关于nor flash烧写失败的原因.doc

关于nor flash烧写失败的原因本文主要是关于nor flash烧写的相关介绍，并着重对nor flash烧写原理及应用进行了详尽的阐述。nor flashnor flash是现在市场上两种主要的非易失闪存技术之一。Intel于1988年首先开发出NOR Flash 技术，彻底改变了原先由EPROM（Erasable Programmable Read-Only-Memory电可编程序只读存储器）和EEPROM（电可擦只读存储器Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory）一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND Flash 结构，强调降低每比特的成本，有更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。NOR Flash 的特点是芯片内执行（XIP ，eXecute In Place），这样应用程序可以直接在Flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR 的传输效率很高，在14MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响到它的性能。NAND的结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于Flash的管理需要特殊的系统接口。通常读取NOR的速度比NAND稍快一些，而NAND的写入速度比NOR快很多，在设计中应该考虑这些情况。ARM嵌入式Linux系统开发从入门到精通 李亚峰 欧文盛 等编著 清华大学出版社 P52 注释 API Key性能比较flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。由于擦除NOR器件时是以64128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以832KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NAND之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作（尤其是更新小文件时），更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。l 、NOR的读速度比NAND稍快一些。2、 NAND的写入速度比NOR快很多。3 、NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。4 、大多数写入操作需要先进行擦除操作。5 、NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。此外，NAND的实际应用方式要比NOR复杂的多。NOR可以直接使用，并可在上面直接运行代码；而NAND需要I/O接口，因此使用时需要驱动程序。不过当今流行的操作系统对NAND结构的Flash都有支持。此外，Linux内核也提供了对NAND结构的Flash的支持。详解NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。像“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。NOR的特点是芯片内执行（XIP， eXecute In Place），这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在14MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理需要特殊的系统接口。接口差别NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。容量成本NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，由于生产过程更为简单，NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。NOR flash占据了容量为116MB闪存市场的大部分，而NAND flash只是用在8128MB的产品当中，这也说明NOR主要应用在代码存储介质中，NAND适合于数据存储，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC（多媒体存储卡Multi Media Card）存储卡市场上所占份额最大。可靠耐用采用flash介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF（平均故障间隔时间Mean Time Between Failures）的系统来说，Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命（耐用性）、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。寿命（耐用性）在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺寸为NOR器件的八分之一，每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。位交换所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下（很少见，NAND发生的次数要比NOR多），一个比特位会发生反转或被报告反转了。一位的变化可能不很明显，但是如果发生在一个关键文件上，这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题，多读几次就可能解决了。当然，如果这个位真的改变了，就必须采用错误探测/错误更正（EDC/ECC）算法。位反转的问题更多见于NAND闪存，NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候，同时使用EDC/ECC算法。这个问题对于用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然，如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时，必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。关于nor flash烧写失败的原因最近在看国嵌的教学视频，在国嵌体验入门班-2-1（开发板系统安装-Jlink方式）一集中，直接烧写nor flash，不进行任何配置的方法，能够成功纯属偶然！在视频中烧写时也出现了两次错误。我的开发板是mini2440，如果是其它类型，也可以根据具体情况参考。一、解决方案一1、在网上搜索S3C2440 JLink配置文件下载。2、点击file - open project，选中下载好的初始化工程文件。3、点击option - project settings选择Flash，点击select flash device。选中开发板对应的nor flash芯片型号，我的板子采用得是SST39VF1601 ，这里我选择SST39VF1601。具体情况参考用户手册可以查找到Nor Flash芯片型号。设置好前面这些之后，就可以进行下面的烧写工作了，通过这种方式一次烧写成功。二、解决方案二1、选择Options - Project Settings - CPU - Use following init sequence：中，默认只有一行：0 reset 0 0ms reset and Halt target然后选中该行，点击Edit，修改Delay为2ms，确定即可。三、解决方案三1、点击options-project settings-CPU，选择Use following init sequence 中的Action，把 Reset 改成 Halt 也可以。但是建议大家最好使用第一种方案。NOR Flash 烧写原理在对FLASH进行写操作的时候，每个BIT可以通过编程由1变为0，但不可以有0修改为1。为了保证写操作的正确性，在执行写操作前，都要执行擦除操作。擦除操作会把FLASH的一个SECTOR，一个BANK或是整片FLASH 的值全修改为0xFF。在写的时候要注意每个页、扇区、块的边界问题。对Flash读写操作流程（W25Q64为例）;1：定义以一个数组（全局变量），大小为最小擦除缓存，用来对将要擦除区域数据的备份：；u8 SPI_FLASH_BUF4096。2：定义3个变量用来保存扇区编号、扇区偏移地址、扇区剩余地址；secpos=WriteAddr/4096;secoff=WriteAddr%4096;secremain=4096-secoff;/剩余地址3：判断将要写入Flash的数据容量大小，数据容量小于剩余地址数，表示可以将所有数据写入Flash，而没有扇区边界问题；如果超过地址数则要在数据容量的边界位置做个记号。if（NumByteToWrite=secremain）secremain=NumByteToWrite;/判断4：将数据要写入那个扇区的所有数据读出，放到缓存中。5：从扇区偏移地址起，检验即将要写入的扇区，存储的旧数据是否都为1，否就将整个扇区擦除，使之全变成1.6：以扇区边界为限，将要写入的数据从扇区偏移地址起存到缓存区。7：将缓存区的数据全部写入扇区（写的时候还要判断页边界的问题，思路和写扇区差不多）。8：判断数据是否全部写入，（如果要写入的数据容量超过剩余地址，则扇区编号加1；偏移地址清零；数据容量减去之前剩余地址数；修改数据容量的地址，把已经写入的数据过滤掉；修改即将要写入存储单元的地址）9：返回第4步。结语关于nor flash烧写的相关介绍就到这了，如有不足之处欢迎指正。相关阅读推荐：NAND flash和NOR flash的区别详解相关阅读推荐：详细剖析NorFlash和NandFlash的区别