将形状记忆合金与正温度系数热敏电阻进行复合结构设计,研制了一新型自 .doc
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1、500毫瓦高功率扁平放电管氦氖激光器一、成果简介该项成果是东南大学在完成国家科技部下达的“九五”重点科技攻关项目的基础上完成的。并于2000年9月28日通过国家科技部组织的“九五”科技攻关项目验收和江苏省科技厅组织的技术鉴定,专家们一致认为,该项成果属国内外首创,其功率水平属国际先进水平。该项成果采用扁平放电管技术研制氦氖激光管,可明显提高激光管的输出功率,该项技术已获得美国专利(NO. 4862476)。并由四支这种氦氖激光管的输出经光学系统平行靠拢,并可耦合单股石英光纤输出,作各种应用。有关技术又于2000年申请三项实用新型专利和一项发明专利。该激光器使用方便,操作维护简单,基本上满足商品
2、化实用要求。二、主要技术指标1、整机输出0.6328微米激光功率不少于500毫瓦; 2、经耦合单股石英光纤输出0.6328微米激光功率不小于420毫瓦; 3、整机可连续运转时间不小于12小时;4、激光输出功率稳定度在每小时8%以内。三、应用范围:1、癌症治疗:光动力治癌是利用光敏剂在肿瘤内的储留和特定波长(如0.63微米)的激光作用下的光化学反应而选择性杀伤癌细胞的一种治疗手段。对正常细胞杀伤很少,也不影响机体免疫功能。该项成果是光动力治癌较理想的光源。2、激光理疗:它是利用激光生物刺激反应使毛细血管扩散、增强机体免疫功能,促进代谢和组织再生,并具有明显的消炎止痛作用。由于功率的提高,大大改善
3、疗效,缩短治疗时间,扩大适应症。 此外,还可用于激光舞台照明,激光育种、激光化疗等方面。调频广播副载波信息服务系统一、成果简介 该成果突破了调频广播副载波(SCA)信息服务系统高稳定度FSK调制器、实施信息编码发送、低成本高灵敏接受终端等一系列技术障碍,国内首家实施了利用SCA的综合信息服务系统。主要内容包括:(1) 接受终端SCA股票信息寻呼机整体技术水平达到九十年代国际先进水平,在硬件软化、单芯片集成、具有自主知识产权、自由定位算法应用和独特的电磁兼容一体化、优化设计等方面具有创新性,达到了国际领先水平。(2) 接受终端SCA数字寻呼机整体达到国际九十年代先进水平,在降低功耗技术两次解调拓
4、扑电路设计,低频小体积带通滤波器和齐全的芯片功能等方面具有创新性,达到了国际领先水平。(3) SCA FSK调制器设计新颖,国内首创,国际上尚未见报道。(4) SCA股票信息的发送设备“符合企业标准,填补了国内空白,具有推广应用价值二、 应用范围广播电视、通信、微电子学、计算机应用自复式保险管一、 成果简介自复式保险管是一种将形状记忆合金与正温度系数热敏电阻进行复合结构设计研制的新型自复式过电流过热保护器件,该器件具有可重复使用,导通电阻值低,限流动作速度快,耐击穿电压较高,易于制造,使用方便等特点。市场容量十分巨大。该器件独具特色,在过电流保护领域中处于领先水平。已获国家发明专利。(专利号:
5、ZL 95 1 12753.5)二、技术指标 器件的主要性能可以达到:耐击穿电压250 650 V,室温电阻0.1,不动作电流:1 10 A (252), 动作时间;由额定工作电流跃升至三倍工作电流 0.2 s (252),重复过流保护动作200次数后性能仍然可以满足以上指标。三、 应用范围可广泛用于各种机电设备、电器仪表、家用电器、通讯设备等领域。SDB技术用于4硅片规模生产一、成果简介经项目组两年多努力,使学校科研成果转化为规模生产,建立了一条年产6.7万4片的SDB(硅片直接键合)生产线,突破了适合4片键合规模生产的工艺技术,如硅片抛光质量,表面活化处理技术,预键合技术,边缘问题、热处理
