CMOS集成电路制造工艺及版图设计.ppt
《CMOS集成电路制造工艺及版图设计.ppt》由会员分享,可在线阅读,更多相关《CMOS集成电路制造工艺及版图设计.ppt(77页珍藏版)》请在三一文库上搜索。
1、CMOS集成电路制造工艺及版图设计,半导体集成电路制造工艺水平是决定集成电路性能的最主要因素,要合理的将系统集成: 1 设计者对工艺的有效自由度和那些易于集成的器件特性要有很好的理解 2 版图设计的质量是决定设计性能能否实现的关键。 目前还没有可靠的版图自动生成工具 因此需要依赖设计者的经验,这就对模拟集成电路的设计者提出了更高的要求。,CMOS集成电路的物理结构,CMOS工艺层 连线电阻和寄生电容 MOSFET与半导体物理基础知识 版图初识,7.1 集成电路工艺层,NMOS Transistor立体示意图,CMOS 工艺截面图,硅片内部的分层结构: 主要特点:形成图形的导体层黏附在SiO2绝
2、缘体上。,两种不同的材料层,叠放metal1层:,叠放metal2层:,侧视图显示叠放顺序 绝缘层将两金属层分隔开,每层的图形由顶视图表 示,SiO2是透明玻璃,7.2 互连线电阻和电容,互连线电阻和电容使传播延时增加 互连线电阻会消耗功率 互连线电容会偶合进额外的噪声,影响电路可靠性,不同金属材料电阻率,连线的寄生电容(与衬底或连线之间),为SiO2(绝缘层)介电常数(F/cm),设满足平行板电容条件,w/l1,线高h,l,多层电容模型,线间电容及其影响,线间电容( 单位:aF/m ),现代工艺中的互连线,互连线时间常数(电阻乘寄生电容)引起信号传输延迟,延迟估计(时间常数,单位:秒),7.
3、3 MOSFET 半导体基础知识,nFET电路符号与相应的工艺层,形成 的各工艺层,的宽长比定义为(), 它是 设计者考虑的最重要参数!,各层被分开显示,MOSFET视图,掺杂小结: 增加载流子,提高导电性,形成n型和p型半导体,掺入磷P、砷As、锑Sb V族元素杂质,增加电子浓度,形成n型材料; 提供自由电子的杂质称为施主(donator) 掺杂剂; 掺杂浓度 n型材料中,每个施主提供一个自由电子;电子为多子,电子浓度为nn;空穴为少子,空穴浓度为pn(下标表示半导体类型) 有 nn Nd ( ),掺入硼B、镓Ga、铟In、铝Al III族元素,增加空穴,形成p型材料; 杂质形成空穴,称受主
4、(acceptor)掺杂剂; 掺杂浓度 p型材料中,每个受主形成一个自由空穴,空穴称为多子,浓度为pp;电子为少子,浓度为np 并有 pp Na,MOSFET中的电流,n+、p+表示重掺杂,nFET和pFET,形成反型层N沟道(NMOS):VGSVTn(阈值电压),线性工作区(三极管区、电阻区): VGS-VTnVDS0,,饱和区,Current-Voltage Relations,7.3 版图初识:,FOX场氧区,用于相邻FET绝缘,体硅工艺: FET做在衬底上,源、漏极:n+、p+ (有源区:除FOX外的区域),金属层之间以及金属层与晶体管之间用绝缘层实现电绝缘 相邻导电层之间的电接触:在
5、隔离氧化层上形成接触孔和通孔,互连线的版图例子,与连接需要通孔via 与栅连接需要栅接触孔contact 与连接需要有源区接触contact,3.5.1 FET阵列设计,串联FET版图设计,器件可以共用图形面积,以节省版图面积或降低复杂性,个串联FET版图设计,基本门设计,N阱还需要接VDD,衬底接GND,非门NOT(反相器INV)版图,缓冲器BUF: Out=In, (共享电源和地),金属可以跨越多晶栅而不会在电气上连接,INV schematic (Cadence),INV layout 结论: N个并联FET相当于W(宽度)增大 N倍,你能看出逻辑关系吗?,答案:,Whats this?
6、 (照片),CMOS工艺制造流程,主要的单项工艺 N阱CMOS制造流程 设计规则,一、主要的单项工艺,N阱CMOS,单晶硅生长示意图,单晶硅生长炉,预备工作:外延层淀积(p衬底) (化学气相淀积:使用一种或者数种物质的气体,以某种方式激活后,在衬底表面发生化学反应,并淀积出所需固体薄膜的生长技术),1、 SiO2生长与淀积,SiO2:极好的电绝缘体、很好地附着在其它材料上、可生长或淀积在硅圆片上,能被化学漂洗掉。 SiO2称为石英玻璃,电阻率约为1012.cm 2种类型(1)热氧化层生长:用O2或H2O(气)。,(2)化学气相淀积CVD:,适宜晶圆表面已覆盖氧化层情况 SiH4(气)+2O2(
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- CMOS 集成电路 制造 工艺 版图 设计
链接地址:https://www.31doc.com/p-2148967.html