基复相陶克支柱绝缘子应逐次地经受：15次正极性全波雷电冲击：I次负极性全波雷电冲击，施加电压为额定甯电冲击耐受电压的110%：一5次负极性被波雷电冲击，施加电压为额定雷电冲击耐受电压的121%：14次负极性全波需电冲击，施加电压为懒定缶电冲击耐受电压的110%额定雷电冲击耐受电长位按附荥Aye定选取.极波奘捏的放电时间应在2s到6s间，改变极性后，允许在族加试验冲击前先施加几次较小幅伯的冲击.连续两次施加电压间的时间间隔应足师长，以避免前次施加电压的影响。6. 5.2接收准则氮化硅基坡相陶谎支柱绝缘于没彳I1.闪络则认为城化硅基或相加斐支柱绝缘子通过了本试验.7. 6机械破坏负荷试验8. 6.1一般要求机械破坏负荷试验用来测定循化硅基廷相阳优支柱绝缘子承受弯曲、扭转、拉伸或压缩等机械负荷时的强度。氮化硅基里根阳直支柱葩缘子的机械强度试验包括1'列四项试脸中一项或几项：弯曲试5金：一拉伸试验：一扭转试验：压缩试蕤；除非供需双方另有协议，机械破坏负荷试粉指泻曲试脸，6.6.2安装布置氨化珪基发相陶疣支柱绝缘子应安装在一个固定的刚性底座或支架上，底座或支架应饱受试验负荷.并且无可见变形.型式试验和逐个试验应采用相同强衣的连接鳏柱.如果连接螺检可拆即，进行1.化睢基夏和阳谎支柱绝缘子破坏负荷试验时，可增大这些部件的强度.6.6.3负荷施加方式负荷应从不大于规定机械破坏负荷的50%开始施加,并且逐步升高至规定机械破坏负荷.为了获取更多信息,当有特别要求时.负荷应升高至实际机械破坏负荷.并记录该负荷值.注：负荷先迅速平稳地从零升至约定机械破坏负荷的50%,然后以每分钟该负荷（ft35%-100%的速度升至规定或坏负荷或实际俄坏负荷（当有要求时），6.6.4弯曲武联6.6.4.1试蕤程序验证GB.T828722008中规定的机械破坏负荷限A,诚尸汕以及顶部金附件处的弯地M（当有要求时，应使假化硅基更相陶瓷支柱绝缘子或叔化硅翦发相陶直支柱葩缘子元件承受与曲鱼荷，若每一元件在支柱绝摩f上的位置均能确定.试5金可在整支支柱绝缘子上或各单个元件上进行.如果整支触化硅基笈相加费支柱绝缘子的不同位置使用同一种元件，则应对每一个单个元件都进行试验。负荷施加方向应通过并班身干象化珪基奴相陶瓷支柱绝缘子的轴线.6. 6.4.2整支氮化成基亚相陶流支柱绝域子下列条件适用于整支融化硅基复相陶兖支柱绝缘干试验：负荷尸”监证应施加负荷到缸化硅基灾相圈在支柱绝缘f的自由端：负荷P-或外,验证应施加负荷到延伸杆上，负荷族加点分别位于氨化硅艇或相陶遵支柱绝缘子顶部前面以上SOmm处：6.6.4.3元件测试当试5金单个元件时.如果需要.应按照以下条件采用延伸杆试验.使负荷可以施加到它的顶面：当规定的负荷时负荷几时，延伸杆的尺度应等于被代替的一个或爹个元件的高度：当规定仪荷是负荷凡时，延伸杆应彳i适行长度以模拟负荷施加到完整氯化硅基红相阳爬支柱绝缘子顶部衣面以上50mm处：6.6.4.4顶部金属组件试验当进行顶部金属组件处弯矩M5证试验时，则应在乳化硅基复相阳在支柱绝缘子加装延伸杆，使产生的弯矩达到GBa8287.2-2008,驾矩M的标准伯为：Af=Q5PM倘若要求乳化硅基亚相陶爱支柱绝缘子的强度从顶部金国附件处的A/到底部处的PJt线性增长，则应在仃货时经供需双方协议.6.6.5扭矩试物试验时氟化硅基亚相陶瓷支柱绝缘子承受扭折负荷时应避免承受fE何弯如，氮化珪荔发相陶立支柱绝缘子的扭转屈度可以用单个1.化硅基电相闻和支柱绝缘广元件试验.试验时如果氯化硅基笈和陶谎支柱绝缘子由多种元件构成，选择强度显低的种元件试验，6.6.6拉伸试驶试验时氮化硅基及相陶於支柱绝缘子应沿其轴戏承受拉伸次荷，氮化硅夔或相陶瓷支柱绝缘子的拉伸强度可以用单个抵化硅域或相陶立支柱绝缘子元件试脸，试验时如果氮化桂基夏相陶瓷支柱绝缘子由多种元件构成,选择强度最低的一种元件试5金.6.6.7压缩试蕤试粉时缸化硅基发相陶瓷支柱绝缘子应沿其轴线承受拉伸仇荷，二元件氮化珪基更相陶宏支柱绝漫子的质缩强度可以用单个觎化硅基亚相陶衣支柱绝子元件试验,试验时如果如化硅基复相阳鹿支柱绝缘于由多种元件构成,选择强度最低的一种元件试验.