6、问题及减薄技术等。建立了4片键合规模生产的关键生产设备和检测仪器、工装夹具。二、技术指标 键合面积98%,无大于0.5mm直径的空洞。 批量合格率96%。 键合片强度与单晶硅相当。 键合片边缘质量良好。以上指标满足规模生产要求。三、应用介绍用SDB衬底材料制造电力电子器件具有独特的优点,与三重扩散材料相比提高了工效、节约了能源、减少了生产过程中的碎片率,提高了成品率,器件性能也大大提高。与外延材料相比,可节约成本费20%以上,投资小,并可减少对环境的污染。本项科技攻关共生产2600对4SDB片,生产出YZ10012等功率电力电子器件202万只,直接节约成本26万元。以每年6.7万片产量计算,每
7、年可节约成本670万元,经济效益十分显著。4键合片的产业化将使晶来集团的电力电子器件的质量提高一个档次,大大提高晶来产品在国际市场的竞争力,并将对我国电力电子产业的发展产生重大的影响。SDB技术是目前国际上一种先进半导体材料制造技术,本项攻关,扬州晶来集团在国内首家实现了4SDB片规模生产并生产出了性能优良的功率电力电子器件。经查询,此项4SDB片规模生产技术未见国际上有同类报道。利用硅/硅直接键合制备电力电子器件用衬底材料一、成果简介 利用硅/硅直接键合(SDB)技术制备电力电子器件用衬底材料是“八五”期间国家计委下达的电子部重点科技攻关项目(85-7156-02-03)。东南大学在深入研究
8、硅/硅键合机理基础上,进一步研究了键合界面性质和影响键合质量的因素,突破了“低温低应力键合工艺技术”,“键合空洞抑制和消除技术”,“减少键合界面过渡区含氧量技术”等关键技术,使键合片质量和成品率明显提高。二、技术指标该(SDB)技术已能制备出直径为1.5吋4吋,晶向为111或,组合为N-/N+,N-/P+,N-电阻率从15*200cm,N-厚度为30*20m 硅/硅直接键合的电子电力器件用的衬底材料。键合材料成品率大于80%,键合面积大于95%,N-厚度大于70m时,起伏小于10%。键合片质量;界面强度与体硅材料相当(大于175kg/cm2),界面空洞基本消除,其它特性(寿命和缺陷)下降不大于
9、20%。三、应用介绍该项目技术简单实用,已提供约1500对SDB片供下列单位试用:电子部十三所用于SIT,SITH的研究(器件性能已达到SIT:800V/60A;SITH:1000V/50100A);衡阳晶体管厂用在3DK309上(BVcbo:12001350V/15A);扬州晶体管厂制备DK55(500V/5A,通过厂级A,B,C例行试验)等,取得良好效果。东南大学攻关取得的成果表明,完成了项目所规定的指标,该技术已达到国际先进水平;它使SDB技术走向成熟,为我国今后广泛应用打下良好的基础。建议:“九五”期间重点解决扩试和规模生产中的技术问题,进一步提高质量和成品率,降低成本,为推动我国电力
10、电子器件发展作出贡献。硅片直接键合生产技术及电力电子器件一、成果简介 “硅片直接键合生产技术及电力电子器件研究”是江苏省科委1990-1991年“八五”攻关项目。东南大学两年多围绕攻关内容进行了大量的研究工作。在优化键合技术;研究热键合空洞形成以及采取抑制热键合空洞技术取得了较大的进展,提高了键合片质量和成品率。在此同时,建立了一套键合前硅片检查,预键合中间检查以及热合后的最后检查的方法,初步形成了一条较为完整的键合工艺配套系统。并批量试验了不同直径(2,3,4)不同型号,不同电阻率(15200 CM)键合工艺。两年多来已提供1000多片合格的键合片给有关厂、研究所试用,取得了一定的效果。二、
11、应用介绍扬州晶体管厂批量投片生产高压大功率DK55已通过厂级A、B、C组例行试验,用于电子镇流器。在新的电力电子器件方面600V/1A,700V/3A,BSIT;1000V/10A,SITH(电子部13所);500V/5A,1000V/5A VDMOS(东大,华晶,中科院微电子所)以及500V/5A IUGBT(中科院微电子所)都出了样管。特别随着我国电力电子器件的发展,制造了更高电压、更大功率器件、研究新型结构器件等三重扩散和外延片无法解决的材料方面,SDB技术更能充分发挥其潜力。为完成进入高新技术区建设计划,东南大学在校筹建了小型试验生产基地。目前超净室、纯水系统、预键合热键合系统、测试系
