中山学院-集成电路工艺基础--A试题卷.docx
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1、中山学院-集成电路工艺基础-A试题卷作者:日期:学院考试试题卷课程名称:集成电路工艺基础试卷类型:A卷201 0 2011学年第2学期期末考试考试方式:闭卷A拟题人:文毅日期:2011-6-1审题人:学院:电子信息学院班级:学号:姓名:注意事项:1答案一律做在答题卷上。2请写上班级、学号和姓名。Q题答止禁O内、单项选择题(共 15小题,每题2分,共30 分)1二氧化硅薄膜在半导体器件生产上的应用有( D)对杂质的掩蔽作用对器件表面的保护和钝化作用 用于器件的电绝缘和电隔离作为电容器的介质材料 作为MOS场效应晶体管的绝缘栅材料A.B. C.D. 2. 在SiO2内和Si- SiO2界面中存在的
2、电荷包括(C)可动离子电荷界面陷阱电荷氧化层固定电荷 氧化层陷阱电荷A.B. C.D. 3. 离子注入掺杂纯度高,是因为(B)A.杂质源的纯度高B.注入离子是通过质量分析器选出来的4. Si3N4薄膜在集成电路中的应用主要有:钝化膜 选择氧化 电容介质A. B .C.D.由于氮化硅氧化速率极低,因此被用作(B)的掩蔽膜;电子科技大学中山学院试卷第11页,共8页5. 热氧化过程中Si中杂质在Si-SiO2界面存在分凝现象,下图所示是( B)。氧化层B. m1,杂质在SiO2中是慢扩散D. m1A. Sig 、Si+2Cl2B. SiH4 a Si+2H 2,杂质在SiO2中是快扩散,杂质在SiO
3、2中是快扩散6. 硅平面制造工艺的硼、磷扩散都属于AA.替位式扩散B.间隙式扩散7. LPCVD淀积多晶硅常用温度为 600- 650C,采用热分解法,反应方程式为:(B)C. Si3N4 3Si+2N 2D. SiHzCS Si+Cl 2+H 28. 下面哪些说法是正确的(D)热生长SiO2只能在Si衬底上生长CVD SiO2可以淀积在硅衬底上,也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上CVD SiO2,衬底硅不参加反应CVD SiO 2,温度低A . B .C.D.9. 预扩散是在较_温度下(与主扩散相比),采用_扩散方式,在硅片表面扩散一层数量一定, 按形式分布的杂质。(C)A.高、恒定
4、表面源、余误差函数C.低、恒定表面源、余误差函数10. 下面选项属于预扩散作用有(B 高、有限表面源、高斯函数D 低、有限表面源、余误差函数B)C.控制结深A.调节表面浓度B.控制进入硅表面内部的杂质总量11. 不论正胶或负胶,光刻过程中都包括如下步骤:刻蚀 前烘 显影 去胶涂胶曝光 坚膜以下选项排列正确的是:(D)A. B. C.D.12. 哪种Si外延方法存在反向腐蚀现象( A)A 氢还原反应B.硅烷热分解B)A.感光度 B.分辨率C.粘附性 D. 抗蚀性13. 光刻胶的性能可用如下性能指标表征,其中表征光刻胶对光敏感度的性能指标是(14. 下面哪个说法是正确的(D)A.等离子体刻蚀各向异
5、性好;B.反应离子刻蚀属于化学腐蚀过程C.湿法腐蚀各向异性好;D.溅射刻蚀各向异性好15. LOCOS工艺属于(B)A 平坦化工艺B.隔离工艺二、填空题(共10小题,每题2分,共20分)1. 某纯净的硅衬底,掺入 P元素后其导电类型为N型 (N型/P型)。2. 有限表面源扩散的杂质分布服从高斯函数分布。3. 入射离子的两种能量损失模型为:电子碰撞和核碰撞。4. 离子注入后会引起晶格损伤,一般采用热退火工艺来消除损伤。5. 物理气相淀积技术中最为基本的两种方法就是蒸发和溅射 。6. 在LPCVD中,由于hGks,即质量输运系数远大于表面反应速率常数,所以,LPCVD系统中,淀积过程主要是表面反应
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