利用开发板实现对eGaN FET电源设计的评估.doc
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1、利用开发板实现对eGaN FET电源设计的评估长期以来,宽带隙氮化镓硅(GaN-on-Si)晶体管现已上市。他们被吹捧为取代硅基MOSFET,这对于许多高性能电源设计而言效率低下。最近,市场上出现了几家基于GaN-on-Si的HEMT和FET的供应商,其中包括高效电源转换(EPC)。在过去的四年中,该公司一直在扩展其商用增强型(常关)GaN FET或eGaN FET系列。今天,低压eGaN FET系列中大约有11个成员,超高频线中大约有8个成员。什么是此外,为了加快eGAN FET对从硅MOSFET到eGaN FET的电源设计的评估,EPC在过去几年中发布了几个开发板。最新的介绍,包括EPC9
2、022到EPC9030,提供半桥拓扑结构和板载栅极驱动器。它们旨在简化公司EPC8000系列超高频,高性能eGaN FET的成员评估。目前,EPC8000系列中有8个成员,每个部分都有相应的开发板,如表1所示。表1:带有相应开发板的EPC8000系列(由EPC提供。)这些开发板尺寸为2英寸x 1.5英寸,包含两个半桥配置的eGaN FET,带有板载Texas Instruments栅极驱动器LM5113电源和旁路电容(图1)。此外,为了简化评估,它包含所有关键组件,并采用适当的布局以实现最佳的高频开关性能。此外,该电路板设计用于提供各种探头点,以便于简单的波形测量和效率计算(图2)。图1:EP
3、C的eGaN FET开发板的框图。图2:为了便于简单的波形测量和效率计算,开发板提供了各种探测点。例如,EPC9022在一半中使用两个65 V EPC8002 eGaN FET采用LM5113作为栅极驱动器的桥接拓扑结构。最小开关频率为500 kHz。表1显示eGaN FET的额定漏源击穿电压为65 V,RDS(on)为530m,连续漏极电流(ID)为25 A,环境温度为25C。使用该电路板,用户可以测量EPC8002的主要区别特征,包括给定导通电阻RDS(on),品质因数(FOM),开关频率和相关损耗,输出电容和封装电感的栅极电荷QG。产品数据表显示,对于给定的导通电阻,eGaN FET的栅
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