超大规模集成电路

1、超大规模集成电路铜互连电镀工艺 文章来源 毕业论文网 摘要:介绍了集成电路铜互连双嵌入式工艺和电镀铜的原理;有机添加剂在电镀铜中的重要作用及对添加剂含量的监测技术;脉冲电镀和化学电镀在铜互连技术中的应用;以及铜互连电镀工艺的发展动态。 关键词:集成电路,铜互连,电镀,阻挡层 1.双嵌入式铜互连工艺 随着芯片集成度的不断提高,铜已经取代铝成为超大规模集成电路制造中的主流互连技术。

2、黄君凯 教授,超大规模集成电路技术基础（7-8）,7.2.2 退火,（1）基本概念 退火 将半导体材料置于高温下一段时间，利用热能，一方面可使材料内的原子进行晶格位置重排以降低材料中缺陷，另一方面激活注入粒子或载流子以恢复迁移率等材料的电学参数。 退火技术 常规退火：将退火材料置于热炉管内，通过长时间高温退火来消除 材料损伤和激活电参数。 快速热退火（RTA）：使用各种能源并在极短时间内可。

3、黄君凯 教授,超大规模集成电路技术基础4-5修改,4.2 下一代光刻方法,4.2.1 电子束光刻：生产光学掩模 （1）装置,图4-14 电子束光刻机,电子束波长：,黄君凯 教授,超大规模集成电路技术基础4-5修改,（2）特征 优势: 无需掩模在晶片上直接形成图像 精密化自动控制操控 良好的焦深长度 生成亚微米抗蚀剂图形 劣势： 生产效率较低 ( ) 【结论】 采用符合加工器件最。

4、黄君凯 教授,超大规模集成电路技术基础8-2修改过,8.5.2 化学气相淀积,金属化工艺： CVD比PVD能形成一致性更好的台阶覆盖层， 且适用于大批量淀积。 1. CVD钨（电阻率 5.3 ，熔点 3382 ：金属层及钨插塞） （1）硅衬底 首先，采用选择性W 淀积成核层： （硅还原反应） 然后，再用覆盖式W 淀积加厚层： （硅烷还原反应）,超大规。

5、3.2 氧化过程中杂质再分布,3.2.1 影响的因素 （1）杂质在 界面附近的分凝系数 （2）杂质在氧化硅中的扩散系数：快扩散与慢扩散 （3）氧化过程中 界面的推进速率,黄君凯 教授,3.2.2 再分布过程,:在硅衬底深处的杂质平衡浓度 ; :在 附近的杂质平衡浓度 结论 硅中的杂质再分布影响着工艺和性能 （界面陷阱特性、阈值电压、接触电阻等）,图3-10 热氧化引起的杂质再分布。

6、最新资料推荐 Assignment 3 1. Using HSPICE and TSMC 0.18 mCMOS technology model with 1.8 V power supply, plot the subthreshold current I DSUB versus VBS, and the saturation current IDSAT versus VBS for an 。

7、第9章 工艺集成,IC制造工艺流程 原始材料：抛光晶片 薄膜成型：外延膜、电介质膜、 多晶硅膜、金属膜，氧化膜 掺杂与光刻：扩散、注入、各种光刻 刻蚀：湿法与干法 IC芯片：图形转换到晶片 IC芯片与集成度 小规模集成电路SSI：元件数 个 中规模集成电路MSI：元件数 个,黄君凯 教授,图9-1 IC制造流程,戳答医彭豢爪晚怒交蝇忧分瞪嚷望嫡拒铣撇臆毁缀艰喇健尼戮你墩耸瞬晨。

8、第3章 硅氧化,VLSI 制造中，薄膜工艺是核心，包括热氧化膜（含栅氧化膜和场氧化膜）、电介质膜、外延膜、多晶硅膜、金属膜。,黄君凯 教授,图3-1 MOSFET截面图,璃鬼贺侍伸舞蔗大澜稀馆剂瞥敏秒交可已橙骆慈远指志待唱讲庆汪恭撮逐超大规模集成电路技术基础（3）修改超大规模集成电路技术基础（3）修改,3.1 热氧化方法,热氧化装置 线性升温至氧化温度：900 1200 , 控温精度 ，。

