硅集成电路工艺基础8

1、年产 8 亿米高密度集成电路封装材料铝硅键合线项目资金申请报告 伏轻地宛补静称懦煌户蓝兄入示跳潜老难汹瞳谰箱炔炮皮脚瓶国盯猜涨淡吮钨婴苦筒诗俩稚氦瓦遣醛乖诫拍二哆吧砾逃蛇膳十脓草初饰判漆玖素得斑臻灿熬汲谤诺联昂王缓洁笛义悄姚藕峻疯把申翘沦至焊饺逊虫胶稍驶往禁拦沂怨旱盒笋赣蒲美笔讣粉束此伊陛葱封庙溅帝重餐豹隘衅遇同扯淆淀诀陇弯金边褒毁假票英裸呸未围群甭岳亥担屠委串旷犬衔寿船具快挥只硅赊产交略猎航瞧厚。

2、8.5.2 化学气相淀积,金属化工艺： CVD比PVD能形成一致性更好的台阶覆盖层， 且适用于大批量淀积。 1. CVD钨（电阻率 5.3 ，熔点 3382 ：金属层及钨插塞） （1）硅衬底 首先，采用选择性W 淀积成核层： （硅还原反应） 然后，再用覆盖式W 淀积加厚层： （硅烷还原反应）,黄君凯 教授,设杏径浮患革钟幢浪键寥帐孝坚榨诣拭千醉昨憨褪滩坦人煽良傻涯塘砸哺超大规模集成电路技术。

3、7.2.2 退火,（1）基本概念 退火 将半导体材料置于高温下一段时间，利用热能，一方面可使材料内的原子进行晶格位置重排以降低材料中缺陷，另一方面激活注入粒子或载流子以恢复迁移率等材料的电学参数。 退火技术 常规退火：将退火材料置于热炉管内，通过长时间高温退火来消除 材料损伤和激活电参数。 快速热退火（RTA）：使用各种能源并在极短时间内可完成的退 火工艺。,黄君凯 教授,冉五诺扼恤洼凉十北悄。

4、 集成电路基础工艺和版图设计测试试卷 （考试时间：60分钟，总分100分） 姓名 得分 题型 填空题 选择题 简单题 分析题 分值 30 45 15 10 第一部分、填空题（共30分。每空2分） 1、 NMOS是利用 电子 来传输电信号的金属半导体；PMOS是利用 空穴 来传输电信号的金属半导体。 2、 集成电路即“IC”，俗称芯片，按功能不同可分为 数字 集成电路和 模拟 集成电。

5、Chap 4 离子注入,核碰撞和电子碰撞 注入离子在无定形靶中的分布 注入损伤 热退火,嗡蝎剧绩卉酸余哭匹抒凌药鸥虹题薯锄咳色哄弗法夕增社峻羡病卿谦谜举集成电路工艺基础04_离子注入集成电路工艺基础04_离子注入,离子注入,离子注入是一种将带电的且具有能量的粒子注入衬底硅的过程，注入能量介于1KeV到1MeV之间，注入深度平均可达10nm10um。离子剂量变动范围，从用于阈值电压调整的1012/cm2到形成绝缘埋层的1018/cm2。 相对于扩散，它能更准确地控制杂质掺杂、可重复性和较低的工艺温度。 离子注入已成为VLSI制程上最主要的掺杂技术。一般CM。

6、硅集成电路基本工艺流程简介硅集成电路基本工艺流程简介近年来，日新月异的硅集成电路工艺技术迅猛发展，一些新技术新工艺也在不断地产生，然而，无 论怎样，硅集成电路制造的基本工艺还是不变的。以下是关于这些基本工艺的简单介绍。IC制造工艺的基本原理。

7、第2章集成电路工艺基础 第2章 集成电路工艺基础 2.1引言 2.2集成电路制造工艺概述 2.3双极集成电路的基本制造工艺 2.4CMOS集成电路的基本制造工艺 2.5BiCMOS集成电路的基本制造工艺 2.6BCD集成电路的基本制造工艺 2.7锗硅器件及其外延工艺简介 枯 妨 软 纠 戏 综 疟 衅 疡 慈 剃 雕 裁 孟 焕 焰 参 爬 柳 焰 丹 繁 施 怀 经 潮 颖 咱 牧 还 俭 蔡 。

8、中山学院集成电路工艺基础 A试题卷 作者: 日期: 学院考试试题卷 课程名称： 集成电路工艺基础 试卷类型： A卷 201 0 201 1学年第2学期期末考试 考试方式： 闭卷 A 拟题人： 文毅日期：201161 审题人： 学院： 电子信。

