[电子标准]-SJT 10082-1991 电子元器件详细规范 半导体集成电路CT54195／CT74195型4位移位寄存器 (并行存取,J-K输入).pdf

L - i 中华人民共和国电子工业行业标准 S J / T 1 0 0 4 2 1 0 0 4 8 -9 1 S J / T 1 0 0 7 8. 1 0 0 8 6 -9 1 电子元器件详细规范 半导体集成电路T T L电路 ( 一 ) 1 9 9 1 一 0 4 - 0 8 发布1 9 9 1 一 0 7 - 0 1 实施 中华人民共和国机械电子工业部发布 中 华 人 民 共 和 国 电 子 工 业 行 业 标 准 电子元器件详细规范 半导体集成电路C T 5 4 1 9 5 / C T 7 4 1 9 5 型 4位移位寄存器( 并行存取， J 一K输人) S J / T 1 0 0 8 2 -9 1 De t a i l s p e c i f i c a t i o n f o r e le c t r o n i c c o mp o n e n t s S e mi c o n d u c t o r i n t e g r a t e d C T 5 4 1 9 5 / C T 7 4 1 9 5 4 - b i t p a r a l l e l - a c c e s s ci r c u i t s h i f t r e g i s t e r 本规范规定了半导体集成电路 C T5 4 1 9 5 / C T 7 4 1 9 5 型 4位移位寄存器( 并行存取， J - - K 输入) 质量评定的全部内容。 本标准符合G B 4 5 8 9 . 1 ( 半导体器件分立器件和集成电路总规范分 和 G B / T 1 2 7 5 0 a 半导 体集成电路分规范( 不包括混合电路) 的要求 4 3 华人民共和ig F i,i A电子工业部 1 9 9 1 一 0 4 - 0 8批 准1 9 9 1 - 0 7 - 0 1实施 1 60 S J / T 1 0 0 8 2 -9 1 中华人民共和国机械电子工业部 评定器件质t的依据: G B 4 5 8 9 . 1 半导体器件分立器件和 集成电路总规范 G B / T 1 2 7 5 0 半导体集成 电路分规范 ( 不包括混合电路) S J / T 1 0 0 8 2 -9 1 C T 5 4 1 9 5 / C T 7 4 1 9 5 型4 位移位寄存器( 并行存取， J 一 K输入) 详细规范 订货资料: 见本规范第 7 章。 机械说 明简要说明 外形依据: G B 7 0 9 2 半导体集成电 路外形尺寸 。 外形 图: GB 7 0 9 2 D型 5 . 3条及 5 . 3 ， 1条 J型 5 . 4条及 5 . 4 . 1条 P型5 . 5 条及 5 . 5 . 1 条 F型5 . 1 条及 5 . 1 . 1 条 双极型寄年器 半导体材料: 硅 封装: 空封、 非空封 逻辑图、 功能表见本规范第 1 1 章。 品种 : 引出端 排列 : 贬 厂。|233P QQQQ一QC CR 1 K D a Di D2 Dn G N n vim 0- 7 0 ( C) 一 5 5- -1 2 51 0 ( M ) 陶瓷直插( D) CT5 4 1 9 5 MD 黑瓷直插( J ) CT7 4 1 9 5 C J C T5 4 1 9 5 MJ 塑料直插( P ) CT7 4 1 9 5 CP 多层陶瓷扁平( F ) C T5 4 1 9 5 MF S H / L D 引出端符号名称见本规范1 1 . 5 条。 标志: 按 G B 4 5 8 9 . 1 第 2 . 5 条及本 规范第 s 章。 质量评定类别 ，A.，B.，c 1 61 S J / T 1 0 0 8 2 -9 1 4 极限值( 绝对.大颇定值) 若无其他规定， 适用于全工作温度范围。 条款号参数符 号 数值 单位 最小最大 4 . 1 工作环境温度 5 4 Te mb 一 5 51 2 5 7 407 0 4. 