单结晶体管的识别及检测.docx
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1、WORD 资料可编辑湖 南 省 技 工 学 校理论教学教案教师姓名 :学变频日期执科调速行星期检查记班级录签字节次课题单结晶体管的识别与检测教学了解单结晶体管及触发电路的工作原理。目的教学单结晶体管的识别与检测。重点教学单结晶体管及触发电路的工作原理。难点主要教学演示,示范,讲授。方法教具BT33、电阻、电容、万用表、电烙铁等。挂图课的类型实验教学环节时间分配教学后记1、组织教学时间22、复习导入时间85、作业布置时间53、讲授新课时间4、归纳小结时间705专业整理分享WORD 资料可编辑实验二单结晶管振荡电路的制作与调试任务一单结晶体管的识别与检测欲使晶闸管导通,它的控制极上必须加上触发电压
2、vG,产生触发电压 vG的电路称为触发电路。触发电路种类繁多,各具特色。本节主要介绍用单结晶体管组成的触发电路。一、单结晶体管它的外形与普通三极管相似,具有三个电极,但不是三极管,而是具有三个电极的二极管,管内只有一个PN结,所以称之为单结晶体管。三个电极中,一个是发射极,两个是基极,所以也称为双基极二极管。1. 结构与符号其结构如图 7-2-1(a) 所示。它有三个电极,但在结构上只有一个PN结。有发射极 E,第一基极 B1 和第二基极 B2,其符号见图 7-2-1(b) 。2. 伏安特性单结晶体管的等效电路如图7-2-1(c)所示,两基极间的电阻为RBB= RB1 + RB2,用 D表示
3、PN结。 RBB的阻值范围为 215K之间。如果在Bl 、B2 两个基极间加上电压VBB,则 A 与 Bl 之间即 RB1 两端得到的电压为RB1VBBVBBVARB 2RB1(7-2-1)式中 称为分压比,它与管子的结构有关, 一般在 0.3 0.8 之间,是单结晶体管的主要参数之一。专业整理分享WORD 资料可编辑B2PN 结B1B 2RB2NEDEEAVBBEPVDRB1B2B1B1(a) 结构示意图(b)符号(c)结构等效电路图 7-2-1 单结晶体管单结晶体管的伏安特性是指它的发射极电压VE 与流入发射极电流I E 之间的关系。图7-2-1(a)是测量伏安特性的实验电路,在2、 l间
4、B B加上固定电源 EB,获得正向电压 VBB并将可调直流电源EE 通过限流电阻VPPIEBTB2EmAEBREVVEB1VVVEEIVaPIEI截止区负阻区饱和区RE 接在E和l 之间。B( a)测试电路(b)伏安特性图 7-2-2单结晶体管伏安特性当外加电压VE VBB VD 时VD为结正向压降 ,结承受反向电+(PN) PN压而截止,故发射极回路只有微安级的反向电流,单结晶体管子处于截止区,如图 7-2-2(b) 的 aP 段所示。在 VE = VBB+VD 时,对应于图 7-2-2(b) 中的 P 点,该点的电压和电流分别称为峰点电压 VP 和峰点电流 I P。由于 PN结承受了正向电
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