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    电子基础知识.ppt

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    电子基础知识.ppt

    TPV Confidential,主标题:宋体+32号/Arial+32号,日期时间:Sep.-23-2005 Arial+24号,电子基础知识,QT:刘昌(收集),工艺基础知识,1.目的: 增强元件在运输、震动、跌落等条件下的可靠性 2.注意事项: 热熔胶(或硅胶)应加在元件与PCB的结合部位,并能覆盖元件周长的1/4以上; 体积较大的元件,须在沿直径方向的两个点加胶; 因黄胶水具有吸水性,所以严禁在高压、大电流或对漏电流要求较高的部位使用(如:电源部分、行扫描部分),以防在潮湿环境中长期使用产生打火; 热熔胶应加在具有支撑加固作用的部位,并且要同元件脚保持一定的距离,防止胶水流入元件引脚造成虚焊; 原则上过锡炉前不点胶; 3.以下现象可以考虑加胶处理(具体情况由PE工艺明确): 重心偏上、引脚较少且无固定脚,易摆动的元器件; 体积较大、重量较重的元件; 4.我司生产中一般推荐使用熔点为120-140左右的热熔胶,一、点胶的目的及注意事项,TPV Confidential,(1)国际色标4圈色环,例:黄 紫 红 金 4 7 102 +5% =4700+5%误差,(2)国际色标5圈色环,例:棕 灰 紫 橙 红 1 8 7 103 +2% =187K,5. 热导体电阻器和冷导体电阻器 热导体电阻器在热状态下传导特别好,亦随温度的升高阻值减小。它们有非常好的负温度系数。 金属膜电阻器阻值随温度的升高略有增大,炭膜电阻器阻值随温度的升高而减小。 6. 阻值: 所谓阻值就是指:电流流过电阻时产生阻碍作用大小的一个数值。,二 电容器,电容器在各类电子线路中是一种必不可的重 要元件。 1、电容器的特性: 两块金属板相对平行而不相碰就构成了一个最简单的电容器。 如果将电压加到两个彼此相邻的孤立导电体上,则这两个导体便处于充电状态(如下图),与电压源负极相连的物体具有一定数量的附加电子。与电压源正极相连的物体将释放出同样数量的电子。两物体之间形成电场,两个物体能够拾取的电荷量Q取决于电场的范围、形状和强度,所形成的电场取决于外加电压、两个物体的尺寸和它们相互之间的距离。 可以将物体尺寸和它们的相互距离以及置于它们之间的绝缘材料对电荷接收能力的影响综合到一个量中。这个量称为电容(符号为:C)。电容是反应接收和容纳电荷的能力。 电容是电荷Q与电压U两者之间的比例系数 Q=CU Q 电荷(单位:C库仑) C 电容 U 电压 2、在电路电容的符号与单位: 有两种电容分为:无极性电容和有极性电容。,+,电容的单位为法拉(F)。如下是几种常用的单位换算: 1毫法=1mF=10-3F、1微法=1uF=10-6F、1纳法=1nF=10-9F、1皮法=1pF=10-12F 电容的大小取决于两个极板相面对的面积A、极板之间的距离以及介质的介电常数r。 当电容充电后,当电源切断后,电容合自动放电,自放电时间常数s是电容器的绝缘电阻Ris和电容的乘积:s = Ris C 电容分类: 1、纸介性容器、聚酯电容器(金属膜电容器) 纸介性容器由两种相互之间用浸渍纸层绝缘的金属箔构成; 聚酯电容器由两种相互之间用浸渍聚酯薄膜绝缘的金属箔构成; 2、金属膜纸介电容器(MP电容器) 将金属层蒸发到用作介质的纸上构成; 3、金属-聚酯薄膜电容器(MK电容器) 将金属层蒸发到聚酯薄膜上构成;,4、陶瓷电容器 陶瓷电容器是采用陶瓷材料作为介质; 5、电解电容器 电容器的电极由导电的液体(即电解质)构成; 6、可调电容器 大多由能相互移动的一组极板构成 电容器充电 未充电的电容器的内阻几乎为零; 充电后的电容器有几乎为无限大的电阻,它可阻止直流通过. 电容器的容量 充电电容器储存有电能,被储存能量的大小由下式给出: W=1/2CU2 W 电能 C 电容 U 电压,电容器放电 充电的电容器的作用像一个内阻特别小的电压源。 假如将充电电容器的两端短路,则一瞬间将流过非常大的电流, 电容器很快完成放电过程,但这种短路放电对于电容量大的电容器 尤其危险。 