2晶体管高频小信号等效电路与参数.ppt
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1、封面 西藏圣湖玛旁雍错湖畔牧场返回 返回 引言 本页完本页完 引言 晶体管在高频小信号运用时,它的等效电路主要有两种形 式:形式等效电路和物理模拟等效电路(混合参数等效电路 )。 返回返回 形式等效电路通常亦称为y参数等效电路,是选取输入电 压和输出电压为自变量,输入电流和输出电流为参变量,阻抗 利用导纳参数(y参数),并且不涉及晶体管内部物理过程。 物理模拟等效电路通常称为混合等效电路,是把晶体管 内部物理过程用集中元件RLC表示,用物理模拟方法表示等效 电路。这在模拟电子技术中曾提及。 学习要点 本本 节节 学学 习习 要要 点点 和和 要要 求求 掌握掌握y y参数等效电路各量意义和等效
2、画法参数等效电路各量意义和等效画法 复习混合复习混合 等效电路等效电路 掌握以上两种电路参数的互换掌握以上两种电路参数的互换 了解晶体管的部分高频参数了解晶体管的部分高频参数 返回返回 主页 晶体管高频小信号等效电路与参数晶体管高频小信号等效电路与参数 使用说明:要学习哪部分内容,只 需把鼠标移到相应的目录上单击鼠标 左键即可,按空格键或鼠标左键进入 下一页。 结束结束 晶体管混合晶体管混合 等效电路等效电路 等效等效y y参数电路参数电路 参数与参数与y y参数的转换参数的转换 晶体管的高频参数晶体管的高频参数 圣湖旁色拉寺佛塔 返回返回 一、晶体管混合等效电路 (1)晶体管混合等效模型 晶
3、晶 体体 管管 结结 构构 示示 意意 图图 继续继续本页完 本页完 一、晶体管混合一、晶体管混合 等效电路等效电路 rbb rbe C C bebe c c e e b b b r r c c 为集电区体为集电区体 电阻,数值很小电阻,数值很小 可忽略。可忽略。 集电结集电结电容电容, 数值很小。数值很小。 ( (C C ) ) C C bcbc r rbc bc为集电 为集电 结电阻。结电阻。 r rbb bb 为基区 为基区 体电阻。体电阻。 r rbe be为发射 为发射 结电阻。结电阻。 r r e e 为发射区为发射区 体电阻,数值体电阻,数值 很小可忽略。很小可忽略。 发射结发射
4、结电容电容, 数值很小。数值很小。 ( (C C ) ) N N N N P P rbc bb c c + + - - - - - - + + + + r r bbbb r r bebe r r cece U U bebe U U bebe U U cece I I b b I I b b e e I Ic c I I b b b b 晶体管晶体管h h参数参数模型模型 当电路工作在高频信号时当电路工作在高频信号时 ,晶体管的等效模型必须考,晶体管的等效模型必须考 虑极间电容效应,晶体管高虑极间电容效应,晶体管高 频状态下的等效模型称为混频状态下的等效模型称为混 合合 参数模型,以下借助参数模
5、型,以下借助h h参参 数模型得出数模型得出 参数模型。参数模型。 晶体管晶体管h h参数模型只适用参数模型只适用 于电路工作在中频和低频于电路工作在中频和低频 信号的状态下。信号的状态下。 r r bbbb 和 和r rbe be 的串联 的串联 值就是值就是 h h 参数等参数等 效电路中的晶体效电路中的晶体 管输入电阻管输入电阻r rbe be。 。 晶体管高频小信号等效电路与参数晶体管高频小信号等效电路与参数 (1)(1)晶体管混合晶体管混合 等效模型等效模型 e c b 晶体管的h参 数等效电路 (1)(1)晶体管混合晶体管混合 等效模型等效模型 晶体管高频小信号等效电路与参数晶体管
6、高频小信号等效电路与参数 因为有因为有r rbc bc的分流作用 的分流作用 ,此时受控电流源不受,此时受控电流源不受I I b b 控制而受控制而受I I b b 控制,分析起控制,分析起 来不大方便,所以也改写来不大方便,所以也改写 为受为受U Ube be 控制,成为压控 控制,成为压控 电流源,控制能力也由电流源,控制能力也由 改为跨导改为跨导g gm m。 。 继续继续本页完 本页完 晶晶 体体 管管 结结 构构 示示 意意 图图 借鉴借鉴 h h 参数参数 绘出等效电路绘出等效电路 考虑到集电结电阻考虑到集电结电阻 r r bcbc横跨 横跨cbcb 间,亦把间,亦把 此电阻画在图
7、上此电阻画在图上。 r r bcbc bb c c + + - - - - - - + + + + r r bbbb r r bebe r r cece U U bebe U U bebe U U cece I I b b I I b b e e I Ic c I I b b b b rbb rbe C C bebe c c e e b b b ( (C C ) ) C C bcbc ( (C C ) ) N N N N P P rbc 一、晶体管混合一、晶体管混合 等效电路等效电路 考虑跨导的h参数等效电路 晶体管高频小信号等效电路与参数晶体管高频小信号等效电路与参数 因为有因为有r rbc