较长的赳化硅基复相网直支柱绝缘子压缩试验时可能失稳，SJ要用整支缸化硅基配相陶立支柱绝缘子试验，6.6.8接受准则若试验时达到规定机械破坏负荷，则氮化硅基复相陶宛支柱绝缘了通过本次试5.6.7温度循环试验6.7.1一般要求a）本试验于机械破坏负荷试聆的单独在城化硅基亚相陶亮支柱绝缘于元件上进行.b）试粉容器中水量应该足够多，以保证氮化畦第相陶施支柱绝峰子浸入时水温变化不超过±5K.c）乳化硅基复相陶宛支柱绝缘于在热水浴中或在其之间转运时可以使用中间容渊.这种容器应为金属网篮，热容量低，水能够自由进出.6. 7.2适用于氯化硅基复相陶瓷支柱绝缘子的试验试验用热水浴和冷水浴的器并为50K.将具行完整金属附件的觎化硅基复相陶衣支柱绝娘子迅速完全浸入热水浴中，保持时间（I5+0.7m）min,但最长为30min,式中m是氯化硅基复和陶宛支柱绝缭子的顺量，单位kg,然后将其取出并迅速完全浸没在冷水浴中，保持时间和在热水浴中的相同。此热冷的循环应连续进行3次,中间转运时间应尽可能短,并不超过Imin。三个循环完成后，应检查细化硅基复相阳在支柱绝缘F有无开裂或其他损坏.7. 7.3接受准则如果没有开裂或机械般坏，则氮化硅基更相阳兖支柱绝缘干通过本次试验。8. 8尺寸检查所有高压直流气体绝缘设在中翅化硅务独相陶瓷支柱绝缘子进行该项试验，试缝应按照GBT7722005中4.1进行。8.9 表面及内部缺陷窗后外观检测和融击：氨化硅花红相陶瓷支柱出窑后，立即进行外观检测，外观检测合格后，时氮化珪基处相陶施支柱的两端圆柱外侧部位各呈90度角处进行融击，融击时枭用木机，凝击面设置垫片，每个点位敲击2次.无开裂等现象视为合格.超向波探伤检测：利用水做稿合剂对两珀切割完毕的氯化硅基复和阳谎支柱进行探测，视察渊面的波段变化，根据超声波探伤操作要求，波段无异常即为翅化硅菸配相随/支柱合格,枭用抽真空法测试开口气孔率，从制符的氮化珪基发相阳直支柱测试件的上端、中端、下端三个部位的中间位置取样.制备成IX1.XICm'的试块.通过抽其空浸水的办法,称量重量的变化从而计算开口气几率，般缸化硅基复相陶左支柱的开口气孔率要求WO35%,口气孔率测试按照GBn'2998-2015执行，一微焚化硅基史相陶逊支柱的口气孔率要求WO.35%。7逐个试脸逐个试检适用于所有高压直流气体绝缘设备中氯化硅基发相陶疣支柱绝缘子。8.10 境温度下介质损耗因数(tan)和电容的测量8.10.1 蕤方法和要求试粉时效化硅基坡相陶瓷支柱葩缘子应在0'C到80C的环境温度下用西林电桥或其它适宜设备进行，一应在10kV、1.0SUJ石、1.5U16和UI1.1.电压下进行。8.10.2 收准则TanS的最大允许值列于我I,如测得的值不能通过，允许等待Ih后呼:复该试验.测盘期间的环境温度应记录在报告中。7. 2雷电冲击干耐受电压试验(BI1.)9. 2.1试验方法和要求试缝应按GBjT4109中9.2.2进行。氮化徒基发相陶瓷支柱绝缘子应逐次经受： 施加懒足耐受值的10S%的1次负极性全波缶电冲击； 施加额定耐受值的115%的2次负极性裁波宙电冲击：施加额定耐受值的105%的2次负极性全波留电冲击。 额定雷电冲击耐受电压值按附录A规定选取.7. 2.2接收准则如果符合GBn'4109中9.23规定，则认为氨化硅基笈相陶瓷支柱葩缘子通过试脸.8. 3工频干耐受电压试验9. 3.1试除方法和要求试验电压如下所示：升压至I.IU13持续时间为5min；升压至Uj=1.5U3持续时间为5min：升压至U=Um持续时间为Imm：一试髓后平稳的降东至U2=15U15并持续一段时间,至少60min试脸时持续时间与试验嫉率无关，在降压过程中要检测局部放电,并每隔Smin记录一次：降压至I.1UJ持续时间(E)为Smin,测玳局部放电：电压降至零.7. 3.2接收准则试龄时如没有出现闪络或击穿则认为氯化硅基级相陶瓷支柱葩缘子通过了试验,如发生击穿，则认为氯化硅基坡和陶谎支柱绝缘于没有通过本试验.8. 