GBT 17573-1998.pdf
《GBT 17573-1998.pdf》由会员分享,可在线阅读,更多相关《GBT 17573-1998.pdf(53页珍藏版)》请在三一文库上搜索。
1、霭鹭 中 华 人 民 共 和 国 国 家 标 准 G s / T 1 7 5 7 3 一 1 9 9 8 i d t I E C 7 4 7 - 1 : 1 9 8 3 半导体器件 分立器件和集成电路 第 1 部分 : 总则 S e m i c ond uc t or de v i c e s n d i n t e g r a t e d c i r c u i t s : Ge n e r a l 1 9 9 9 一 0 6 一 0 1 实施 国 家 质 量 技 术 监 督 局发布 GB/ T 1 7 5 7 3 -1 9 9 8 目次 前 言 I EC前言 N 第 I 篇I E C 7
2、4 7 和 I E C 7 4 8 标准的范围和说明 1 I EC 7 4 7标 准 2 I EC 7 4 8标准 第 I篇I E C 7 4 7 - 1 标准的目的和说明 目的 说 明 第 , 篇I E C 7 4 7 - 2 , I E C 7 4 7 - 3 等标准的目的、 说明和要求 每个标准的目的 对 每个标准的说 明 对 每个标准各篇 的要求 第W篇名词术语( 通用部分) 引言 。 。 “ “ 3 物理 学术语 ” 3 通用 术语 5 器件类型 、 ” ” 8 有关额定值和特性的 术语 “ “ n 脉冲术语和定义 。 , 1 6 输人至输出脉冲开关时间, 通用术语 “ 1 9 第V
3、篇文字符号( 通用部分) 引言 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2 1 电流、 电压和功率的文字符号 。 二2 1 电参数的文字符号 . . . . . . . . . .
4、 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2 4 其他量的文字符号 2 6 以 对 数 标 度单 位d B 表示 的 信 号比 的 文 字 符 号 ” 2 7 第协篇墓本额定值和特性( 通用部分) 引言 2 8 介绍发布资料的标准格式 2 8 定义 2 8 I G s / T 1 7 5 7
5、 3 -1 9 9 8 4冷却条件 的定义 。 2 9 5 推荐的温度一览表 。 3 0 6 推荐的电压、 电流一览表 。 。 3 0 7 机械额定值、 特性和其他资料 。 。 3 2 8 半导体器件管座上引出端位置的 标准 化 . 3 3 9 半导体器件引出 端的色码 。 。 。 。 。 。 3 4 1 0 用于具有公用封装的复合半导体器件的通用资料 3 5 1 1 产品的离散性和一致性 3 6 1 2 印制导线和印制电路 , , , 3 6 第姐篇一般测试方法和基准测试方法( 通用部分) 第 1节一般测试 方法 1引言 。 。 3 6 2一般注意事项 。 , , 。 。 3 6 第 2 节
6、基准测试方法 1 基准测试方法导则 。 。 3 8 2 电 基准测试方法的热条件 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 8 第姐篇分立器件的接收和可命性 第 1节概述 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
7、 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4 0 第 2节一般原 理 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
8、 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4 0 第 3 节电耐久性试验 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4 0 1目的和注意事项 . . . .