8、 bc的分流作用 的分流作用 ,此时受控电流源不受,此时受控电流源不受I I b b 控制而受控制而受I I b b 控制,分析起控制,分析起 来不大方便,所以也改写来不大方便,所以也改写 为受为受U Ube be 控制,成为压控 控制,成为压控 电流源,控制能力也由电流源,控制能力也由 改为跨导改为跨导g gm m。 。 (1)(1)晶体管混合晶体管混合 等效模型等效模型 继续继续本页完 本页完 晶晶 体体 管管 结结 构构 示示 意意 图图 借鉴借鉴 h h 参数参数 绘出等效电路绘出等效电路 考虑到集电结电阻考虑到集电结电阻 r r bcbc横跨 横跨cbcb 间,亦把间,亦把 此电阻画
9、在图上此电阻画在图上。 rbb rbe C C bebe c c e e b b b ( (C C ) ) C C bcbc ( (C C ) ) N N N N P P rbc r r bcbc bb c c + + - - - - - - + + + + r r bbbb r r bebe r r cece U U bebe U U bebe U U cece I I b b e e I Ic c I I b b b b g g mm U U bebe 一、晶体管混合一、晶体管混合 等效电路等效电路 (1)(1)晶体管混合晶体管混合 等效模型等效模型 考虑极间电容后的混 合模型 C C 横
10、跨在横跨在集电结电集电结电 阻阻r rbc bc两端 两端。 继续继续本页完 本页完 这个电路就是晶这个电路就是晶 体管混合体管混合 模型。模型。 晶晶 体体 管管 结结 构构 示示 意意 图图 借鉴借鉴 h h 参数参数 绘出等效电路绘出等效电路 C C C C 横跨在横跨在发射结电发射结电 阻阻r rbe be两端 两端。 rbb rbe C C bebe c c e e b b b ( (C C ) ) C C bcbc ( (C C ) ) N N N N P P rbc r r bcbc bb c c + + - - - - - - + + + + r r bbbb r r bebe
11、 r r cece U U bebe U U bebe U U cece I I b b e e I Ic c I I b b b b g g mm U U bebe C C 一、晶体管混合一、晶体管混合 等效电路等效电路 晶体管高频小信号等效电路与参数晶体管高频小信号等效电路与参数 (2)晶体管简化的混合等效模型 继续继续本页完 本页完 由由h h参数等效电路知,参数等效电路知, r r cece非常大,对 非常大,对I I c c 的分流作的分流作 用很小,可忽略用很小,可忽略。(2)(2)晶体管简化的混合晶体管简化的混合 等效模型等效模型 晶体管完整的混合晶体管完整的混合 模型模型 r
12、r bcbc是集电结反偏时 是集电结反偏时 的电阻,其阻抗远大的电阻,其阻抗远大 于于C C 的容的容抗,亦可看抗,亦可看 成开路忽略其作用成开路忽略其作用。 I I C C 简化后晶体管的混合简化后晶体管的混合 模型模型 C C r r bcbc bb c c + + - - - - - - + + + + r r bbbb r r bebe r r cece U U bebe U U bebe U U cece I I b b e e I Ic c I I b b b b g g mm U U bebe bb + + - - - - - - + + + + r r bbbb r r beb
13、e U U bebe U U bebe U U cece I I b b b b g g mm U U bebe C C C C I Ic c c c e e e e 一、晶体管混合一、晶体管混合 等效电路等效电路 晶体管高频小信号等效电路与参数晶体管高频小信号等效电路与参数 (1)(1)晶体管混合晶体管混合 等效模型等效模型 C C (2)(2)晶体管简化的混合晶体管简化的混合 等效模型等效模型 (1)(1)晶体管混合晶体管混合 等效模型等效模型 一、晶体管混合一、晶体管混合 等效电路等效电路 用密勒转换把C拆分为C和C 继续继续本页完 本页完 采用密勒转换把采用密勒转换把C C 拆分为拆分
14、为 两个电容两个电容C C 和和C C ,分别与分别与 输入和输出回路并接。输入和输出回路并接。( (推导推导 过程可参考童诗白编过程可参考童诗白编模拟模拟 电子技术基础电子技术基础P214P214。) ) 简化后晶体管的混合简化后晶体管的混合 模型模型 C C C C 这两个等效电容可以这两个等效电容可以 通过密勒定理算出。通过密勒定理算出。 bb + + - - - - - - + + + + r r bbbb r r bebe U U bebe U U bebe U U cece I I b b b b g g mm U U bebe C C C C I Ic c c c I I C C