4局部放电量的测量9. 4.1试骏方法和要求本试验应按GB,T7354进行，除非另有规定，应适当选择试验回路的元件，使其能测盘回路上的背景噪音和灵敏度，能检出IOpC局部放电量或规定值的20%,取其中较大值,此测应在工频干耐受电压试脸后进行。7. 4.2接收准则如果氨化硅册复相间究支柱绝缘子没有发生闪络或击穿，并且局部放电量没有囿过IOPC.就认为特林陶直支柱绝缘子通过本次试脸.8. 5外观检查和尺寸检验所有高压直流气体绝缘设在中翅化硅务独相陶瓷支柱绝缘子进行该项试验，试缝应按照GBT772-25'1.*4.1进行。9. 特殊试脸特殊试检适用于所有高压直流气体绝缘设备中氯化硅基发相陶疣支柱绝缘子。9.1 机械杭震试验9.1.1 试毅方法和要求将氯化硅基发相陶究支柱绝缘子安装至高压H流气体绝峰设笛中，按照GB50260条取地於模拟振动台对设备进行抗熊试验.设备应按照运行条件进行安装.任何仅用于试脸的固定或者连接设箱不应影响设备的动力性能.采用水平和竖向双向同时怆入波形进行验证试验.9运输、存放和安装规则级化硅基复和陶谎支柱绝缘了的运输、存放、安装、运行都应按照供方提供的说明书来执行.因此，供货商应提供氨化硅明复相陶瓷支柱绝缘子的运输、存放、安装和运行的说明书。运输和存放的说明书应在供货之前提供，而安装和运行说明HJ迟应在供货时提供,供货商提供的说明书必须包含以下给出的重要信息.9.1 运输、存放和安奘要求氮化珪基史相陶究支柱绝缘子在运输、储存和安装过程中对绝缘的保护应采取专门措施.应防止产品受潮，例如要防止雨水、积生和凝露.储存场地空气湿度应不大于60%.应当考虑运输过程中的愚动.对运箱包装果取缓冲措施.运输时氮化徒基复相网在支柱绝缘于加速度控制在不大于3g。9.2 拆装与吊装提供安全拆装和吊装所必需的信息,包括详细的吊装步咪和必要的设备。在触化硅基亚相陶谎支柱绝缘子运抵目的地后，安装前应按供方提供的说明书检验消楚.9.3 现场安装制造商提供的药种类型氮化硅基相陶立支柱绝缘子的说明竹都应至少包括以卜内容,安装有默化硅基红相附在支柱绝摩子的气体穿墙套管示例参考附录C. 赳化硅基复和陶费支柱绝缘子的曳叔： 氮化硅法复相间连支柱绝缘子的几何结构； 飒化硅基夏相闲及支柱绝缘子与金属组件安装图纸.15附录A直流装备用氮化成基复相陶浇支柱给缭子的领定绝缘水平对于额定直流也压为±500kV±660kV.±8(M)kV.±I100kV的典型高压直流输电设备,其内剖安装的氯化硅葩现相陶究支柱绝缘子葩缘水平应符合表A.1.的规定。议各Ai瑞电IKkV±500±660±800±1100领定持续H流电“kV±515士6«0±816±1122缶电冲击全波耐殳电Ik<n«)kV1550180019502420悌作冲击耐受电垢(*(ff)kV13001639ISOO2100工频IInin树时耐受电儿(有效的)kV7408579301273工领IhK时耐受电Ih(有效tfkV547722866H90比流长时耐殳电依他极性kV773102012241683直淹极性反转电压kV64485010201403附录B氯化成基复相陶姿支柱绝缘子机械强度技术指标特种氨化硅基发相支柱绝缘子机械强度试龄值应符合表B.I的规定。表AI特种陶瓷支柱绝掾子应满足的机械强度技术指标机械强度测试项H规定值试验方法抗拉强度21OkN见676抗庆强收学IokN见6.27抗四强度2kN见6.7.4抗扭强度MN见6.75抗振性能运输、运行中可能出现的依大受力（厂东捱供）参照GBJT2423.1。附录C含有氨化硅基复相陶瓷支柱绝缭子的气体穿墙套管示例某换流站含有赳化硅基复相阳费支柱绝缘f的SFt1.气体穿墙套笆结构示意图如图C1.所示，主要结构为珪橡胶笈台外食、屏蔽筒、连按套筒和法兰、SR1气体、高压我波导电杆和赳化硅域立相陶立支柱绝缘子/rTH-FT一tUII*HNJ1.*»9taw<H图C1.含有氮化睢基复相陶兖支柱绝缘子的气体穿墙套管结构示意图