三极管-黄勇.ppt
2.1 晶体三极管,2.1.1 三极管的结构、分类和符号,2.1.2 三极管的工作电压和基本联接方式,2.1.3 三极管内电流的分配和放大作用,2.1.4 三极管的输入和输出特性,2.1.5 三极管主要参数,2.1.6 三极管的简单测试,2.1 晶体三极管,晶体三极管：是一种利用输入电流控制输出电流的电流控制型器件。 特点：管内有两种载流子参与导电。,特点：有三个电极，故称三极管。,图2.1.1三极管外形,2.1.1 三极管的结构、分类和符号,一、晶体三极管的基本结构,1.三极管的外形,2. 三极管的结构,图2.1.2 三极管的结构图,工艺要求：发射区掺杂浓度较大；基区很薄且掺杂最少；集电区比发射区体积大且掺杂少。,特点：,有三个区发射区、基区、集电区；,两个PN结发射结（BE结）、集电结（BC结）；,三个电极发射极e(E)、基极b(B)和集电极c；,两种类型 P N P型管和NPN型管。,箭头：表示发射结加正向电压时的电流方向。 文字符号：V,图2.1.3 三极管符号,二、晶体三极管的符号,2国产三极管命名法：见电子线路P249附录二。,三、晶体三极管的分类,1三极管有多种分类方法。,按内部结构分：有 NPN型和PNP型管； 按工作频率分：有低频和高频管； 按功率分：有小功率和大功率管； 按用途分：有普通管和开关管； 按半导体材料分：有锗管和硅管等等。,例如：3DG表示高频小功率NPN型硅三极管； 3CG表示高频小功率PNP型硅三极管； 3AK表示PNP型开关锗三极管等。,三极管工作在放大状态的外部条件是：发射结加正向电压，集电结加反向电压。,2.1.2 三极管的工作电压和基本连接方式,一、晶体三极管的工作电压,三极管的基本作用是放大电信号。,图2.1.4 三极管电源的接法,有三种基本连接方式：共发射极、共基极和共集电极接法。最常用的是共发射极接法。,二、晶体三极管在电路中的基本连接方式,如图2.1.5所示：,测量电路如图,2.1.3 三极管内电流的分配和放大作用,一、电流分配关系,表2.1.1,调节电位器，测得发射极电流、基极电流和集电极电流的对应数据如表2.1.1所示。,因IB很小，则 (2.1.2),(2.1.1),由表2.1.1可见，三极管中电流分配关系如下：,ICEO越小，三极管温度稳定性越好。硅管的温度稳定性比锗管好。,说 明：,1. 时， 。,称为集电极基极反向饱和电流，见图2.1.7(a) 。一般 很小，与温度有关。,2. 时， 。,称为集电极发射极反向电流，又叫穿透电流， 见图2.1.7(b)。,二、晶体三极管的电流放大作用,结论：,1三极管的电流放大作用基极电流 微小的变化，引起集电极电流 较大变化。,2交流电流放大系数 表示三极管放大交流电流的能力 (2.1.3),3直流电流放大系数 表示三极管放大直流电流的能力 (2.1.4),4通常 ， ，所以可表示为 (2.1.5),考虑ICEO，则 (2.1.6),2.1.4 三极管的输入和输出特性,集射极之间的电压VCE一定时，发射结电压VBE与基极电流IB之间的关系曲线。,一、共发射极输入特性曲线,5VBE与IB成非线性关系。,由图可见：,1当V CE 2 V时，特性曲线基本重合。,2当VBE很小时，IB等于零， 三极管处于截止状态；,3当VBE大于门槛电压（硅管 约0.5V，锗管约0.2V）时， IB逐渐增大，三极管开始导 通。,4三极管导通后，VBE基本不 变。硅管约为0.7V，锗管 约为0.3V，称为三极管的导 通电压。,图2.1.9 共发射极输入特性曲线,二、晶体三极管的输出特性曲线,基极电流一定时，集、射极之间的电压与集电极电流的关系曲线。,在放大状态，当IB一定时，IC不随VCE变化，即放大状态的三极管具有恒流特性。,输出特性曲线可分为三个工作区:,1. 截止区,条件：发射结反偏或两端电压为零。 特点： 。,2 .饱和区,条件：发射结和集电结均为正偏。 特点： 。,称为饱和管压降，小功率硅管约0.3V，锗管约为0.1V。,3 .放大区,条件：发射结正偏，集电结反偏 特点： IC受IB控制 ，即 。,三极管的参数是表征管子的性能和适用范围的参考数据。,2.1.5 三极管主要参数,电流放大系数一般在10100之间。太小，放大能力弱，太大易使管子性能不稳定。一般取3080为宜。,2.交流放大系数,1.直流放大系数,一、共发射极电流放大系数,1.集电极 基极反向饱和电流ICBO。,反向饱和电流随温度增加而增加，是管子工作状态不稳定的主要因素。因此，常把它作为判断管子性能的重要依据。硅管反向饱和电流远小于锗管，在温度变化范围大的工作环境应选用硅管。,二、极间反向饱和电流,2.集电极 发射极反向饱和电流ICEO。 (2.1.7),三、极限参数,管子基极开路时，集电极和发射极之间的最大允许电压。当电压越过此值时，管子将发生电压击穿，若电击穿导致热击穿会损坏管子。,3.集电极 发射极间反向击穿电压V(BR)CEO,2.集电极最大允许耗散功率PCM,1.集电极最大允许电流ICM,三极管工作时，当集电极电流超过ICM时，管子性能将显著下降，并有可能烧坏管子。,当管子集电结两端电压与通过电流的乘积超过此值时，管子性能变坏或烧毁。,图2.1.11判别硅管和锗管的测试电路,2.1.6 三极管的简单测试,一、硅管或锗管的判别,图2.1.12估测的电路,二、估计比较的大小,NPN管估测电路如图2.1.12所示。,万用表设置在 挡，测量并比较开关S断开和接通时的电阻值。前后两个读数相差越大，说明管子的越高，即电流放大能力越大。 估测PNP管时，将万用表两只表笔对换位置。,NPN管估测电路如图2.1.13所示。所测阻值越大，说明管子的 越小。若阻值无穷大，三极管开路；若阻值为零，三极管短路。,三、估测ICEO,测PNP型管时，红、黑表笔对调，方法同前。,图2.1.13 I CEO的估测,将万用表设置在 或 挡，用黑表笔和任一管脚相接（假设它是基极b），红表笔分别和另外两个管脚相接，如果测得两个阻值都很小，则黑表笔所连接的就是基极，而且是NPN型的管子。如图2.1.14（a）所示。如果按上述方法测得的结果均为高阻值，则黑表笔所连接的是PNP管的基极。如图2.1.14（b）所示。,四、NPN管型和PNP管型的判断,图2.1.14基极b的判断,首先确定三极管的基极和管型，然后采用估测值的方法判断c 、e极。方法是先假定一个待定电极为集电极（另一个假定为发射极）接入电路，记下欧姆表的摆动幅度，然后再把两个待定电极对调一下接入电路，并记下欧姆表的摆动幅度。摆动幅度大的一次，黑表笔所连接的管脚是集电极c，红表笔所连接的管脚为发射极e，如图2.1.12所示。测PNP管时，只要把图2.1.12电路中红、黑表笔对调位置，仍照上述方法测试。,五、e、b、c三个管脚的判断,图2.1.12估测的电路,
