单结晶体管的识别及检测.doc
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1、湖南省技工学校理论教学教案教师 :学 科变频 调速执 行 记 录日期星期检查 签字班级节次课题单结晶体管的识别与检测课类 的型实验教学目的了解单结晶体管及触发电路的工作原理。教 学 重 点单结晶体管的识别与检测。教 学 难 点单结晶体管及触发电路的工作原理。主要 教学 方法演示,示,讲授。教 具 挂 图BT33、电阻、电容、万用表、电烙铁等。教学 环节 时间 分配1、组织教学时间23、讲授新课时间702、复习导入时间84、归纳小结时间55、作业布置时间5教 学 后 记实验二 单结晶管振荡电路的制作与调试任务一 单结晶体管的识别与检测欲使晶闸管导通,它的控制极上必须加上触发电压 vG,产生触发
2、电压 vG的电路称为触发电路。触发电路种类繁多,各具特色。本节主 要介绍用单结晶体管组成的触发电路。一、 单结晶体管 它的外形与普通三极管相似,具有三个电极,但不是三极管,而 是具有三个电极的二极管, 管只有一个 PN结,所以称之为单结晶体管。 三个电极中,一个是发射极,两个是基极,所以也称为双基极二极管。1. 结构与符号其结构如图 7-2-1(a) 所示。它有三个电极,但在结构上只有一个 PN结。有发射极 E,第一基极 B1 和第二基极 B2,其符号见图 7-2-1(b) 。2. 伏安特性单结晶体管的等效电路如图 7-2-1(c) 所示,两基极间的电阻为 RBB = RB1 + RB2,用
3、D表示 PN结。 RBB的阻值围为 215K之间。如果在 Bl 、 B2两个基极间加上电压 VBB,则 A与 Bl 之间即 RB1两端得到的电压为VAB1 VBB VBB(7-2-1)RB1 RB2式中称为分压比,它与管子的结构有关, 一般在 0.3 0.8 之间, 是单结晶体管的主要参数之一。B2结构等效电路(a) 结构示意图符号(c)(b)图 7-2-1 单结晶体管单结晶体管的伏安特性是指它的发射极电压VE 与流入发射极电流I E 之间的关系。图 7-2-1(a) 是测量伏安特性的实验电路,在 B2、 Bl 间RE接在 E和 Bl 之间。( a)测试电路(b) 伏安特性图 7-2-2 单结
4、晶体管伏安特性当外加电压 VE<VBB+VD时( VD为PN结正向压降 ) ,PN结承受反向电 压而截止,故发射极回路只有微安级的反向电流,单结晶体管子处于 截止区,如图 7-2-2(b) 的 aP 段所示。在 VE =VBB+VD时,对应于图 7-2-2(b) 中的 P 点,该点的电压和 电流分别称为峰点电压 VP和峰点电流 IP。由于 PN结承受了正向电压而 导通,此后 RB1 急剧减小, VE随之下降, I E迅速增大,单结晶体管呈现 负阻特性,负阻区如图 7-2-2 (b) 中的 PV段所示。V 点的电压和电流分别称为谷点电压 VV和谷点电流 I V。过了谷点以后,I E继续增大
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