电容器可能被大电流损坏。所电容器应始终通过电阻器进行放电。 电容器对交流振荡所呈现的电阻为容抗,电容器中没有将电功率转 变成热功率。 电容器对交流振荡起阻碍作用。交流电流频率越高以及电容器的容 量越大,则阻碍作用越小。,三电感,电感的应用范围广泛,它在调谐、振动、耦合、滤波、陷波、延时等电路中得都是必不可少的。电感器按工作特征分成固定电感和可变电感两种。 1。电感的电路符号,电感的基本参数: (1)电感量 (2)固有电容 (3)品质因数 Q=L/r , 为工作角频率,L电感量,r线圈损耗电阻。 (4)额定电流 电感线圈中允许的最大电流 线圈的所有结构尺寸对自感电动势大小的影响,可以用一个系数来表示。这个自感系数称为电感(简写符号为L),单位为亨利H,1毫亨 1mH =10-3H 1微亨 1H=10-6H 1纳亨 1n H =10-9H 1皮亨 1p H =10-12H 电感的特性是:通直流;阻交流;通底频;阻高频。 电感主要作用有:振动、耦合、滤波、陷波等作用,对于无耗线圈,电压超前电流900,与电容刚好相反。 电导率比导体小但比绝缘体大的材料都属于半导体材料。 半导体二极管的工作原理 半导体二极管的晶体由P区和N区组成,如果PN结的极性呈正向偏置,则二极管的阻值很小。如果PN结的极性呈反向偏置,则二极管的阻值很大。 半导体二极管能在一个方向上允许电流通过,而在另一个方向则阻碍电流通过。 这种作用在整流作用上具有重大的工程意义。,TPV Confidential,二极管特性:单向导电性 二极管作用 二极管的主要有整流、稳压、开关、检波等作用 二极管的温度特性 随着温度的升高,反向电流明显增大随着温度的升高,正向电阻略有减小。 二级管的检测 检测半导体二极管时,必须使外加电压高于二极管本身的势垒电压,用电阻法测量二极管时,正常二极管的正向电阻应在1200欧姆,反向电阻一般在0.5300M欧姆。 如果在两个方向测出的电阻均很小,则二极管已损坏,如果在两个方向测出的电阻均很大,则二极管已损坏;,四、半导体二极管,二极管的原理结构和电路符号。,二极管特性:单向导电性 二极管作用:二极管的主要有整流、稳压、开关、检波等作用 二极管的温度特性:随着温度的升高,反向电流明显增大随着温度的升高,正向电阻略有减小。 二极管的检测: 检测半导体二极管时,必须使外加电压高于二极管 本身的势垒电压,用电阻法测量二极管时,正常二极管的正向电阻 应在1200欧姆,反向电阻一般在0.5300M欧姆。 如果在两个方向测出的电阻均很小,则二极管已损坏; 如果在两个方向测出的电阻均很大,则二极管已损坏;,五:三极管,晶体三极管可分为两类:PNP型晶体管与NPN型晶体管电路符号:,PNP晶体管的结构 PNP晶体管的晶体由一个N型导电区夹在两个P型导电区中间平构成。即形成两个PN结,它们可以看成两个二极管,但并不是简单地用两个二极管来构成。 N区称为基极区或基极,它是半导体制造工艺中需要首先制备的区域,发射极区简称发射极,载流子由此出发;集电极区简称集电极,集电极起收集载流子作用。 PNP型三极管的工作需要一定的电压。 常用的大致电压值为: 基极相对于发射极的电压 UBE=-0.7V(-0.6-0.9V) 集电极相对于发射极的电压 UCE=-0.7V(-2-300V) (对于硅晶体管),TPV Confidential,NPN晶体管的结构 NPN晶体管的晶体由一个P型导电区夹在两个N型导电区中间平构成。 P区称为基极区或基极,它是半导体制造工艺中需要先制备的区域,发射极区简称发射极,载流子由此出发;集电极区简称集电极,集电极起收集载流子作用。 NPN型三极管的工作需要一定的电压。 常用的大致电压值为: 基极相对于发射极的电压 UBE=0.7V(0.60.9V) 集电极相对于发射极的电压 UCE=0.7V(2300V),发射极-基极PN结的极性呈正向偏置,基极-集电极PN结的极性呈反向偏置,是三极管处于放大状态的必要条件. 三极管的应用 晶体管开关电路 晶体管子放大电路 三极管的极限参数 最大允许反向电压 最大允许电流 最大允许耗散功率 最大允许温度,谢谢!,冠捷科技(福建)有限公司制造处 CE部QT组刘昌,

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