2 贮存温度T. i g 一 6 51 5 0 4. 3 电薄电压 Vc c7v 4. 4 输人电压 V5 . 5v 4. 5 多发射极晶体管 输入端间的电压 v n5 . 5v 5 电工作条件和电特性 电特性的检验要求见本规范第 8章。 5 . 1 电工作条件 若无其他规定， 适用于全工作沮度范围。 条款号 参数符 号 数值 单位 最小最大 5 . 1 . 1 电源电压 5 4 v+ 4 . 55 . 5 v 4 . 7 55 . 2 57 4 5 . 1 . 2 输入高电平电压V. . 2v 5 . 1 . 3输入低电平电压v0 . 8 v 5 . 1 . 4输出高电平电流l u一 8 0 0 F A 5 . 1 . 5输出低电平电流I' L1 6. A 5 . 1 . 6脉冲宽度 CY t w 1 6 n s 1 2CR 5 . 1 . 7建立时间 SH/ LD 1 - 2 5 nSJ . R, D2 0 2 5CR 5 .1 .8保持时间Dt 日0n S 5 . 2 电特性 若无其他规定， 适用于全工作温度范围。 1 62 S J / T 1 0 0 8 2 -9 1 条献号特 性 和 条 件 ，符号 规 范 值 单 位试 验 最 小最 大 5 . 2 . 1 输出高电平电压 V -=最小V ,H =2 V V 二 二0 . 8 V l a , =一8 0 0 1A Vo “2 . 4 VA3 5 . 2 . 2 翰出低电平电压 V 二二最小Vix =2 V Va=0 . 8 V I O C . =1 6 mA V- 0 . 4VA 3 5 . 2 . 3 输入钳位电压 V -=最小l , 二一1 2 .A V. 一 1 5VA 3 5 . 2 . 4 输入高电平电流 V 二二最大Vm=2 . 4 V 1 1 .4 0 尸 A A 3 5 . 2 . 5 输入低电平电流 V 二二最大V, 二。 . 4 V 1 “一 1 . 6m AA3 5 . 2 . 6 最大输入电压下的输入电流 V 二二最大V , 二5 . 5 V i t 1- AA 3 5 . 2 . 7 输出短路电流 V -=最大 5 4 1 . 一 2 0一 5 7 . AA 3 一 1 8一 577 4 5 . 2 . 8 电源电流 V a c =最大S H/ L D接地 J , K, D接4 . 5 V其他翰入端接地 输出端开路 I -6 3m AA 3 5 . 2 . 9 最高工作频率 Cc =1 5 pF Rc =4 0 0 Q V-=5 V T. .b =2 5' C f - 3 0M H zA 4 5 . 2 . 1 0 传输时间 Cc =1 5 p F R c =4 0 0 1 1 Te mb= 2 5'C V- =5 V C F - - Q, Q A -2 2 里】 5A 4t -2 6 CR-Q t -3 0 注: 1 ) V 。为最小或最大. 按本规范第 5 . 1 . 1 条。 6 标志 器件上的标志示例: 认证合格帐窟 括用时， 口 3 1tk 4 f“ 1三下 仁O C T7 4 1 9 5 C P 8 9 1 6 M A 一 型号 质月评定类别 侧遭单位商标 1 63 S J / T 1 0 0 8 2 -9 1 若受器件尺寸限制时， 允许将“ 检验批识别代码” 、 “ 质盈评定类别” 标在器件背面. 了 订货资料 若无其他规定， 订购器件至少需要下列资料: 产品型号; b . 详细 规范编号; c . 质量评定类别; d . 其 他 。 a 试验余件和检验要求 抽样要求: 根据采用的质f评定类别， 参照G B / T 1 2 7 5 0 第9 章的有关规定. A组检验的抽样要求 分组 AQL l 类 .类 I LAQL I L AQL A 1I0 . 6 5 10 . 6 5 A2I0 . 1 1 0 . 1 A 3I0 . 1 5 I 0 . 1 5 人 3 aS 41 . 0S41 . 0 A3 bS 41 . 0S4 1 . 0 A 4S 41 . 0S4 1 . 