2019年电磁炉维修讲解.ppt
电磁炉维修讲解,江胜孙 07-06-01,一、电磁炉的加热原理 二、电磁炉的组装结构图 三、电磁炉关键器件的作用 四、电磁炉几大电路简单分析 五、电磁炉的故障和排除,目 录,电磁炉的加热原理,电磁炉是通过电磁感应涡流加热原理进行工作的。是将220V交流电通过整流滤波成直流电，在将直流逆变成高频交流电，高频电流通过感应线圈产生交变磁场，当磁力线通过铁质锅底时产生无数个小涡流,从而使锅体本身高速发热达到用户使用的需要.,2019/5/24,电磁炉的组装结构图,底壳,风机,电源板,电源线,灯板,上盖组件,发热盘,传感器组件,电磁炉关键器件的作用,桥堆:整流桥整流桥，220V的电源，2000W内的，一般使用15A，2000W以上的,一般使用25A,600V规格，各品牌均可通用，目前市场上有很多种品牌，质量较好的有日本新电源，那些质量较差的，主要表现在耐压较差，或外表粗糙、不平、有凸起现象，在装配时，若不注意螺丝批的力度，就很容易使整流桥打裂。整流桥是微发热器件。,整流桥,IGBT现在工厂用的基本上是复合管,型号有:FGA25N120、FGA15N120 、K25T120等.以前用过一段时间的单管,如SGW15/25N120,这个管子装时需要加一个阻尼管.现在在俗泊尔生产的产品上,三个厂家的机器在大致相同工作电流下各品牌一般都可通用，2000W以下一般使用额定电流在2025A的IGBT管。 IGBT管在工作过程中会发热，应加散热片进行散热。在装配过程中应均匀涂抹散热硅脂，并紧接触散热片进行安装。 IGBT是高阻抗器件，对静电特敏感。,IGBT,保险管,保险管也叫熔断丝,现在常用的有12A、12.5A、15A、16A等当电路发生变化,如电流过大.保险管就自动熔断起到保护后级电路的作用,谐振电容是指电磁炉电控板上与线盘相并联的高压电容，电容范围为0.150.4Uf/1200V，比较好的品牌有顺德的创格、百明，听说达华的也不错。 一般情况下，在同一规格线盘下，容值越大的，电磁炉工作中心频率就越低，430材质锅具功率就越易上来。但对304材质锅具的，就会使在最小连续档温升变大。 此电容在工作中需承受超过1000VDC的电压，且会发热，如果耐温耐压不过关，则在工作过程中极易损坏。,谐振电容,电磁炉电控板上在交流进线处一般放置一2Uf/275VAC的CBB电容，起滤波作用，在整流桥、扼流圈后面放置410Uf/275VAC的CBB电容，起直流平波作用，类似水桶原理，使后级的线盘，IGBT工作电流尽量平滑。,平波、滤波电容,在整流桥后级，主要起两个作用，一将外界来的干扰挡住门外，二将IGBT、线盘工作时自产生的干扰关在门内，不让给跑出到市电上，从而影响其它电器工作。自身会发热，当线径小于额定电流所需时，后磁芯质量太差，或破裂或磁饱和，均会使温升增加。一般耐温130200度。如若出现绕线匝间短路，在工作中会使短路的绕线烧黑。,扼流圈,电流互感器，起电流检测的作用，用于整机的功率控制。此器件主要是次极绕线容易断线，易容易引起整机功率波动、检不到锅，功率异常等故障。,电流互感器,2019/5/24,图 02.03 三极管的三种组态,高压取样电阻,用于电压、IGBT工作波形的检测，由于工作在高压，大电流甚至高频的工作环境中，所以售后故障率较高。是不检锅、无功率输出、误报警的主要故障原因。故障主要表现为变值、开路。,散热器,散热片用于IGBT、整流桥发热器件的降温。,高频变压器,电源转换器件，如损坏，会使5V、18V等电压没有或偏差太大,2019/5/24,快速反应二极管,主要用于开关电源中，主要特性为工作频率高，开关导通速度快，由于有些此管与1N4007外表像，使得两种容易混料、错插件，造成故障主要有无电压输出，或工作一段时间后器件损坏。一般反应速度越快的管，管的PN结压降越小。,主芯片,用于电磁炉功能控制，类似人的大脑功能。用于电磁炉的主要有东芝、三星、HOLTEK、义隆，现代等品牌。如损坏，主要会引起的故障为无功率输出、锅拿走依然有功率、乱显示、死机、炸机等。 注:在换芯片时需注意有方向的,缺口处对着缺口处装,从缺口处逆时针方向转,第一脚为1脚,依次为2/3/4.脚,显示芯片74HC164,主要用于数码管类的电磁炉显示，是一移位送数寄存控制器。如若损坏，表现为乱显示、暗亮、按键操作失灵等。,18V、5V,18V主要用于 IGBT管的驱动、339的工作电源、风扇的电源。18V电源高于20V时，会超过IGBT管的使用电压范围，会使风扇转速加快，噪因增加，电压过低，又会使IGBT管驱动不够，风扇转速不够。 5V主要用于主芯片的工作电源，比较器的电压基准。电压偏高时，会使高压保护电压偏高，430锅功率偏大，IGBT管反压点抬高。电压偏低时，就会使高压保护电压偏低，430锅功率容易上不去，IGBT反压点降低。,电阻的认识,电阻分插件电阻和贴片电阻: 根据材质不同分为:水泥电阻 绕线电阻 金属氧化膜电阻 金属膜电阻 根据性质不同分为:可调电阻 热敏电阻 压敏电阻 滑动电阻 排阻 高压无感缓冲电阻 电阻单位：(欧姆)，用英文表示： 1000000(欧姆)=1000千欧（K）=1M欧（M） 电阻的作用:限压与分流作用. 