CF制程简介--雷清芳【行业严选】.ppt
CF制程简介,中小二期工程部 雷清芳,1,一类特制,簡報大綱,液晶顯示器的基本構成元件 彩色濾光片的結構 CF製程介紹 CF不良简介,2,一类特制,何謂Color Filter,Color Filter 彩色的LCD需要用到彩色濾光片（Color Filter），經由控制IC的訊號處理，使得從背光源發射的強光，可利用彩色濾光片的處理，表現出彩色的畫面。 彩色濾光片之製作是於玻璃基板上，將紅、綠、藍三原色之有機材料，製作在每一個畫素之內。,3,一类特制,1.TFT LCD是由兩片玻璃所組成，上端是CF ，下端是TFT，中間夾著一層液晶，再搭配偏光板、背光板及驅動電路等元件，形成為一顯示器模組。,液晶顯示器的基本構成元件,R,G,B,4,一类特制,彩色濾光片結構,CF剖面圖,CF俯視圖,5,一类特制,BM製程,1. 功用：遮光效用，防止TFT產生光電效應進而產生誤動作; 防止兩色相混，使兩顏料不會混合在一起; 增進色彩對比性; 2. Cr BM製程 樹脂BM製程,RGB,BM,OC,ITO,MVA,PS,6,一类特制,鍍鉻製程(Sputtr Cr),原理：利用高壓電場將通入的氣體分子Ar游離成Ar+離子和電子，再以電場加速Ar+離子撞擊Target，Target原子就會被撞擊出來，沉積在基板上。,7,一类特制,曝光部分因聚合 而失去溶解性。,洗去未曝光部分， 形成所需圖案樣式。,加熱以硬化殘 留之負型光阻。,RGB製程,RGB,BM,OC,ITO,MVA,PS,8,一类特制,正/負型光阻,正型光阻 :開口曝光光阻不保留,負型光阻 :開口曝光光阻保留,9,一类特制,CF廠一般機種製造流程,導入OC材機種製造流程,OC,OC製造流程,OC層的作用說明： 使色層平坦化與保護層的作用，提升後段製程良率。,ITO,BM+RGB,RGB,BM,OC,ITO,MVA,PS,10,一类特制,鍍ITO製程(Sputtr ITO),所謂ITO是指Indium(銦)及Tin(錫)的氧化合物，因為透明又具導電性，所以又稱透明導電膜。,RGB,BM,OC,ITO,MVA,PS,11,一类特制,MVA 製程,Glass Input,水洗段Clean,MVA光阻塗佈,顯影,AOI檢查,Oven,曝光製程,Glass Output,RGB,BM,OC,ITO,MVA,PS,12,一类特制,MVA製程 (多象限垂直配向)Multi-domain Vertical Alignment,藉由此突出物的幫忙，可以讓液晶產生一預傾(pre-tiltangle)，以便當電壓施加於液晶時，可以讓液晶倒向不同的方向，人眼對液晶長軸與短軸的屈光特性並不一致， 以致當人眼的夾角變化時，感受到的光強度便不一致，就會有不同灰階的感覺。MVA的原理就是想利用不同角度的液晶，藉由互相的補強，來擴大視角的範圍 。VA机种液晶排列是垂直于面板，属于normal black类型。,加入凸起物（Protrusion）使液晶本身產生一個預傾角（Pre-tilt Angle）,13,一类特制,Photo Spacer,目的:在使TFT及CF面板中間有間距，使液晶能做旋轉的動作.,PS光罩,UV 燈,曝光,顯影,PS光阻塗佈及旋轉,烘烤,RGB,BM,OC,ITO,MVA,PS,14,一类特制,Cell-Ball spacer,CF- PS,Photo Spacer,15,一类特制,MACRO外觀檢查,光盒透過檢查,鈉燈反射檢查,強光燈檢查,主要針對外觀不良(異物、漏光、Mura、色不均等)進行篩檢過濾檢查。,16,一类特制,特性量測,17,一类特制,黑色陣列圖案(BM)總長 Total Pitch,BM特性量測,18,一类特制,RGB色度量測,色度,19,一类特制,RGB特性量測 II,20,一类特制,RGB 特性量測 I,21,一类特制,ITO規格量測,理想下阻抗值越低越好,22,一类特制,RGB-穿透率,理想下：穿透率越高越好,23,一类特制,Photo Spacer 規格量測,特性量測：位置精度、膜厚、上/下底線幅,X軸面,Y軸面,24,一类特制,Photo spacer,CF不良簡介,白缺陷： 漏光(RBM欠陷、RGB色剝、針孔、圖形刮傷等) 黑缺陷： 異物(RBM殘留、Particle、RGB光阻異物等) Mura缺陷： Mura(直/橫 Mura、黑Gap Mura、ITO色不均等),25,一类特制,白缺陷類-BM欠陷,BM欠陷特徵： 從反射光中較易看出，如果從透射光去看可以看見不規則遮光層消失，形成漏光現象。,反射光,透射光,26,一类特制,白缺陷類- RBM額緣針孔,RBM額緣針孔： 從反射光中較易看出，如果從透射光去看可以看見遮光層消失，形成漏光現象。