0 B组、 C组和 D组检验的抽样要求 分组 L TPD . 类 .类 A BC B11 51 51 51 5 C12 02 02 02 0 C2 b1 51 51 51 5 C31 51 51 51 5 B4 C41 01 01 01 0 B5 C51 01 01 01 0 C62 02 02 020 C71 51 51 51 5 B8 C81 0571 0 C91 557i s 16 4 S J / T 1 0 0 9 2 - 9 1 续表 分组 LTPD I 类 ，类 AC Cl l2 0 2 02 0 2 0 B 2 1 2 01 01 01 5 C2 32 01 01 52 0 C2 42 0 1 01 5 2 0 D8 1 0573 0 A组逐批 全部试验均为非破坏性的( 见G B 4 5 8 9 . 1 第3 . 6 . 6 条) 检验或试脸引 用 标 准 条件 若无其他规定， T. b 二2 5 'C ( 见GB 4 5 8 9 . 1 第4 . 1 条) 检脸要求 规 范 值 A l分组 外部目检 GB 4 5 8 9 . 1. 4 . 2 . 1 . 1条 标志清晰， 表面无摄伤 和气孔 A 2分组 2 5 下的功能验证按本规范 5 . 2 . 1 条, 5 . 2 . 2条和 1 1 . 3条 按本规范5 . 2 . 1 条、 5 . 22 条和 H. 3 条 人3分组 2 5 下的静态特性GB 3 4 3 9 半导体集 成电路 T TL电路侧 试方法的基本原理 按本规范5 . 2 . 1 条至5 . 2 . 8 条和 1 0. 1条 按本规范 5 . 2 . 1 条至 5 · 2 . 8 条 M a 分组 最高工作温度下的 静态特性 G B 3 4 3 9 T,.进 本规范4 . 1 条规定的最大 值。条件: 同A3 分组一 同A 3分组 A3 b分组 最低工作盆度下 的 静态特性 CB3 4 3 9 am b 按本规范 4 . 1 条规定的最小 值.条件 同A 3分组同A3 分组 A4 分组 2 5 下的动态特性 GB 34 3 9 按本规范 5 . 2 . 9 条和 5 . 2 . 1 0 条按本规范 52 . ，条和 5 . 2 . 1 0条 1 6 5 s J / T 1 0 0 8 2 -9 1 B组逐批 标有( D) 的试验是破坏性的( 见G B 4 5 8 9 . 1 第 3 . 6 . 6 条) 枪验或试验引 用 标 准 条件 若无其他规定， T . a .b = 2 5 'C ( 见G B 4 5 8 9 . 1第4 . 1条) 检验要求 规 范 值 B 1 分组 尺寸GB 4 5 8 9 . 1, 4 . 2 . 2条及附录B 按本规范第 1 章 B 4 分组 可焊性 G B 4 5 9 0 ( 半导体集成电 路机械和气候试验方法 2 . 5 条 按方法b ( 擂焊法) 按 25 . 6 条 B S 分组 很度快速变化 a 空封器件 随后进行: 电侧t 密封: 细检汤 粗检涌 b .非空封和环氧 封的空封器件 随后进行: 外部目检 称态 湿热 电侧t GB 4 5 9 0 , 3 . 1 条 G B 4 5 9 0 , 3 . 1 1 条或 3 . 1 2 条 GB 4 5 9 0 . 3 . 1 3条 GB 4 5 9 0 , 3 . 1条 GB 4 5 8 9 . 1 . 4 - 2 . 1 . 1 条 GB 4 5 9 0 , 3 . 7 条 沮度按本规范 4 . 2 条规定 循环次数: 1 0 次 t 二5 m i n 同A2 , A3 分组恢复2 h 按规定 按规定 温度按本规范 4 . 2 条规定 循环次数: 1 0 次 t : 二5 m in 按规定 严格度A 时间 2 4 1, 同A2 , A3 分组 同 A 2 , A3 分组 同 AI分 组 A 2 , A3分组 B 8 分姐 电咐久性 ( 1 6 8 h) 最后 侧t ( 同人2 , A3和人 4 分组) GB 4 5 9 0 . 4 . 7 条7 '. . b 按本规范 4 . 