1.扩展存储读写实验.ppt

扩展存储读写实验,实验要求：,编制简单程序，对实验板上提供的外部存贮器（62256）进行读写操作。,实验目的：,1学习片外存储器扩展方法。 2学习数据存储器不同的读写方法。,1. 将P1.0接至L1。CS256连GND孔。,实验电路及连线：,实验说明：,1单片机系统中，对片外存贮器的读写操作是最基本的操作。用户藉此来熟悉MCS51单片机编程的基本规则、基本指令的使用和使用本仿真实验系统调试程序的方法。,用户编程可以参考示例程序和流程框图。本示例程序中对片外存贮器中一固定地址单元进行读写操作，并比较读写结果是否一致。不一致则说明读写操作不可靠或该存储器单元不可靠，程序转入出错处理代码段（本示例程序通过熄灭一个发光二极管来表示出错）。读写数据的选用，本例采用的是55（0101，0101）与AA（1010，1010）。一般采用这两个数据的读写操作就可查出数据总线的短路、断路等，在实际调试用户电路时非常有效。 用户调试该程序时，可以灵活使用单步、断点和变量观察等方法，来观察程序执行的流程和各中间变量的值。,2在I状态下执行MEM1程序，对实验机数据进行读写，若L1灯亮说明RAM读写正常。3也可进入LCA51的调试工具菜单中的对话窗口，用监控命令方式读写RAM，在I状态执行SX0000 55，SPACE， 屏幕上应显示55，再键入AA，SPACE，屏幕上也应显示AA，以上过程执行效果与编程执行效果完全相同。注：SX是实验机对外部数据空间读写命令。4本例中，62256片选接地时，存储器空间为00007FFFH。,实验程序框图：,实验示例程序流程框图如下：,实验源程序： ORG 0000HLJMP STARTORG 0040HSTART:MOV SP,#60HMOV DPTR,#0000H ;置外部RAM读写地址MOV A,#55H ;测试的数据一MOV B,AMOVX DPTR,A ;写外部RAMMOVX A,DPTR ;读外部RAMXRL A,B ;比较读回的数据JNZ ERROR,MOV A,#0AAH ;测试的数据二MOV B,AMOVX DPTR,AMOVX A,DPTRXRL A,BJZ PASS ;测试通过ERROR: SETB P1.0 ;测试失败,点亮LEDSJMP $PASS: CPL P1.0 ;LED状态(亮/灭)转换MOV R1,#00H ;延时DELAY: MOV R2,#00HDJNZ R2,$DJNZ R1,DELAYLJMP START ;循环测试END,实验结束,