[电子标准]-SJT 10082-1991 电子元器件详细规范 半导体集成电路CT54195/CT74195型4位移位寄存器 (并行存取,J-K输入).pdf
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1、L - i 中华人民共和国电子工业行业标准 S J / T 1 0 0 4 2 1 0 0 4 8 -9 1 S J / T 1 0 0 7 8. 1 0 0 8 6 -9 1 电子元器件详细规范 半导体集成电路T T L电路 ( 一 ) 1 9 9 1 一 0 4 - 0 8 发布1 9 9 1 一 0 7 - 0 1 实施 中华人民共和国机械电子工业部发布 中 华 人 民 共 和 国 电 子 工 业 行 业 标 准 电子元器件详细规范 半导体集成电路C T 5 4 1 9 5 / C T 7 4 1 9 5 型 4位移位寄存器( 并行存取, J 一K输人) S J / T 1 0 0 8
2、2 -9 1 De t a i l s p e c i f i c a t i o n f o r e le c t r o n i c c o mp o n e n t s S e mi c o n d u c t o r i n t e g r a t e d C T 5 4 1 9 5 / C T 7 4 1 9 5 4 - b i t p a r a l l e l - a c c e s s ci r c u i t s h i f t r e g i s t e r 本规范规定了半导体集成电路 C T5 4 1 9 5 / C T 7 4 1 9 5 型 4位移位寄存器( 并行存取
3、, J - - K 输入) 质量评定的全部内容。 本标准符合G B 4 5 8 9 . 1 ( 半导体器件分立器件和集成电路总规范分 和 G B / T 1 2 7 5 0 a 半导 体集成电路分规范( 不包括混合电路) 的要求 4 3 华人民共和ig F i,i A电子工业部 1 9 9 1 一 0 4 - 0 8批 准1 9 9 1 - 0 7 - 0 1实施 1 60 S J / T 1 0 0 8 2 -9 1 中华人民共和国机械电子工业部 评定器件质t的依据: G B 4 5 8 9 . 1 半导体器件分立器件和 集成电路总规范 G B / T 1 2 7 5 0 半导体集成 电路分
4、规范 ( 不包括混合电路) S J / T 1 0 0 8 2 -9 1 C T 5 4 1 9 5 / C T 7 4 1 9 5 型4 位移位寄存器( 并行存取, J 一 K输入) 详细规范 订货资料: 见本规范第 7 章。 机械说 明简要说明 外形依据: G B 7 0 9 2 半导体集成电 路外形尺寸 。 外形 图: GB 7 0 9 2 D型 5 . 3条及 5 . 3 , 1条 J型 5 . 4条及 5 . 4 . 1条 P型5 . 5 条及 5 . 5 . 1 条 F型5 . 1 条及 5 . 1 . 1 条 双极型寄年器 半导体材料: 硅 封装: 空封、 非空封 逻辑图、 功能
5、表见本规范第 1 1 章。 品种 : 引出端 排列 : 贬 厂。|233P QQQQ一QC CR 1 K D a Di D2 Dn G N n vim 0- 7 0 ( C) 一 5 5- -1 2 51 0 ( M ) 陶瓷直插( D) CT5 4 1 9 5 MD 黑瓷直插( J ) CT7 4 1 9 5 C J C T5 4 1 9 5 MJ 塑料直插( P ) CT7 4 1 9 5 CP 多层陶瓷扁平( F ) C T5 4 1 9 5 MF S H / L D 引出端符号名称见本规范1 1 . 5 条。 标志: 按 G B 4 5 8 9 . 1 第 2 . 5 条及本 规范第
6、s 章。 质量评定类别 ,A.,B.,c 1 61 S J / T 1 0 0 8 2 -9 1 4 极限值( 绝对.大颇定值) 若无其他规定, 适用于全工作温度范围。 条款号参数符 号 数值 单位 最小最大 4 . 1 工作环境温度 5 4 Te mb 一 5 51 2 5 7 407 0 4. 2 贮存温度T. i g 一 6 51 5 0 4. 3 电薄电压 Vc c7v 4. 4 输人电压 V5 . 5v 4. 5 多发射极晶体管 输入端间的电压 v n5 . 5v 5 电工作条件和电特性 电特性的检验要求见本规范第 8章。 5 . 1 电工作条件 若无其他规定, 适用于全工作沮度范围
7、。 条款号 参数符 号 数值 单位 最小最大 5 . 1 . 1 电源电压 5 4 v+ 4 . 55 . 5 v 4 . 7 55 . 2 57 4 5 . 1 . 2 输入高电平电压V. . 2v 5 . 1 . 3输入低电平电压v0 . 8 v 5 . 1 . 4输出高电平电流l u一 8 0 0 F A 5 . 1 . 5输出低电平电流I L1 6. A 5 . 1 . 6脉冲宽度 CY t w 1 6 n s 1 2CR 5 . 1 . 7建立时间 SH/ LD 1 - 2 5 nSJ . R, D2 0 2 5CR 5 .1 .8保持时间Dt 日0n S 5 . 2 电特性 若无其
