CMOS集成电路版图TannerL-Edit设计入门.ppt
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1、集成电路版图设计入门,钟福如 邮箱: 电子科技大学成都学院,主要内容:,版图设计概念; 版图设计流程及在IC设计中的位置; Tanner版图流程举例(反相器等)。,版图设计概念,定义:版图设计是创建工程制图(网表)的精确的物理描述过程,而这一物理描述遵守有制造工艺、设计流程以及通过仿真显示为可行的性能要求所带来的一系列约束。,双极集成电路版图设计,MOS集成电路版图设计,电压比较器,运算放大器,版图设计流程,流程的定义:流程是一系列有效方法的集合,应用这些方法,可以实现和验证一个设计思想的有效描述,使最终的结果显示出预期功能的适当特性。 全定制:起因于设计工程师对设计的所有方面有完全定制的自由
2、。,模拟版图设计流程,电路输入,规范,电路验证,版图验证,版图参数提取,版图输入,实现,CMOS VLSI制造工艺(略),Tanner版图流程举例(反相器),集成电路设计近年来发展相当迅速,许多设计需要借助计算机辅助设计软件。 作为将来从事集成电路设计的工作人员,至少需要对版图有所了解,但是许多软件(如cadence)实在工作站上执行的,不利于初学者。 L-Edit软件是基于PC上的设计工具,简单易学,操作方便,通过学习,掌握版图的设计流程。,Tanner Pro简介: Tanner Pro是一套集成电路设计软件,包括S-EDIT,T-SPICE,W-EDIT,L-EDIT,与LVS ,他们的
3、主要功能分别如下: 1、S-Edit:编辑电路图 2、T-Spice:电路分析与模拟 3、W-Edit:显示T-Spice模拟结果 4、L-Edit:编辑布局图、自动配置与绕线、设计规则检查、截面观察、电路转化 5、LVS:电路图与布局结果对比,设计参数的设置SetupDesign,该对话框共有六页,分别是:Technology(工艺参数)、Grid(网格参数)、Selection(选择参数)、Drawing(绘图参数)、Curves(曲线参数)、Xref files(外部交叉引用参数) 网格分为显示网格、鼠标网格(跳跃、平滑)、定位器网格,设计规则的作用,设计规则规定了生产中可以接受的几何尺
4、寸的要求和达到的电学性能。 对设计和制造双方来说,设计规则既是工艺加工应该达到的规范,也是设计必循遵循的原则 设计规则表示了成品率和性能的最佳折衷,设计规则的设置,(一)、设计的类型 Minimum Width Exact Width Not Exist Spacing Surround Overlap Extension Density,(1)Minimum Width,该层上所有object在任意方向上的宽度,(2) Exact width,该层上所有object在特定方向上的准确宽度,(3)Not Exist,在指定的层上,所有object都不能存在.这是唯一不含距离的规则,(4)Spa
5、cing,在指定的层上或者在指定的两层之间的object的最小间距,(5)Surround,一个层上的物体,在每个方向上,被另一层上的物体至少要环绕x各单位,(6)Overlap,一个层上的物体必须与另一个层上的物体交叠的最小尺寸。 Objects which overlap more than the specified distance or whose edges coincide are not considered in violation of overlap rules. 重叠大于规定距离或边缘重合都不算违规,(7)Extension,一个层上的物体必须超过另一个层上的物体的边界
6、的最小尺寸。当:距离超过指定数字、 只有一边刚好重合,其他都在物体之外、 被完全surround 的时候,不算是违背规则,(8)Density,The density rule finds and flags objects on the derived density layer specified in Layer1. The layer specified must be a Density type derived layer. Violations to the rule include any polygons output to a density layer. 按照规则,查找l
7、ayer1下拉选框中制定的密度推导层中的对象,并对其加以标志。Layer1下拉选框中制定的图层必须是密度类型的推导层。如有多变性输出到密度层,就构成违规。,(二)例外情况的忽略(ignore),采用此来设置一些可以忽略的情况,对于特定的规则设置才有用。,Coincidences 边界一致的可以被忽略. Surround Intersections 物体之间交叉的 . Surround 、If layer 2 completely encloses layer 1 Spacing 45 degree acute angles 物体部分包括 45 (或更小) Minimum width Spaci
8、ng Surround,(三)本课程所用规则的设计-1,p阱之间间距20um. Pwell to pwell spacing =20um P阱对有源区的最小覆盖10um p-well surround active =10um 有源区最小宽度10um Active minium width =10um 有源区最小间距10um Active to Active Spacing =10um,(三)本课程所用规则的设计-2,多晶硅条最小宽度5 um Poly minum width =5 um 多晶硅条最小间距5 um poly to poly spacing=5 um 离子注入区对有源区最小覆盖1
9、0 um p-select surround active=10 um n-select surround active =10um 铝引线孔7.5*7.5 um*um Metal1 Contact Exact Size =7.5um,(三)本课程所用规则的设计-3,铝条最小宽度10um Metal1 Minimum Width =10um 铝条间距最小10um Metal1 to Metal1 Spacing=10um 铝条对铝引线孔最小覆盖2.5um Metal1 surround Contact=2.5um 引线孔距扩散区最小距离5um Metal1 Contact to P-Selec
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