微电子工艺.docx
《微电子工艺.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《微电子工艺.docx(53页珍藏版)》请在三一文库上搜索。
1、华中科揭灰羸胞子科学与技术系微电子工艺雷铭博士华中科技大学电子科学与技术系2005年7月=z评:课程介绍E教材:半导体制造技术韩郑生译三电子工艺出版社出版;学时:24三参考书: 1、芯片制造|:2、微电子科学原理与工程技术:课程讲授内容:-微电子工艺概述二微电子工艺步骤介绍1 .洁净室和清洗2 .氧化和化学气相淀积3 .光刻和腐蚀4 .扩散和离子注入5 .金属连接和平面化 三.标准CMOS工艺流程华中科排族赢鹿子科学与技术系w Z三:1、初始请洗 初始清洗就是将晶圆放入清洗槽中,利用化学或物理的 Z 方法将在晶圆表面的尘粒或杂质去除,防止这些杂初始 清洗就是将晶圆放入清洗槽中,利用化学或物理的
2、方法 z将在晶圆表面的尘粒或杂质去除,防止这些杂质尘粒, 对后续的工艺造成影响,使得器件无法正常工作。甲中褶置图吊鼻丁科与13 H术案: :三二2、前置氧化利用热氧化法生长一层二氧化硅薄膜,目的是为了降 2 低后续生长氮化硅薄膜工艺中的应力(stress),氮化硅 具有很强的应力,会影响晶圆表面的结构,因此在这 Z 一层氮化硅及硅晶圆之间,生长一层二氧化硅薄膜来 减缓氮化硅与硅晶圆间的应力。:3、淀积氮化硅 Z 利用低压化学气相沉积(LPCVD)的技术, : 沉积一层氮化硅,用来做为离子注入的mask z 及后续工艺中,定义P型井的区域。-一I.1111 - :t -.II - 1En-m N
3、 ,.m. 一 3!-:;:H;卷53-|凶!竹区衣1日I,H::*、*汴口 ::l-A;-l:,Li:-:l1*,2.:-:r弋 - -I-* ., I.1.#:仁|*:上 drl!L&l.:, “巾1v.7!-!-|7“;:斤”!. ,.Immv.m:KP阱的形成:将光刻胶涂在晶圆上之后,利用光刻技术, x将所要形成的P型阱区的图形定义出来,即将 一所要定义的P型阱区的光刻胶去除掉。华中科揭灰羸胞子科学与技术系:5、去除氮化硅 将晶圆表面的氮化硅,利用干法刻蚀的方法: 将其去除掉。Substrate、p阱离子注入 :利用离子注入的技术,将硼打入晶圆: 中,形成P型阱。接着利用无机溶液,Z
4、如硫酸或干式臭氧(。3)烧除法将光刻: 胶去除。之Zx 7. P阱退火及氧化层的形成. 将晶圆放入炉管中,做高温的处理,以达到硅晶圆退 火的目的,并且顺便形成一层n型阱的离子注入mask 层,以阻止下一步骤中(n型阱的离子注入),n型掺 杂离子被打入P型井内。华中科插茄羸祖子科学与技术系:8、去除氮化硅:将晶圆表面的氮化硅,利用热磷酸: 湿式蚀刻的方法将其去除掉。:9、N阱离子注入:利用离子注入技术,将磷打入晶圆中,: 形成n型阱。而在P型阱的表面上由于有 Z 一层二氧化硅膜保护,所以磷元素不会 : 植入打入P型阱之中。华中科揄菠髭里子科学厅技术系:10、N阱退火性。华中科揭灰羸胞子科学与技术
5、系离子注入之后会严重地 破坏硅晶圆晶格的完整 性。所以掺杂离子注入 之后的晶圆必须经过适 当的处理以回复原始的 晶格排列。退火就是利 用热能来消除晶圆中晶 格缺陷和内应力,以恢 复晶格的完整性。同时 使注入的掺杂原子扩散 到硅原子的替代位置, 使掺杂元素产生电特量511、去除二氧化硅:利用湿法刻蚀方法去除晶圆表面的二氧化 Z硅。源式做刻华中科揭灰羸胞子科学与技术系E 12、前置氧化利用热氧化法在晶圆上形成一层薄的氧 :化层,以减轻后续氮化硅沉积工艺所产 :生的应力。 : 13、氮化硅的淀积 利用低压化学气相沉积方法(LPCVD)淀积 氮化硅薄膜,用来定义出器件隔离区域,使 不被氮化硅遮盖的区域
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 微电子 工艺
链接地址:https://www.31doc.com/p-11648662.html