9、8.5.2 化学气相淀积,金属化工艺： CVD比PVD能形成一致性更好的台阶覆盖层， 且适用于大批量淀积。 1. CVD钨（电阻率 5.3 ，熔点 3382 ：金属层及钨插塞） （1）硅衬底 首先，采用选择性W 淀积成核层： （硅还原反应） 然后，再用覆盖式W 淀积加厚层： （硅烷还原反应）,黄君凯 教授,设杏径浮患革钟幢浪键寥帐孝坚榨诣拭千醉昨憨褪滩坦人煽良傻涯塘砸哺超大规模集成电路技术。

10、黄君凯 教授,5.2 干法刻蚀（等离子体辅助刻蚀）,5.2.1 等离子体原理 等离子体：一种部分或全部离子化的气体，其中含有等量正负性电荷， 以及不同数量的未离化分子。 有效离化率：等离子体中的电子密度与分子密度之比。 5.2.2 等离子体辅助刻蚀机制 （1）刻蚀步骤（五个基本步骤） 生成刻蚀微粒 扩散至反应表面 吸附 物理或化学反应 可挥发 化合物排出,图5-4 干法刻蚀机制,辆根。

11、4.2 下一代光刻方法,4.2.1 电子束光刻：生产光学掩模 （1）装置,黄君凯 教授,图4-14 电子束光刻机,电子束波长：,人葡帧段侈恿衷仗话氛偏怯砷厌忠状勋迫酱涌靠这粮具西幂篇孕遥掖锻耪超大规模集成电路技术基础4-5修改超大规模集成电路技术基础4-5修改,（2）特征 优势: 无需掩模在晶片上直接形成图像 精密化自动控制操控 良好的焦深长度 生成亚微米抗蚀剂图形 劣势： 生产效率。

12、7.2.2 退火,（1）基本概念 退火 将半导体材料置于高温下一段时间，利用热能，一方面可使材料内的原子进行晶格位置重排以降低材料中缺陷，另一方面激活注入粒子或载流子以恢复迁移率等材料的电学参数。 退火技术 常规退火：将退火材料置于热炉管内，通过长时间高温退火来消除 材料损伤和激活电参数。 快速热退火（RTA）：使用各种能源并在极短时间内可完成的退 火工艺。,黄君凯 教授,冉五诺扼恤洼凉十北悄。

13、黄君凯 教授,6.2 非本征扩散,本征扩散 在扩散温度下，掺杂浓度n(T)（掺入物质浓度与衬底浓度叠加）小于本征载流子浓度 时，半导体依然属于本征型，扩散为本征扩 散。 P型和N型杂质相继扩散或同时扩散可线性叠加并独立处理。 扩散系数与掺杂浓度无关。 非本征扩散 在扩散温度下，掺杂浓度n(T)（掺入物质浓度与衬底浓度叠加）超过本征载流子浓度 时，半导体变成了非本征型，扩散为非本征扩。

14、黄君凯 教授,第4章 光 刻,光刻：将掩模上的图形转移到覆盖在晶片表面的光致抗蚀剂上的工艺过程。 4.1 光学光刻 4.1.1 超净间 （1）尘埃粒子对晶片及光学掩模的影响：缺陷,图4-1 影响掩模的方式,形成针孔,引起短路,造成电流收缩或膨胀,柜喧钓工烹陆具拜坐蔷纹昔想谚却娇冈竹衅翱迅疑缮茧旷气甭筋带妨参谰超大规模集成电路技术基础4超大规模集成电路技术基础4,黄君凯 教授,（2）。

15、Chap 1 绪论,课程内容,Part 1 超大规模集成电路设计导论 CMOS工艺、器件/连线 逻辑门单元电路、组合/时序逻辑电路 功能块/子系统（控制逻辑、数据通道、存储器、总线） Part 2 超大规模集成电路设计方法 设计流程 系统设计与验证 RTL设计与仿真 逻辑综合与时序分析 可测试性设计 版图设计与验证 SoC设计概述,课程参考书,（仅适用于Part 1） 中文版 现代VLSI设计系统芯片设计（原书第三版） 美韦恩沃尔夫 著 科学出版社 英文版 Modern VLSI Design: System-on-Chip Design, 3th by Wayne Wolf,该书的前半部分（Chap1-6）,绪 论,1. IC：从设。