一、插件电阻是以色环来识别的,电阻的色环顺序,1 2 3“4” 5,(精密电阻1,2,3道色环是它的有效数字),1,2,3,4,5,(普通电阻1,2道色环是它的有效数字),普通电阻 3道色环是它的阻值,精密电阻4道色环是它的阻值,举例:如普通电阻 红 红 红 金 那么个位是2 十位是2 再加上他的倍数乘以他的10/2字方,最后一位那么就是他的误差值,即:2200欧姆等于2.2K欧 红 绿 黄 银 那么个位是2 十位是5 再加上他的倍数乘以他的10/4字方,最后一位那么就是他的误差值,即:250000欧姆等于250K欧 精密电阻 棕 红 黑 黄 金 那么个位是1 十位是2 百位是0 再加上他的倍数乘以他的10/4字方,最后一位就是他的误差值,即:1200000欧姆等于1200K欧,2.1.5 半导体三极管的参数,半导体三极管的参数分为三大类: 直流参数 交流参数 极限参数,在放大区基本不变。在共发射极输出特性 曲线上，通过垂直于X轴的直线(vCE=const)来求 取IC / IB ，如图02.07所示。在IC较小时和IC较大 时， 会有所减小，这一关系见图02.08。,图02.08 值与IC的关系,图 02.07 在输出特性曲线上决定,2.共基极直流电流放大系数 =（ICICBO）/IEIC/IE 显然 与 之间有如下关系: = IC/IE= IB/1+ IB= /1+ ,极间反向电流 1.集电极基极间反向饱和电流ICBO ICBO的下标CB代表集电极和基极，O是 Open的字头，代表第三个电极E开路。它相当于 集电结的反向饱和电流。,2.集电极发射极间的反向饱和电流ICEO ICEO和ICBO有如下关系 ICEO=（1+ ）ICBO 相当基极开路时，集电极和发射极间的反向 饱和电流，即输出特性曲线IB=0那条曲线所对应 的Y坐标的数值。如图02.09所示。,图02.09 ICEO在输出特性曲线上的位置,(2)交流参数 交流电流放大系数 1.共发射极交流电流放大系数 =IC/IBvCE=const,在放大区 值基本不变，可在共射接法输出 特性曲线上，通过垂 直于X 轴的直线求取 IC/IB。或在图02. 08上通过求某一点的 斜率得到。具体方 法如图02.10所示。,图02.10 在输出特性曲线上求,2.共基极交流电流放大系数 =IC/IE VCB=const 当ICBO和ICEO很小时，、，可以不加区分。,特征频率fT 三极管的值不仅与工作电流有关，而且与 工作频率有关。由于结电容的影响，当信号频率增加时，三极管的将会下降。当下降到1时所对应的频率称为特征频率，用fT表示。,(3)极限参数 集电极最大允许电流ICM,如图02.08所示，当集电极电流增加时， 就 要下降，当值下降到线性放大区值的7030 时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许电 流ICM。至于值下降多少，不同型号的三极管， 不同的厂家的规定有 所差别。可见，当 ICICM时，并不表 示三极管会损坏。 图02.08 值与IC的关系,集电极最大允许功率损耗PCM,集电极电流通过集电结时所产生的功耗， PCM= ICVCBICVCE， 因发射结正偏，呈低阻，所以功耗主要集中 在集电结上。在计算时往往用VCE取代VCB。,反向击穿电压,反向击穿电压表示三极管电极间承受反向电 压的能力，其测试时的原理电路如图02.11所示。 图02.11 三极管击穿电压的测试电路,1.V(BR)CBO发射极开路时的集电结击穿电压。 下标BR代表击穿之意，是Breakdown的字头，CB 代表集电极和基极，O代表第三个电极E开路。,2.V(BR) EBO集电极开路时发射结的击穿电压。,3.V(BR)CEO基极开路时集电极和发射极间的 击穿电压。 对于V(BR)CER表示BE间接有电阻，V(BR)CES表示BE间是短路的。几个击穿电压在大小上有如下关系 V(BR)CBOV(BR)CESV(BR)CERV(BR)CEOV(BR) EBO,由PCM、 ICM和V(BR)CEO在输出特性曲线上可以确定过损耗区、过电流区和击穿区，见图02.12。 图02.12 输出特性曲线上的过损耗区和击穿区,2019/5/24,2.1.6 半导体三极管的型号,国家标准对半导体三极管的命名如下: 3 D G 110 B,第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、 C硅PNP管、D硅NPN管,第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、 G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管,用字母表示材料,用字母表示器件的种类,用数字表示同种器件型号的序号,用字母表示同一型号中的不同规格,三极管,2019/5/24,表02.01 双极型三极管的参数,注：*为 f,