1 条规定的 最大值， 其他按本规范 3 0 . 3 条 同A2 , A 3和A4 分组 同 2 , A3和 A 4分 组 B 2 1分组 高压热汽( D) ( 非空封器件) 最后测盆 ( 同人2 和 A3 分组) G B 4 5 9 0 , 4 . 5 条严 格度 C 时间: 2 4 6 同A2 和A3分组同A2 和A3分组 C R R L分组 就B 4 , B 5 , B 8 和B 2 1 分组提供计数检查结果。 1 66 一 s ! / T 1 0 0 8 2 - 9 1 C组 周期 标有( D ) 的试验是破坏性的( 见GB 4 5 8 9 . 1 第3 . 6 . 6 条) 检验或试验引 用 标 准 条件 若无其他规定. T . m b =2 5 C ( 见GB 4 5 8 9 . 1 第 4 . 1 条) 检验要求 规 范 值 C 1 分组 尺寸GB 4 5 8 9 . 1 . 4 . 2 . 2 条及 附录B 按本规范第 1 章 C2 b分组 最商和最低工作温 度下的动态特性 GB 3 4 3 9 温度按本规范4 . 1 条 同A 4分组 规范值为A4 分组最大 值的 1 . 5 倍， 最小值的 0 . 8 倍 C3 分组 引线强度 拉力( D ) 奄曲( D) GB 4 5 9 0. 2 . 1 条 G B 4 5 9 0 . 2 . 2 条 外加力的值按 2 . 1 条表 1 外加力的值按 2 . 2 条表 2 按2 . 1 . 5 条 无损伤 C 4分组 耐焊接热( D ) 最后侧t ( 同A3 分组) GB 4 5 9 0 . 2 . 6 条 按方法 1 ( 2 6 0 'C柑焊) 同 A 3分组同A3 分组 C 5分组， ， 温度快速变化( D ) ( 非空封和环载 封的空封器件) 随后进行 : 外部目检 稳态湿热 电侧t ( 同A3 分组) G B 4 5 9 0 . 3 . 1 条 G B 4 5 8 9 . 1 . 4 . 2 . 1 . 1条 G B 4 5 9 0 , 3 . 7条 TA=一6 5' C 7 ' x=1 5 0'C 循环次数 5 0 0 t , =5 min 严格度A 时间: 2 4 6 同A3 分组 同A1 分组 同A 3分组 C 6 分组1) 稳态加速度( D) ( 空封器件) 最后测里 ( 同A3 分组) GB 4 5 9 0 , 2 . 1 0 条加速度: 按规定 同 A3分组同 A 3分组 1 6 7 s J / T 1 0 0 8 2 -9 1 C组周期 ( 续 ) 检验或试验 引 用 标 准 条件 若无其他规定， T. m b = 2 5 C ( 见G B 4 5 8 9 . 1第4 . 1 条) 检验要求 规 范 值 C7 分组 称态很热( D ) 空封器件 b . 非空封器件 .后侧t ( 同A2 , A3 分组) G B 4 5 9 0 , 3 . 6条 G B 4 5 9 0 , 3 . 7条 严格度 D, 5 6 d 严格度 A. 时间1 0 0 0 h 同A2 , A3 分组同 A 2 , A3 分组 C8 分组 电耐久性( 1 0 0 0 1 ) 最后侧t ( 同B 8 分组) G B 4 5 9 0 , 4 . 7条 同 B8分组 同B 8分组同B 8分组 C9 分组 商温贮 存 最后 测t ( 同B 8 分组) G B 4 5 9 0 , 3 . 3条温度按T' ,y ( me x ) 时间: 1 0 0 0 1 同 B 8分组同B 8分组 Cl l 分组 标志耐久性G B 4 5 9 0 . 4 . 3条按方法 2 ， 溶液 A型按GB 4 5 9 0 . 4 . 3 . 2 条 C2 3 分组 抗溶性( D ) ( 非空封器件) G B 4 5 9 0 . 4 . 4条按GB 4 5 9 0 , 4 . 4 . 2 条按GB 4 5 9 0 . 4 . 4 . 2 条 C2 4 分组 易嫩性( D ) ( 非空封器件) G B . 4 5 9 0 . 4 . 1 条按GB 4 5 9 0 . 