9、. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4 0 2 一般要 求 。 。 。 4 0 3 特殊要求( 通用部分) 。 4 3 第I X 篇静电敏感器件 操作 注意事项 。 4 4 4446 标志和符号 。 。 ” 二 “ . 对短 电压脉冲敏感的 电子器 件
10、的试验方法 G B / T 1 7 5 7 3 -1 9 9 8 前言 本标准等同采用国际标准 I E C 7 4 7 - 1 : 1 9 8 3 半导体器件分立器件和集成电路第 1 部分: 总则 。 1 9 9 1 年 9 月, I E C 7 4 7 - 1 作了第一次修订; 1 9 9 3年 1 0 月, I E C 7 4 7 - 1 作了第二次修订。本标准包括 了这两次修订的内容。 由于I E C 7 4 7 - 1作了两次修订, 使图号的顺序打乱, 本标准根据图出现的先后顺序重新编排了图 号。 本标准的第 工 篇至第1篇是对 I E C 7 4 7 和 I E C 7 4 8 这两
11、套标准的范围、 说明和要求, 不涉及具体内 容, 为便于和I E C标准等同, 仍保留这三篇。 但因我国标准给号与 I E C不同, 不便于叙述, 故仍直接使用 I E C标准号叙述。I E C标准与国家标准对应如下: I EC 7 4 7 - 1 GB/ T 1 7 5 7 3 -1 9 9 8 I EC 7 4 7 - 2 GB/ T 4 0 2 3 -1 9 9 7 I EC 7 4 7 - 3 GB/ T 6 5 7 1 -1 9 9 5 I EC 7 4 8 - 1 GB/ T 1 6 4 6 4 -1 9 9 6 I EC 7 4 8 - 2 GB/ T 1 7 5 7 4 - 1
12、 9 9 8 本标准由中华人民共和国电子工业部提出。 本标准由全国半导体器件标准化技术委员会归口。 本标准由电子工业部标准化研究所负责起草。 本标准主要起草人: 王长福、 顾振球、 吴速、 干丽芬。 G B / T 1 7 5 7 3 -1 9 9 8 I E C前言 1 ) I E C ( 国际电工委员会) 在技术问题上的正式决议或协议, 是由对这些问题特别关切的国家委员 会参加的技术委员会制定的, 对所涉及的向题尽可能地代表了国际上的一致意见。 2 )这些决议或协议, 以推荐标准的形式供国际上使用, 并在此意义上为各国家委员会所认可 3 )为了促进国际间的统一, I E C希望各国家委员会
13、在本国条件许可的情况下, 采用 I E C标准的文 本作为其 国家标 准 , I E C标准与相应 国家标准之间的差异 , 应尽可能在国家标准 中指明。 本标准是国际电工委员会第 4 7 技术委员会( 半导体器件和集成电路) 制定的。 I E C 7 4 7 - 1标准构成半导体器件通用标准的第一部分, 它给出的是通用条文。 I E C 7 4 7 - 2 , I E C 7 4 7 - 3 等标准 中的每 一个标准 , 是给某一种类型 的器件提 出补充条文。 1 9 8 2 年 9 月在伦敦举行的第4 7 技术委员会会议上, 批准了将 I E C 1 4 7和I E C 1 4 8 标准改编
14、成现行 的按器件编排的建议。 由于所有的组成部分都已预先按“ 六个月法” 或“ 二个月程序” 表决批准, 因而无需 重新表决 I E C 1 4 7和I E C 1 4 8 标准中有关集成电路的内容已包括在I E C 7 4 7 - 1 和 I E C 7 4 8 标准中。 I E C 1 4 7 - 5 和 I E C 1 4 7 - 5 A标准中有关机械和气候试验方法的内容, 已包括在 I E C 7 4 9标准中。 中 华 人 民 共 和 国 国 家 标 准 半导体器件 分立器件和集成 电路 第 1 部分 : 总则 G B / T 1 7 5 7 3 一 1 9 9 8 i d t I
15、E C 7 4 7 - 1 : 1 9 8 3 S e m i c o n d u c t o r d e v i c e s Di s c r e t e d e v i c e s a n d i n t e g r a t e d c i r c u i t s P a r t 1 : Ge n e r a l 第 I 篇I E C 7 4 7 和 I E C 7 4 8 标准的范围和说明 I E C 7 4 7标准 1 . 1 范 围 I E C 7 4 7 标准包括如下内容: 分立器件和集成电路的通用标准; 为完善分立器件标准用的补充标准。 1 . 2说明 I E C 7 4 7 标
16、准由单行本 I E C 7 4 7 - 1 , I E C 7 4 7 - 2 等几个标准组成。通过发布补充件, 例如I E C 7 4 7 I A, 来跟上时代的发展。 2 I EC 7 4 8标准 2 . 1范围 I E C 7 4 8标准应与 I E C 7 4 7 - 1 标准一起使用。I E C 7 4 8 标准给出了有关集成电路的标准。 2 . 2说明 I E C 7 4 8标准由单行本 I E C 7 4 8 - 1 , I E C 7 4 8 - 2等几个标准组成, 通过发布补充件, 例如I E C 7 4 8 - 1 A 来跟上时代 的发展。 第 I 篇I E C 7 4 7
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- GBT 17573-1998 17573 1998
链接地址:https://www.31doc.com/p-3763360.html