硅集成电路制造工艺.ppt
《硅集成电路制造工艺.ppt》由会员分享,可在线阅读,更多相关《硅集成电路制造工艺.ppt(45页珍藏版)》请在三一文库上搜索。
硅基大规模集成电路制作技术,集成电路的发展,单个器件的尺寸越来越小 晶片的尺寸越来越大,器件变小,减小光刻的特征线宽(Lateral feature size) 从设计上缩小器件的尺寸 设计功能强大,集成度更高的器件,晶片变大,硅晶的生产工艺提高,可以生成更大直径的晶体 薄膜生长,光刻,蚀刻等制作工艺的性能提高 制作生产线的改进,Moores Law,半导体材料:硅,1960年以前,Ge和GaAs占半导体的主导地位。 1953年,Brattain 和 Bardeen发现可以利用氧气,水等使 半导体表面氧化; 1960年,高质量的SiO2直接生长在Si表面 1947年,第一个点接触式半导体器件(复合锗晶体)诞生,两年 后基于单晶硅的器件产生 硅还具有其它良好特性,自此以后成为半导体领域的主导者,Intel CPU的发展,例:Silicon IC,关键步骤或工艺,晶体生长 光刻 氧化 扩散 离子注入 蚀刻 薄膜生长 后道工艺,光刻,掩膜和套刻,Photolithography,氧化,薄膜生长,薄膜外延生长,刻蚀,离子注入,CMOS工艺,固体物理知识,半导体掺杂,PN Junction,二极管,MOS电容,nMOSFET, pMOSFET,MOSFET,MOSFET工作原理,
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 集成电路 制造 工艺
链接地址:https://www.31doc.com/p-8831556.html