12、统等已全部投入使用。这套小型系统的设计和运行将为进入高技术区更大规模生产作了技术准备。功率VDMOSFET一、成果简介 1、VDMOS是国际上八十年代迅速发展起来的电压控制型器件。是一种新一代功率集成化电力半导体器件。它具有速度快。可靠性高等优点。可广泛地应用于电子镇流器、开关电源、电机调速。汽车电子等领域。为高效节能、省材、节约空间提供了重要的物质手段。2、该器件在结构和工艺上具有独特的优点,它采用了场限制环、场板极、等位环结构。特别是采用了掺杂多晶硅固固扩散技术,设计合理,工艺简单,该器件作为高速开关工作。具有驱动功率小,速度高的特点,已在开关电源和大屏幕显示驱动中得到成功地应用,大大提高
13、了电路性能和可靠性。二、技术指标该功率VDMOSFET达到了预定的设计指标。BVDS200V,最高达到350V,IDS2A,最高达到5A,器件性能达到国内同类产品的先进水平。采用电源耐高压大电流器件和工艺研究 一、成果简介 该课题以VDMOS的技术作为主攻方向,研制了大功率VDMOS器件,并与双极兼容研制了带有过流自保护功能大功率VDMOS器件。采用PN结隔离技术,在同一芯片上实现了双极、CMOS和DMOS兼容,研制成功了脉宽调制的开关电源电路。实现了低压/高压、数字/模拟、双极/MOS兼容、耐高压、大电流的器件工艺方案和工艺规模。二、应用范围该成果在工业控制、仪器仪表、电光源、信息显示等领域
14、具有广阔的应用前景。MOS智能型开关电源功率集成电路一、成果简介 1、“MOS智能开关电源功率集成电路”由CMOS低压控制电路和功率VDMOS输出管构成,是低压/高压、MOS/双极、数字/模拟兼容的集成电路。2、该电路采用了隐埋、外延、PN结隔离、深磷扩散等技术,使双极型、CMOS和DMOS完全兼容的BCD工艺技术。 二、技术指标该电路功率输出级VDMOS管达到BVDS100V,IDS1A,导通阻抗2,并具有过流过压保护功能,低压控制部分的CMOS门电路、CMOS运算放大器、电压比较器等均满足脉宽调制电路的要求,该电路已成功地应用于采用脉宽调制的开关电源,性能良好。智能(带限流保护)VDMOS
15、高压大功率管一、成果简介 1、智能VDMOS高压功率管,它把保护器件双极型npn管和高压大功率VDMOS器件集成于同一芯片上,不仅具有常规VDMOS高压大功率器件的一切优点,而且具有自动过流保护功能。大大提高了器件可靠性,使用方便,简化了线路,降低了整机成本,提高了整机可靠性。效果显著。应用前景极为广阔。2、为了实现双极型器件和功率VDMOS管的兼容集成,在工艺上采用了高阻厚外延和PN结隔离技术,由于器件、工艺设计合理,不需附加工艺步骤,便于生产。二、应用范围电力电子、家用电器等。GeSi HBT及其Si兼容工艺一、成果简介 该成果解决了GeSiHBT与硅工艺兼容的5个关键技术难点,具体包括低
16、温工艺、刻蚀控制、界面I层生长、多晶硅发射极、基区浅离子注入与AlTi接触技术。提出并完善了低噪声和高频器件的设计理论,开发出完整实用的GeSi HBT器件分析设计的软件系统。研究了与硅工艺兼容的5种GeSi HBT器件结构,重点采用台面结构,优化相关的工艺条件。二、技术指标噪声系数在10kHz下仅为1db的低噪声GeSiHBT、截止频率在8GHz的高频GeSiHBT,产品性能满足合同规定的要求,器件的综合性能指标与噪声性能居于国内同类产品的先进水平。二、应用范围该项成果的红外焦平面阵列技术中的低温低噪声前置放大电路以及移动通信手机的RF IC中有实际的应用前景。微波化学反应器一、成果简介微波
17、化学反应器的特点在于它大大加快化学反应速度,使原来难以进行的化学反应成为可能。同时,它大大节省能耗、有利环保,实现清洁生产工艺。可广泛应用于天然气替代石油制成重要化工原料乙烯。二、应用范围特别有利于我国西部盛产天然气地区的开发。还可用于中药的提取。 东南大学拥有该发明专利。半导体低温器件与电路一、成果简介 1、通过深入细致的理论研究,获得了关于半导体低温器件与电路比较清晰的物理图像,为今后低温微电子技术的深入发展奠定了重要的理论基础。2、系统研究了低温半导体器件的模拟及分析技术,在此基础上完善并开发出低温器件模拟软件WINBILOW,为低温器件与电路的设计提供了实用化的工具。3、在建立的低温半
