[电子标准]-SJT 10061-1991 电子元器件详细规范 2CV3A,2CV3B和2CV3G型硅肖特基势垒混频二极管1.pdf
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1、rJ 中华人民共和国电子工业行业标准 s J / T 1 0 0 6 1 -9 1 电子元器件详细规范 2 C V 3 A、 2 C V 3 G和 2 C V 3 G型 硅肖特基势垒混频二极管 1 9 9 1 一 0 4 - 0 8 发布1 9 9 1 一 0 7 - 0 1 实施 中华人民共和国机械电子工业部发布 中 华 人 民 共 和 国 电 子 工 业 行 业 标 准 电子元器件详细规范 2 C V3 A, 2 C V 3 B和 2 C v3 G型 硅肖特基势垒混频二极管 S J / T 1 0 0 6 1 -9 1 De t a i l s p e c i f i c a t i o
2、n f o r e l e c t r o n i c c o mp o n e n t s S i l i c o n s c h o t t k y b a r r i e r mi x e r d i o d e s f o r t y p e s 2 CV3 A, 2 CV3 B a n d 2 CV3 G 本标准适用于 2 C V 3型硅肖特基势垒混顿二极管, 它符合G B 4 5 8 9 . 1 半导体器件分立器 件和集成电路总规范 和G B 1 2 5 6 0 半导体器件分立器件分规范 的 1 类要求。 中华人民共和国机械电子工业部 1 9 9 1 - 0 4 - 0 8 批准
3、1 9 9 1 - 0 7 - 0 1 实施 1 一 S J / T 1 0 0 6 1 -9 1 中华人民共和国机械电子工业部 评定器件质t的根据: G B 4 5 8 9 . 1 ( 半导体器件 分立器件和集成电路总规范 GB 1 2 5 6 0 ( 半导体器件 分立器件分规范 S J / T 1 0 0 61 -91 2 C V 3 A, Z C V 3 B和 2 C V 3 G型硅肖特签势垒混颇二极管详细规范 订货资料: 见本规范第 7章 机械说明 2 筒略说 明 外形标准: 符合S 1 2 0 0 5 微波二极管外形尺寸 中 W-05型 外形图 肖特基势垒混频二极管 半导体材料: 硅
4、 封装: 金属陶瓷( 空腔) 应用 在X波段苗达通讯接收机和电子仪器 中做混频和检波用 3 质f评定 类别 卫类 参考数据 F 2 9 0 0 I a , 1 0 0 0 A2 b分组 F I Yr , GB 6 5 7 0, 4 . 6 GB 6 5 7 0, 4 . 1 . 2 G B 6 5 7 0, 3 . 3 . 1 几 =9 3 7 5 MHz , P=1 mW fB = 3 0 M Hz , P. . =1 . 5 d B 2 CV3 A, 2 CV3 G 2 C V 3 B Va - 2 V / F 1 =0 . 3 -A一、 一dR I d B I p A mV一 一4 一
5、S J / T 1 0 0 6 1 -9 1 续表 检脸或试验引用标准 条件 T. m6 =2 5 C ( 见总规范的第 4 章) 检验要求 数值 单位 LTPD 最小值最大值 A3分组 Z u V S W R D V F Ct o , GB 6 5 7 0 , 4 . 3 GB 6 5 7 0 , 4 . 4 GB 6 5 70 . 3 . 3 . 1 GB 6 5 7 0, 3 .5 f. =9 3 7 5 MHz , P=1 .W f . =9 3 7 5 MHa , P=1 m W I v , =0 . 3 mA I r . =1 mA 1 5 0 4 5 0 1 . 6 5 0 0
6、. 7 0 n mV p F 7 B组逐批 标注( D ) 的试验是破坏性( 3 . 6 . 6 ) 检验或试验引用标准 条件 T. . t=2 5 ( 见总规范的第4章) 检验要求 极限 单位 L T P D 最小值最大值 川 分组 尺寸4 . 2 . 2 1 5 B 5 分组 温度变化 继之以 密封 GB 49 3 7. 3. 1 . 1 “ GB 4 9 3 7, 3 . 7 . 4 GB 4 9 3 7, 3 . 7 . 5 TA=一5 5 C , 7 n= 1 2 5C t , =3 0 mi n, t , =2 -3 mi n 循环次数: 5次 细检漏: 方法 1 粗检漏: 方法
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