新型硅雪崩漂移探测器及其能量分辨率研究.ppt
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1、新型硅雪崩漂移探测器及其能量分辨率研究,袁 俊,李红日,梁 琨*,杨 茹,韩德俊 北京师范大学核科学与技术学院 *,硅雪崩漂移探测器 (Avalanche Drift Detector,ADD) 发展历史及研究现状,ADD既可以作为大面积、高增益、小输出电容、快速响应、大动态范围的单光子探测器,也可以作为具有高探测效率、低暗计数率的SiPM单元模块。 ADD结合了硅漂移探测器SDD输出电容小和雪崩二极管APD高增益的优点,在保持SDD低输出电容的同时具有高的内部增益和探测效率。,雪崩漂移探测器ADD由Gintas Vilkelis等在2001年提出。 2005-2006年德国马普所Gerhar
2、d Lutz等人提出将背面入射ADD作为硅光电倍增探测器SiPM的基本单元,几何填充因子接近100%,使SiPM预期达到80%的光探测效率。 目前马普所只制作出ADD中心雪崩结的简单测试结构。,新型正面入射雪崩漂移探测器结构,新型雪崩漂移探测器漂移区 (a)电势分布模拟; (b)空穴电流分布模拟,北师大新器件实验室ADD制作流程,P well was opened, boron ions implantation was performed,SiO2 was grown by thermal oxidation,N-Channel was opened, phosphorus ions wer
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- 新型 雪崩 漂移 探测器 及其 能量 分辨率 研究
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