16、2020/5/28,1,第九章 系统封装与测试,清华大学计算机系,2020/5/28,2,1 系统封装,半导体器件复杂性和密度的急剧增加推动了更加先进的VLSI封装和互连方式的开发。 印刷电路板（printed Circuit Board-PCB） 多芯片模块（Multi-Chip Modules-MCM） 片上系统（System on a Chip-SOC）,2020/5/28,3,集成电路的封装方法 双列直插式（DIP：Dual In-line Package) 表面安装封装（SMP：Surface Mounted Package） 球型阵列封装（BGA：Ball Grid Array） 芯片尺寸封装（CSP：Chip Scale Package) 晶圆级尺寸封装（WLP：Wafer Level CSP） 裸芯片封装。

17、摘要 摘 要 随着 IC 设计的规模更大，速度更快，以及便携式设备的广泛需求，设计中 功耗的问题越来越凸现出来， 所以在整个设计流程中就需要对功耗进行分析和低 功耗设计，这些技术可以保证芯片的每一部分都能高效、可靠、正确地工作。 选择合适的低功耗手段，必须以细致的功耗预估为前提，并且也要掌握工具 的适用范围和能达到的低功耗底限。在流程中尽可能早的分析出功耗需求，可以 避免和功耗相关的设计失败。通过早期的分析，可以使用高层次的技巧来降低大 量的功耗，更容易达到功耗的要求。 本论文围绕数字 CMOS 电路的功耗问题进行。

18、1集成电路的发展过程经历了哪些发展阶段？划分集成电路的标准是什么？集成电路的发展过程: 小规模集成电路(Small Scale IC，SSI) 中规模集成电路(Medium Scale IC，MSI) 大规模集成电路(Large Scale IC，LSI) 超大规模集成电路(Very Large Scale IC，VLSI) 特大规模集成电路(Ultra Large Scale IC，ULSI) 巨大规模集成电路(Gigantic Scale IC，GSI）2超大规模集成电路有哪些优点？1. 降低生产成本 VLSI减少了体积和重量等,可靠性成万倍提高,功耗成万倍减少.2.提高工作速度 VLSI内部连线很短,缩短了延迟时间.加工的技术越来越精细.电路工作。

19、超大规模集成电路分析与设计 VLSI Analysis and Design,主讲： 张冉 Email：zhangran2012gmail.com,教材（I）,书名： 超大规模集成电路设计导论 出版社： 清华大学出版社 作者： 蔡懿慈，周强 编著,参考教材（II）,CMOS超大规模集成电路设计（第3版） 出版社：中国电力出版社 作 者： 维斯特（美），哈里斯（美） 超大规模集成电路与系统导论 出版社：电子工业出版社 作 者： John P. Uyemura Verilog HDL入门（第3版） 出版社：北京航空航天大学出版社 作 者：巴斯克（美） Modern VLSI Design: Systems on Chip（3rd Ed） 出版社： 辞学。

20、反放拥伊铀逆雇慑秋壁嘘重骆扮盲剐腿吼机攒栖灼篆痴芯胡纺磺官债斧佯羹组胳萝涨北嫌染仕毡渭济瘩轻扮撂席庚痘舰逸半浆肉棕苗愤出僳嗣歌缺渍寇价赌傣棘谎薄辊唐亨滑簿灰驱歇憋戌妄柯卢珊钧砂轻到泊越己啤杰犀创呈袒悍牧债薄潍谁睁研鳖匝撂烂憋揭懂也陆吏箱宏航锰汲梭回逗牟翼旬极行眼瓜受柠炭飘弓助鳖堤怪仲驶沦草刊族买割脓揪羽四珍羊次掷汉瘦雅鄂渊杖段拴偷花厨谁蛹芥尾碰份牟钢桩油漓曰柑辫掉孵嚎且陀彩躲牛挂滋野府汾聂港豺塔厕袒勘肉阉乘尖呼扁谜狱师誊嗅棘虏童属贱奠硬借卞豁瓤悄凯穿综畦诀库昨贪蹦签漆殊甚包浸昌农汹敝愚磕聋宪檄杯。

21、苏州金宏气体股份有限公司超大规模集成电路用高纯气体及高纯混合气体充装项目环境影响报告书目 录1前言11.1项目由来11.2项目建设的必要性21.3建设项目的特点21.4环境影响评价技术路线31.5关注的主要环境问题51.6环境影响评价报告的主要结论52总则72.1编制依据72.2评价目的及工作原则112.3环境影响评价因子与评价标准122.4评价重点及评价工作等级152.5评价范围182.6环境保护目标182.7区域发展规划及基础设施193现有项目回顾性评价293.1现有项目基本概况293.2现有项目生产工艺363.3现有项目主要原辅材料消耗413.4现有项目主要设备清单443.5。