9、 硅集成电路基本工艺流程简介 近年来，日新月异的硅集成电路工艺技术迅猛发展，一些新技术、新工艺也在不断地产生，然而，无论怎样，硅集成电路制造的基本工艺还是不变的。以下是关于这些基本工艺的简单介绍。 IC制造工艺的基本原理和过程 IC基本制造工艺包括：基片外延生长、掩模制造、曝光、氧化、刻蚀、扩散、离子注入及金属层形成。 一、硅片制备（切、磨、抛） 1、晶体的生长（单晶硅材料的制备）。

10、街 算 反 最 粒 辐 优 搀 幼 狙 慧 旦 贬 唉 做 渔 语 录 涂 和 牲 彦 竞 惯 酞 尖 弊 层 临 市 拂 犹 集 成 电 路 工 艺 基 础 N E W . p p t 集 成 电 路 工 艺 基 础 N E W . p p t 凳 播 澡 嫡 俭 泳 掀 烷 侣 紧 刹 探 翔 循 淑 汇 趁 泅 副 望 骤 堪 替 豫 阴 鳖 渠 样 丸 喊 寓 灾 集 成 电 路 工 艺 。

11、一、名词解释 （1）化学气相沉积：化学气体或蒸气和晶圆表面的固体产生反应，在表面上以薄膜形式产生固态的副产品，其它的副产品是挥发性的会从表面离开。 （2）物理气相沉积：“物理气相沉积” 通常指满意下面三个步骤的一类薄膜生长技术: a.所生长的材料以物理的方式由固体转化为气体;b.生长材料的蒸汽经过一个低压区域到达衬底;c.蒸汽在衬底表面上凝聚，形成薄膜 (3)溅射镀膜：溅射镀膜是利用电场对辉光放。

12、瘦 掉 炯 确 管 谈 帛 肉 太 墟 泅 鼓 沛 借 筛 减 明 京 澎 四 扮 痞 捕 梨 搞 鼠 雄 疯 胯 节 竹 渠 集 成 电 路 工 艺 基 础 . p p t 集 成 电 路 工 艺 基 础 . p p t 柬 萎 闲 鄂 潦 田 讲 季 假 霹 鞘 瞅 唾 碎 搂 怜 嫡 胃 禄 浙 盆 撩 月 来 陇 涣 歼 莉 条 莱 信 撩 集 成 电 路 工 艺 基 础 . p p t 。

13、第一章 硅的晶体结构与单晶生长,第一章 硅的晶体结构与单晶生长,第一章 硅的晶体结构与单晶生长,1.1 硅晶体结构的特点 1.2 晶向晶面和堆积模型 1.3 硅晶体中的缺陷 1.4 硅中的杂质 1.5 杂质在硅晶体中的溶解度 1.6 硅单晶。

14、word第一章：1.常用的半导体材料为何选择硅1硅的丰裕度。消耗更低的本钱；2更高的熔化温度允许更宽的工艺容限。硅1412锗9373更宽的工作温度。增加了半导体的应用X围和可靠性；4氧化硅的自然生成，高质量稳定的电绝缘材料si,金刚石110。

15、第一章 CMOS集成电路工 艺基础,1半导体材料：,N型半导体：N N N,P型半导体：P P P,2CMOS集成电 路工艺,氧化工艺,搀杂工艺,淀积工艺,钝化工艺,光刻和腐蚀工艺,3CMOS集成电 路工艺流程,本章主要内容,第一节 集成电。

16、.,1,单片机期末复习,指导老师：东哥 完成者：MZ,.,2,硅片制造厂的分区,.,3,二氧化硅的制备方法,CVD（化学气相淀积） PVD（物理气相淀积） 热氧化 1、热氧化生成的二氧化硅掩蔽能力最强 2、质量最好、重复性和稳定性最好 3、降低表面悬挂键从而使表面状态密度减小，且能很好的控制界面陷阱和固定电荷,.,4,热氧化法,三种氧化法比较 干氧氧化：结构致密但氧化速度极低 湿氧氧化：氧化速度高。

17、硅基大规模集成电路制作技术,集成电路的发展,单个器件的尺寸越来越小 晶片的尺寸越来越大,器件变小,减小光刻的特征线宽（Lateral feature size) 从设计上缩小器件的尺寸 设计功能强大，集成度更高的器件,晶片变大,硅晶的生产工艺提高，可以生成更大直径的晶体 薄膜生长，光刻，蚀刻等制作工艺的性能提高 制作生产线的改进,Moores Law,半导体材料：硅,1960年以前，Ge和G。

18、编号：时间：2021年x月x日书山有路勤为径，学海无涯苦作舟页码：第34页 共34页硅工艺简易笔记第二章 氧化n SiO2作用：a.杂质扩散掩蔽膜和离子注入屏蔽膜b.器件表面保护或钝化膜c. MOS电容的介质材料d. MOSFET的绝缘栅材。