8、他规定, 适用于全工作温度范围。 1 62 S J / T 1 0 0 8 2 -9 1 条献号特 性 和 条 件 ,符号 规 范 值 单 位试 验 最 小最 大 5 . 2 . 1 输出高电平电压 V -=最小V ,H =2 V V 二 二0 . 8 V l a , =一8 0 0 1A Vo “2 . 4 VA3 5 . 2 . 2 翰出低电平电压 V 二二最小Vix =2 V Va=0 . 8 V I O C . =1 6 mA V- 0 . 4VA 3 5 . 2 . 3 输入钳位电压 V -=最小l , 二一1 2 .A V. 一 1 5VA 3 5 . 2 . 4 输入高电平电流
9、V 二二最大Vm=2 . 4 V 1 1 .4 0 尸 A A 3 5 . 2 . 5 输入低电平电流 V 二二最大V, 二。 . 4 V 1 “一 1 . 6m AA3 5 . 2 . 6 最大输入电压下的输入电流 V 二二最大V , 二5 . 5 V i t 1- AA 3 5 . 2 . 7 输出短路电流 V -=最大 5 4 1 . 一 2 0一 5 7 . AA 3 一 1 8一 577 4 5 . 2 . 8 电源电流 V a c =最大S H/ L D接地 J , K, D接4 . 5 V其他翰入端接地 输出端开路 I -6 3m AA 3 5 . 2 . 9 最高工作频率 Cc
10、 =1 5 pF Rc =4 0 0 Q V-=5 V T. .b =2 5 C f - 3 0M H zA 4 5 . 2 . 1 0 传输时间 Cc =1 5 p F R c =4 0 0 1 1 Te mb= 2 5C V- =5 V C F - - Q, Q A -2 2 里】 5A 4t -2 6 CR-Q t -3 0 注: 1 ) V 。为最小或最大. 按本规范第 5 . 1 . 1 条。 6 标志 器件上的标志示例: 认证合格帐窟 括用时, 口 3 1tk 4 f“ 1三下 仁O C T7 4 1 9 5 C P 8 9 1 6 M A 一 型号 质月评定类别 侧遭单位商标 1
11、 63 S J / T 1 0 0 8 2 -9 1 若受器件尺寸限制时, 允许将“ 检验批识别代码” 、 “ 质盈评定类别” 标在器件背面. 了 订货资料 若无其他规定, 订购器件至少需要下列资料: 产品型号; b . 详细 规范编号; c . 质量评定类别; d . 其 他 。 a 试验余件和检验要求 抽样要求: 根据采用的质f评定类别, 参照G B / T 1 2 7 5 0 第9 章的有关规定. A组检验的抽样要求 分组 AQL l 类 .类 I LAQL I L AQL A 1I0 . 6 5 10 . 6 5 A2I0 . 1 1 0 . 1 A 3I0 . 1 5 I 0 . 1
12、 5 人 3 aS 41 . 0S41 . 0 A3 bS 41 . 0S4 1 . 0 A 4S 41 . 0S4 1 . 0 B组、 C组和 D组检验的抽样要求 分组 L TPD . 类 .类 A BC B11 51 51 51 5 C12 02 02 02 0 C2 b1 51 51 51 5 C31 51 51 51 5 B4 C41 01 01 01 0 B5 C51 01 01 01 0 C62 02 02 020 C71 51 51 51 5 B8 C81 0571 0 C91 557i s 16 4 S J / T 1 0 0 9 2 - 9 1 续表 分组 LTPD I 类
13、,类 AC Cl l2 0 2 02 0 2 0 B 2 1 2 01 01 01 5 C2 32 01 01 52 0 C2 42 0 1 01 5 2 0 D8 1 0573 0 A组逐批 全部试验均为非破坏性的( 见G B 4 5 8 9 . 1 第3 . 6 . 6 条) 检验或试脸引 用 标 准 条件 若无其他规定, T. b 二2 5 C ( 见GB 4 5 8 9 . 1 第4 . 1 条) 检脸要求 规 范 值 A l分组 外部目检 GB 4 5 8 9 . 1. 4 . 2 . 1 . 1条 标志清晰, 表面无摄伤 和气孔 A 2分组 2 5 下的功能验证按本规范 5 . 2
14、 . 1 条, 5 . 2 . 2条和 1 1 . 3条 按本规范5 . 2 . 1 条、 5 . 22 条和 H. 3 条 人3分组 2 5 下的静态特性GB 3 4 3 9 半导体集 成电路 T TL电路侧 试方法的基本原理 按本规范5 . 2 . 1 条至5 . 2 . 8 条和 1 0. 1条 按本规范 5 . 2 . 1 条至 5 2 . 8 条 M a 分组 最高工作温度下的 静态特性 G B 3 4 3 9 T,.进 本规范4 . 1 条规定的最大 值。条件: 同A3 分组一 同A 3分组 A3 b分组 最低工作盆度下 的 静态特性 CB3 4 3 9 am b 按本规范 4 .
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