15、 本等效电路由于本等效电路由于C C 横跨在输横跨在输 入和输出之间,令输入与输出入和输出之间,令输入与输出 相互牵连,使得对电路的分析相互牵连,使得对电路的分析 变得十分复杂变得十分复杂,应想法把晶体,应想法把晶体 管的输入和输出回路相互独立管的输入和输出回路相互独立 ,以便分析以便分析。 bb + + - - - - - - + + + + r r bbbb r r bebe U U bebe U U bebe U U cece I I b b b b g g mm U U bebe C C I Ic c c c e e e e e e e e 晶体管高频小信号等效电路与参数晶体管高频小信
16、号等效电路与参数 (2)(2)晶体管简化的混合晶体管简化的混合 等效模型等效模型 (1)(1)晶体管混合晶体管混合 等效模型等效模型 晶体管高频小信号等效电路与参数晶体管高频小信号等效电路与参数 一、晶体管混合一、晶体管混合 等效电路等效电路 C和C与C的关系 继续继续 简化后晶体管的混合简化后晶体管的混合 模型模型 C C C C 晶体管单向化后的混合晶体管单向化后的混合 模型模型 本页完本页完 由密勒定理得由密勒定理得 C C =(1=(1+|+|K K|) |)C C 其中其中K K= =U Uce ce / /U U bebe 一般有一般有| |K K|1|1,所以所以 C C | |
17、K K| |C C 晶体管总的输入电容为晶体管总的输入电容为 C C C C + +C C = =C C + +| |K K| |C C C C 另另C C =(=(K K- -1)/(1)/(- -K K) )C C C C 很小,容抗很大可忽略。很小,容抗很大可忽略。 bb + + - - - - - - + + + + r r bbbb r r bebe U U bebe U U bebe U U cece I I b b b b g g mm U U bebe C C I Ic c c c 本等效电路由于本等效电路由于C C 横跨在输横跨在输 入和输出之间,令输入与输出入和输出之间,令
18、输入与输出 相互牵连,使得对电路的分析相互牵连,使得对电路的分析 变得十分复杂变得十分复杂,应想法把晶体,应想法把晶体 管的输入和输出回路相互独立管的输入和输出回路相互独立 ,以便分析以便分析。 bb + + - - - - - - + + + + r r bbbb r r bebe U U bebe U U bebe U U cece I I b b b b g g mm U U bebe C C C C I Ic c c c I I C C e e e e e e e e (2)(2)晶体管简化的混合晶体管简化的混合 等效模型等效模型 (1)(1)晶体管混合晶体管混合 等效模型等效模型 晶
19、体管高频小信号等效电路与参数晶体管高频小信号等效电路与参数 一、晶体管混合一、晶体管混合 等效电路等效电路 对C作用的 分析 继续继续 C C C C 晶体管单向化后的混合晶体管单向化后的混合 模型模型 本页完本页完 晶体管单向化简化后的混合晶体管单向化简化后的混合 模型模型 通过对晶体管的混合通过对晶体管的混合 模型简模型简 化后发现,其等效电路与化后发现,其等效电路与h h参数参数 等效电路相比较只是多了一个电等效电路相比较只是多了一个电 容容C C , C C 对输入信号的低频成对输入信号的低频成 分呈很大的容抗,可忽略;但分呈很大的容抗,可忽略;但C C 对输入信号的高频成分呈很小的对
20、输入信号的高频成分呈很小的 容抗,起到分流作用,使得晶体容抗,起到分流作用,使得晶体 管的放大能力有所下降。这就是管的放大能力有所下降。这就是 我们在高频时要考虑的因素。我们在高频时要考虑的因素。 晶体管总的输入电容为晶体管总的输入电容为 C C C C + C+ C = C= C + + | |K|C K|C bb + + - - - - - - + + + + r r bbbb r r bebe U U bebe U U bebe U U cece I I b b b b g g mm U U bebe C C I Ic c c c bb + + - - - - - - + + + + r
21、 r bbbb U U bebe U U bebe U U cece I I b b b b g g mm U U bebe C C I Ic c c c r r bebe e e e e e e e e 由密勒定理得由密勒定理得 C C =(1=(1+|+|K K|) |)C C 其中其中K K= =U Uce ce / /U U bebe 一般有一般有| |K K|1|1,所以所以 C C | |K K| |C C 晶体管总的输入电容为晶体管总的输入电容为 C C C C + +C C = =C C + +| |K K| |C C 输入信号的高频成份被电容输入信号的高频成份被电容 C C
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- 晶体管 高频 信号 等效电路 参数
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