18、导体器件设计理论指导下,研制出的低噪声器件已在红外焦平面前置放大电路系统中获得了初步应用。4、发展完善了低温ECL电路和CMOS/BiCMDOS电路设计技术,研制出结构有创新、并与CMOS工艺兼容且性能优异的BMHMT器件,经工艺与设计技术的优化,研制出BiCMOS反向器、环形震荡器和放大器等多种电路结构,其性能明显优于同等条件下的常温器件与电路,在此基础上开展了初步的噪声与热载流子效应研究,为以上低温电路的应用创造了条件。5、提出了Si初底上的BSCCO超导膜新的螺旋式核生长机理,并利用溅射方法制作了较高质量的BSCCO/YSZ/Si兼容材料,从理论上探讨了高温超导/半导兼容材料在微电子系统
19、中的应用。二、技术指标77K下增益大于200的高增益器件、噪声达1nV/Hz1/2的低噪声器件以及性能优良的CMOS器件。三、应用范围本项目在理论分析,模型建立与模拟、器件与电路的设计研制和应用,以及超导/半导兼容技术的探索等诸多方面都取得了突出的成绩,其成果具国内领先地位,部分成果达到国际先进水平,可广泛应用于未来超高集成与超高速电路,空间和天文电子学等技术领域中,为低温微电子学的发展及应用奠定了良好的基础。激光电离一反射式串级飞行时间拭南谱仪一、 成果简介该仪器是一种新型的质谱分析仪器。对气体样品用脉冲分子束阀引入分析,对固体样品用激光烧蚀直接汽化法或激光烧蚀载气膨胀冷却法产生和分析它们的
20、团簇离子或中性团簇,用基质辅助激光脱附电离法可对脆弱的有机分子和生物大分子进行质谱分析,对以上样品均可进行正或负离子的检测。用本装置可进行多方面的物理化学、生物化学和医药方面的分析研究。仪器结构由汽化室、电离室、漂移管及反射室四部份组成。仪器电极尺寸采用国际上先进的二阶空间聚焦理论作设计计算的基础,采用了反射式及二级串联的形式。二、技术指标仪器经计算机模拟分辨能力达10000以上,功能和结构设计处国内领先。经实际使用,在电离激光脉宽10ns,瞬态记录仪频宽100MHz条件限制下的分辨能力达2500,该性能指标已达九十年代初同类仪器的国际先进水平。三、应用范围利用该仪器已经产生并分析了数十种物质
21、的团簇结构,推动了前沿学科的发展。它在一定领域内可取代常规质谱仪和常规串级质谱仪而有广阔的应用前景,目前已研制了三台。该仪器立足国内研制而成,节省经费。该仪器已于96年5月通过由江苏省科委组织的科技成果鉴定。光纤孤子通信传输与控制理论一、 成果简介光纤孤子通信是新一代高速长距离全光通信理论的理想方案,但GordomHaus效应以及其它各种非理想因素限制了通信容量的进一步提高。东南大学在前期有关光孤子通信研究的基础上,对突破限制通信系统容量的各种控制方案进行了全面、系统和深入的研究,特别是从理论上解决了利用频域滤波控制,同步幅度调制控制,同步位定调制控制以及色散配置和位相共轭控制等方案抑制孤子舆
22、系统噪声扰动的工作机、结构参数设计及其实际应用中的各种关键技术问题。二、应用范围 本项成果对线性光通信系统中的噪声扰动的抑制具有重要指导意义。光孤子波通信基础理论及其应用 成果简介该项目是为了开拓光纤传输媒质的频带资源、发展新一代高速长距离全光传输/通信技术所取得理论上有创见、方法上有创新的应用基础成果,属光电子学和光波通信的前沿分支学科领域。项目基于已有的非线性电磁导波理论,围绕光纤非线性传输特点,提出和研究了均匀媒质与随机均匀媒质孤子传输的新概念,发展了光孤子通信的系统理论。基于量子力学理论和机理,研究了光孤子通信的全量子理论。光孤子理论的研究推动了光孤子的传输、放大、检测和传输等方面系统
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