4 . 1 . 2 条按GB 4 5 9 0 , 4 . 1 . 2 条 C RR L分组 就C 2 b , C 3 , C 4 , C S , C 6 , C 7 , C 8 , C 9 , C l l , C 2 3 和C 2 4 分组提供计数检查结果. 注: 1 ) 连续三次通过后. 周期可放宽为一年一次 9 D组 D组检验应在鉴定批准之后立即开始进行， 其后每年进行一次。 1 68 s J / T 1 0 0 8 2 -9 1 检脸或试验引 用 标 准 条件 若无其他规定. T. . 6 =2 5 ' C ( 见G B 4 5 8 9 . 1第4 . 1 条) 检验要求 规 范 位 D 8分组 电附久性( D) 最后侧t ( 同B 8分组) G B 4 5 9 0第4 . 7 条 1 类 2 0 0 0 h ，类; 3 0 0 0 h 其他同B8 分组 同B 8分组同B 8分组 附加资料 1 0 . 2 静态特性的测量 静态特性的测量按G B 3 4 3 9 半导体集成电路 T T L电路测试方法的基本原理 。 动态特性的测量 nUlllU 嘴.月 2 . 1 动态特性的测食按G B 3 4 3 9 . 2 . 2负载线路 1010 vc。 侧试点 4 0 0 Q 接被侧物出端 币|占 16 9 s J / T 1 0 0 8 2 -s 1 1 0 . 3电耐久性试验线路 V 。 二3 V几 一l 0 0 k Hz f , =5 0 k Hz 几=2 5 k Hz V_=5 V R二4 0 0 f 1 4. 3 V I , 1 1 型号说明 1 1 . 1 逻辑符号 一1 70 S ) / T 1 0 0 8 2 -9 1 1 1 . 2逻辑图 SH / 而 1 1 . 3功能表 输入 E R- S H/ 面C P J R D o , D , D ,氏 Qo Q, Q, Q,西: L XXXXXXXX1 , L L L H H L个X I x d , d , d , d ,d e d , d , d , d , HH LXXX xXX Qoo Q, a Q, e %.瓦。 H H个L H X x X XQ. . Qo o Q。Q, .西， H H个L 1 . x x x xI . Qo o Q。Q, n Q, HHHXX西、 Q. Q。Q Q,. 1 71 S J / T 1 0 0 8 2 -9 1 1 1 . 4波形图 CP一cRJ一K SH/ L D 一， -一一一 -， 幻12301.， ODDOQQQQ 清除 1 1 . 5 引出端符号名称 送傲 引出端符号名称 CP 时钟输入端 CR 清除端( 低电平有效) D. - - D, 并行数据输入端 J 申行数据输入端 R 串行数据输入端 Q. -Q.输出端 Q, 互补输出端 S H/ LD 移位控制/ f入控制( 低电平有效) 1 72 s ) / T 1 0 0 8 2 -9 1 附录A 偏 选 ( 补充件 ) t 类器件: 生产厂自 行规定筛选条件。 ， 类器件: 筛选项目 和条件如下: 等级 A等级 B等级 C 内部目位 GB 4 5 9 0 4 . 6 条 高沮橄定 GB 4 5 9 0 3 . 3 条 1 5 0 ' C 1 9 6 h 沮度快速变化 GB 4 5 9 0 3 . 1 条. -6 5 -1 5 0 1 C, 1 0次 称态加速度， ， G B 4 5 9 0 2 . 1 0条 密封 ， G B 4 5 9 0 3 . 1 2条和 3 . 1 3 条 老化前电侧t 同A3 分组 别除不合格品 老化 GB 4 5 9 0 4 . 7 条， T. m b 最大、 2 4 0 h 老化后电测t 同A3 分组。 剧除不合格品。 若 不 台格 品率 大 于 5 0 0 , 则该批拒收， 注: 1 ) 不适用于非空封器件。 1 73 一 S J / T 1 0 0 8 2 -9 1 附加说明: 本标准由全国集成电路标准化分技术委员会提出. 本标准由北京八七八厂负责起草。 本标准主要起草人: 孙人杰。 1 74