,反射光,透射光,27,一类特制,白缺陷類- RBM膜面線刮,BM膜面線刮特徵： 從反射光中較易看出，如果從透射光去看可以看見遮光層消失(呈現線型)，形成漏光現象。,反射光,透射光,28,一类特制,白缺陷類- R漏光,R漏光特徵： 從穿透光中較易看出，可以看見當站製程遮光層消失，形成漏光現象。,反射光,透射光,29,一类特制,白缺陷類- 圓暈形色剝,圓暈型色剝特徵： 從反射光中較易看出，當站製程圖型呈現漸層式圓暈狀，打穿透光時可以漏光現象。,反射光,透射光,30,一类特制,白缺陷類- R透明異物,R透明異物特徵： 從穿透光中較易看出，如果從透射光去看可以看見當站製程衍生不明透明狀異物，打穿透光形成漏光現象。,反射光,透射光,31,一类特制,黑缺陷類- RBM光阻異物,BM光阻異物特徵： 從反射光中較易看出，如果從透射光去看可以看見開口部有異物，形成遮光現象。,反射光,透射光,32,一类特制,黑缺陷類- R光阻異物,R光阻異物特徵： 從反射光中較易看出，如果從透射光去看可以看見當站製程衍生出的不明異物，形成黑欠現象。,反射光,透射光,33,一类特制,黑缺陷類- Lip光阻異物,Lip光阻異物特徵： 從反射光中較易看出，當站製程圖形中可以看見當製程異物呈現薄狀、條狀、帶狀異物。,反射光,透射光,34,一类特制,黑缺陷類- 黑色異物,黑色異物特徵： 從反射光中較易看出，當站製程出現不明黑色異物，穿透光無法穿透，形成遮光現象。,反射光,透射光,35,一类特制,黑缺陷類- 纖維異物,纖維異物特徵： 從反射光中較易看出，圖形成線長條不規則曲線。,反射光,透射光,36,一类特制,黑缺陷類- 散佈金屬異物,散佈金屬異物特徵： 從反射光中較易看出，可以看見開口部有多數小碎形異物(經分析多為金屬)，利用穿透光無法穿透，形成遮光現象。,反射光,透射光,37,一类特制,何謂Mura,Mura本來是一個日本字，隨著液晶顯示器在世界各地發揚光大，成為一個全世界都可以通的文字。主要是指顯示器亮度不均勻造成各種痕跡的現象。,38,一类特制,放射狀Mura,放射狀Mura特徵： 綠燈下可見放射狀色層差異，大多為基板在減壓乾燥時由於氣流和溫度的影響引起,以致光阻表面乾燥不均。,39,一类特制,丘Mura,丘Mura特徵： 類似蝴蝶翅膀狀的點不均（兩個圓形交接），可能固定或不固定點。一般固定點常發生在HP/CP及EXP平台.清潔時如果無法使用無塵布擦拭掉可以配合使用滑石清潔。,40,一类特制,Pin Mura,Pin Mura特徵： 為固定點位，可分為Coater Stage Pin & VCD Pin & HP/CP Stage Pin三種，主要為基板上光阻與pin間的溫差較敏感所致。,41,一类特制,直 Mura,直Mura特徵： 依著基板長邊的橫向長條不均，帶寬較粗，Gap多等距，邊緣不明顯略帶暈開，一般為顯影機水洗段流量及壓力不均所致。,42,一类特制,橫 Mura,橫Mura特徵： 平行並貫穿於AB或CD或EF Panel，不論寬窄及位置，且為獨立之線條，則定義為橫條狀Mura。,43,一类特制,風刀 Mura I,風刀Mura特徵： 全面性的斜向條紋，方向與截角方向垂直，但如果經過PS MVA-LINE則會平行方向(與風刀layout有關) ，主要為風刀阻塞壓力異常所致。,44,一类特制,風刀 Mura II,風刀Mura特徵： 全面性的斜向條紋，方向與風刀吹出方向平行，大多與風刀流量不足有關。,45,一类特制,山水畫 Mura,山水畫Mura特徵： 與古代山水畫相似，多以全面性為主，此為顯影液效能低下有關，多發生在顯影液交換時發生。,46,一类特制,波浪S型 Mura,波浪狀S型Mura特徵： 多以一條或二條S型(細線)貫穿到底為主，大多與顯影Nozzle堵塞有關，導致顯影不良發生，利用簡易Macro空氣槍清潔後OK。,47,一类特制,震動(短邊) Mura,震動(短邊)Mura特徵： 依著基板短邊的縱向長條密集不均，gap等間距。一般是Coater Slider振動引起。,48,一类特制,背面輪痕,背面Mura特徵： 於基板背面出現數條平行且帶膠狀物的輪痕，大多與傳動機構之傳動輪受損老化有關。,49,一类特制,光阻殘留,光阻殘留特徵： 在起始部端有光阻殘留現，大多與EXP內其中一個檔板偏移導致該區曝光留下所導致。,50,一类特制,黑.MURA:在綠燈下產生大小區域不一之黑色不均 白. MURA:在綠燈下產生大小區域不一之白色不均 3D MURA:綠燈下會放射狀之黑色MURA,搖晃時會產生三D狀之錯覺 以上三種MURA均為曝光機台MASK污染影響PS光阻膜厚不均，處理方式為清洗光罩,PS MURA,51,一类特制,52,一类特制,
