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mos管d、s反接的问题P沟道的，本来就是MOS管本身里有一个体二极管，是D级到S级，就按沟道不打开，电流不经过沟道过去，也可以先过它的体二极管到S级的。S级有高电平后，不就S大于G了吗？这时候沟道不就打开了？电流就开始走沟道，而不走体二极管了如果D加正电位当然电流从D流向S，而S加正电位对于NMOS管是不推荐的。因为MOS管从结构上来说实际上有4个电极，G/D/S和B衬底Bulk。虽然说NMOS电流可以从D流向S也可以从S流向D，但是衬底B应该接最低电位，对于N管就是负电位，对于P管就是正电位。也就是说D/S互换使用时，B也要改变连接的位置。而在多数分立的MOS管中已经把B和定义为S的沟道一端连在一起了，只引出G/D/S三个电极，除非有的MOS管B极另有用途而单独引出。这样一来如果D/S交换，开启电压/跨导/通导电阻等参数都会变坏，所以一般不建议这样使用。要求双向导电的场合，可以用N管与P管并联的电路结构不过有些DC/DC的防反接保护就是使用N型MOS管的S至D导通方向来实现的，那样应怎么解释呢？正如你自己所说的这是一个反接保护电路，一反接D就为正了，保护管就起作用了。你还忽略了IRL3103的DS间还并联了一个保护二极管，当你没有接反时，正常电流主要通过这个二极管回流到电源负端，而反的DS电压不会超过二极管正向压降。当你接反时，二极管不导电，电流全靠MOS控制，而MOS的G端变负或0而截止了。不过注意IRL3103的GS是可以承受正负电压的。实际上这里接触到功率MOS管的另一个问题，就是体二极管。几乎所有的功率MOS管的DS端都并联了一个二极管，这个二极管的方向就决定了DS不可以交换使用，接反了二极管通导，G就没有控制了。这个二极管本来是为了避免分布晶体管造成栓锁效应而产生的，但客观上起到了保护DS，并使DS不能反接的作用。这个二极管在多数小功率MOS上和集成电路中是没有的，而在功率MOS的图上经常也不画出来。所以你的问题可以理解为，用两个相对串联的NMOS管来传交流电时，在某一半周是用D为正S为负的MOS管串联了一个正向导电的二极管来实现导电，而那个D为负S为正的MOS管被与其并联的正向导电二极管旁路了。 详细讲解MOSFET管驱动电路 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。 包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。 1，MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。 至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。 对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电 阻小，且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有办法避免，后边再详细介绍。 在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载（如马达），这个二极管很重要。顺便说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。 2，MOS管导通特性 导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。 NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。 PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。 3，MOS开关管损失 不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。 MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，损失也越大