高效率LED驱动器IC设计.ppt
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1、高效率 LED驱动器IC设计,2009年LED通用照明驱动技术研讨会,关于Power Integrations,用于高能效电源转换的高压集成电路业界的领先供应商 能够为消费类电子产品、计算机、通信、工业控制及照明应用提供首屈一指的电源解决方案 已为市场提供数十亿个器件 高效节能领域的先驱(EcoSmart) 拥有业界领先的产品质量与交付能力 全球技术支持网络,高效率有助于实现集成设计,低功耗有助于在灯泡替换中采用集成的LED驱动器 灯杯里面的功率略有增加,便会提高几度温度并降低可靠性 效率的提升有助于提高市场对LED灯的接受程度 所采用的高能效镇流器可以在整个LED灯生命周期内节省能源,发挥应
2、有的价值,随着发光效率的提高,功率需量应有所下降,挑战:设计功率低于5 W的极高效率LED驱动器,LED Road Map OIDA,800流明灯,主要功耗因素,提供5 W输出将总共产生2 W损耗 (传统的反激式转换器LED驱动器),初级侧控制可省去电流检测,省去光耦器、次级反馈电路及所有次级侧CC/CV控制电路 LinkSwitch-II 5% CC/CV 完全省去电流检测所产生的耗散,高频率 = 低变压器耗散,LinkSwitch-II以85 kHz工作可减少变压器中的绕组层数 降低导通损耗 降低与漏感相关的开关损耗 由于采用PI横向技术,MOSFET开关损耗的增加可以忽略不计,45 kH
3、z变压器,85 kHz变压器,高频率 = 低输出二极管耗散,低频率工作,高频率工作,输出二极管中的电流,与输出二极管相关的导通损耗的计算公式如下: Plosses=Vo*Iavg+rd*Irms2 如果将频率提高2倍,Irms将减小2倍 第二项与功耗相关,将减小4倍 对于肖特基二极管来说,工作频率介于45 kHz和85 kHz之间的开关损耗增加可以忽略不计,高VOR设计允许使用低压输出二极管 使二极管中的功耗最多减少15% 高VOR可减小初级侧电流 减小MOSFET中的耗散,700 V MOSFET支持具有高VOR的设计,隔离式设计方案需要16个外围元件,满载时效率为76% 板面积:26 mm
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